3 laboratoriya ishi ue ulanish sxemasidagi btni statik vaxlarini tadqiq etish Ishning maqsadi

3 - LABORATORIYA ISHI
UE ulanish sxemasidagi BTni statik VAXlarini tadqiq etish
Ishning maqsadi: UE ulanish sxemasida bipolyar tranzistorlarning asosiy statik xarakteristikalari va parametrlarini tadqiq etish, xarakteristikalarni o’lchash va tajriba natijalarini qayta ishlash uslubi bilan tanishish.
1. Laboratoriya ishini bajarishga tayyorgarlik:
Grafik ko’rinishda ifodalangan tok va kuchlanish orasidagi bog’liqlik tranzistor statik xarakteristikalari deb ataladi. Umumiy emitter ulanish sxemasida mustaqil o’zgaruvchilar sifatida baza toki va kollektor – emitter kuchlanishi tanlanadi, shunda:

Ikki o’zgaruvchili funktsiya grafik ko’rinishda xarakteristikalar oilasi kabi tasvirlanadi.
BT kirish xarakteristikalari oilasi 5.1 a- rasmda, chiqish xarakteristikalar oilasi 5.1 b-rasmda keltirilgan.

a) b)
3.1-rasm
Xarakteristikalarning har biri quyidagi bog’liqlik bilan ifodalanadi:
, bo’lganda
, bo’lganda
Kichik amplitudali siganllar bilan ishlanganda va qiymatlar bilan beriladigan ixtiyoriy ishchi nuqta atrofidagi nochiziqli bog’liqliklar chiziqli tenglamalar bilan almashtirilishi mumkin, masalan tranzistorning h- parametrlar tizimidan foydalanib.

yozish mumkin, bu erda , bo’lganda
, bo’lganda
, bo’lganda
, bo’lganda
h- parametrlar formulalari yordamida xaratkeristikalar oilasidan aniqlanishi mumkin (h_11E va h_12E – kirish xaratkeristikalar oilasidan, h_21E va h_22E – chiqish xarakteristikalar oilasidan).
Amaliy hisoblarda ko’pincha BT statik xarakteristikalarini bo’lakli- chiziqli aprroksimatsiyasidan ham keng foydalanishadi. (5.2- rasmga qarang)

3.2-rasm
Approksimatsiyalangan kirish xaratkeristiklari uchun

ga egamiz.
Chiqish xarakteristikalari uchun esa

U_BO’S- emitter o’tishdagi bo’sag’aviy kuchlanish,
- tranzistor kirish qarshiligining o’rta qiymati ( ),
- to’yinish rejimidagi tranzistor chiqish qarshiligi (boshlang’ich sohada).
, va
- aktiv rejimda chiqish qarshiligi ning o’rta qiymati.
va bo’lganda