18-Mavzu. Mavzu: Yarim o'tkazgichli elektr apparatlarining xususiyatlarini ishlash prinsipi. Yarim utkazgichlarning tuzilishi va ishlash prinspini o’rganish

BIPOLYAR TRANZISTORLAR
Tranzistor uchta sohadan iborat yarim o’tkazgichli asbob. Uning tuzilishi 20.1 – rasmda keltirilgan. O’rta qismi baza deb atalib, aralashma kontsentratsiyasi chetki qismlariga nisbatan kam va yupqa bo’ladi. CHetki qismlaridan biri emitter, ikkinchisi kollektor deb ataladi.


20.1 – rasm. Tranzistorning tuzilishi (a) va uning qarama-qarshi ulangan diodlar sifatida tasvirlanishi (b)

Emitter degan nom elektronlar bazaga purkaladi, in’ektsiya, ya’ni injektsiyalanadi degan ma’noni bildiradi. Tranzistorda kollektor toki hosil bo’lishi uchun albatta baza toki bo’lishi shart. 20.1 – rasmda keltirilgan tranzistor diskret tranzistor deb ataladi. Bu tranzistorda r-p o’tishlar yarim o’tkazgichli plastinaning qarama-varshi tomonlarida joylashgan. O’tishlari bir tomonga joylashgan tranzistorlar ham mavjud va ular integral tranzistorlar deb ataladi. Emitter sohasida aralashma miqdori ko’proq bo’ladi. Kollektor zaryad tashuvchilarni ekstraktsiyalash (sug’urib olish) vazifasini bajaradi.

Tranzistorning bazasi p yoki r o’tkazuvchanlikka ega bo’lishi mumkin. SHunga ko’ra chetki qismlari r yoki p o’tkazuvchanlikka ega bo’ladi. Demak, tranzistor r-p-r yoki p-r-p strukturali bo’ladi. Tranzistorda ikkita r-p o’tish mavjud. Buni hisobga olgan holda tranzistorni ketma-ket ulangan ikkita bog’langan diod sifatida qarash mumkin (20.1b – rasm). Uning chetki uchlariga (emmiter – kollektorga) kuchlanish ulanganda r-p o’tishlarning biri to’g’ri o’tish bo’lsa, ikkinchisida teskaoi bo’lganligidan har ikkala yo’nalishda tizimdan tok o’tmaydi. Tranzistorni ikkita tok manbaiga 20.2- rasmda ko’rsatilgandek ulaymiz. K kalit ochiq bo’lganda emiiter zanjirida tok bo’lmaydi. Kollektor zanjirida esa oz miqdorda teskari r-p o’tish toki (I_kBt, t – teskari demak) bo’ladi. K – kalit ulanganda emmiter zanjirida tok hosil bo’ladi. CHunki Ye_e manba kuchlanishi emmiter – baza yo’nalishida to’g’ri r-p o’tish hosil qiladi. Bunda ko’pchilik kovaklar emitterdan bazaga o’tganda L_B > L_D bo’lganligidan kollektor o’tishiga yetib boradi. Natijada kollektor toki ortadi. Umuman olganda, tranzistorning asosiy xossasi bazada boraytgan jarayonlar bilan belgilanadi.



20.2 – rasm. Tranzistorni umumiy baza sxemasida ulash

Bazada chet moddalar taqsimlanishi natijasida unda asosiy bo’lmagan zaryadlarni emitterdan kollektorga o’tishiga yordam beruvchi elektr maydon bo’o\lsa, bunday tranzistor dreyfli tranzistor deyiladi. Agar bazada xususiy maydon bo’lmasa, asosiy bo’lmagan zaryad tashuvchilar baza orqali asosan diffuziya hodisasi tufayli o’tsa, bunday tranzistor dreyfsiz tranzistor deb ataladi. 20.3 – rasmda tranzistorning chiqish tavsiflari keltirilgan. Unda ga mos kelgan tavsif K kalit osiq bo’lgan holni ifodalaydi. Tavsifdan ko’rinadiki, kollektor – bazaga qo’yilgan manfiy kuchlanish qiymati ortishi bilan tokning sezilarli darajada ortishi kuzatilmaydi.

20.3 – rasm. Umumiy baza (UB) va umumiy emmiter sxemada ulangan tranzistorning chiqish tavsiflari

Tranzistordan o’tuvchi toklarning kuchlanishga bog’liqligi statik qolt-amper tavsiflari (VAT) orqali ifodalanadi. Ular kirish va chiqish tavsiflariga ajratiladi.

Kirish tavsifi deyilganda chiqish zanjirining kuchlanishi o’zgarmas saqlangan holda, kirish zaejiridagi tokning kirish kuchlanishiga bog’livlik grafigi tushuniladi. Masalan, umumiy emitter sxemasida . CHiqish tavsifi deyilganda kirish zangjiridagi tok o’zgarmas bo’lganda, chiqish tokining chiqish kuchlanishiga bog’liqligi tushuniladi. Masalan, umumiy emitter sxemada .
Umumiy baza va umumiy emitter sxemaning kirish VAT i 20.4 – rasmda keltirilgan. Tavsifdan ko’rinib turibdiki, tavsiflar diodnikiga o’xshash ko’rinishga ega.

20.4 – rasmda umumiy baza va umumiy emitter sxemalar bo’yicha ulangan tranzistorlarning chiqish tavsiflari keltirilgan. Umumiy baza sxemada, umumiy emitternikiga qaraganda kollektor toki kollektor kuchlanishiga kuchsiz bog’langan. Umumiy emitter sxemada kollektor tokining keskin ortishi umumiy bazanikiga nisbatan kichik kollektor kuchlanishida ro’y beradi.

20.5 – rasm. Tranzistorlarning chiqish tavsiflari:

a – umumiy baza va b – umumiy emitter sxemalarida

Tranzistordan kuchaytirgich sifatida foydalanilganda, ummiy emitterli sxemada signalni kuchlanish bo’yicha 10 – 200 marta kuchaytirish mumkin. SHu sababli umumiy emitterli sxema boshqalarga nisbatan ko’proq qo’llaniladi. Lekin umumiy emitterli sxemada kirish qarshiligi 500 – 1000 Om, chiqish qarshiligi 2 – 20 kOm atrofida bo’ladi. Umumiy kollektorli sxemada kuchlanish bo’yicha kuchaytirish bir atrofida, tok bo’yicha kuchlanish umumiy emitterliniki bilan bir xil. Umumiy bazali sxemada tok bo’yicha bir atrofida, kuchlanish umumiy emitterli niki kabi bo’ladi. Kirish qarshiliga bu sxemada juda kichik, 10 – 200 Om atrofida bo’lganligidan ko’pincha elektr signallarni generatsiyalash va shunga o’xshash qurilmalarda ishlatiladi.


http://fayllar.org