4-laboratoriya ishi Mavzu: btda yasalgan ue kuchaytirgich xarakteristikalarini tadqiq etish Ishning maqsadi



Yüklə 175 Kb.
səhifə1/2
tarix26.05.2022
ölçüsü175 Kb.
#59588
  1   2

4-laboratoriya ishi
Mavzu: BTda yasalgan UE kuchaytirgich xarakteristikalarini tadqiq etish
Ishning maqsadi: UE ulanish sxemasida bipolyar tranzistorlarning asosiy statik xarakteristikalari va parametrlarini tadqiq etish, xarakteristikalarni o’lchash va tajriba natijalarini qayta ishlash uslubi bilan tanishish.
1. Laboratoriya ishini bajarishga tayyorgarlik:
Grafik ko’rinishda ifodalangan tok va kuchlanish orasidagi bog’liqlik tranzistor statik xarakteristikalari deb ataladi. Umumiy emitter ulanish sxemasida mustaqil o’zgaruvchilar sifatida baza toki va kollektor – emitter kuchlanishi tanlanadi, shunda:
(4.1)
Ikki o’zgaruvchili funktsiya grafik ko’rinishda xarakteristikalar oilasi kabi tasvirlanadi.
BT kirish xarakteristikalari oilasi 4.1 a- rasmda, chiqish xarakteristikalar oilasi 4.1 b-rasmda keltirilgan.

a) b)
4.1-rasm
Xarakteristikalarning har biri quyidagi bog’liqlik bilan ifodalanadi:
, bo’lganda (4.2)
, bo’lganda (4.3)
Kichik amplitudali siganllar bilan ishlanganda va qiymatlar bilan beriladigan ixtiyoriy ishchi nuqta atrofidagi nochiziqli bog’liqliklar (4.1-4.3), chiziqli tenglamalar bilan almashtirilishi mumkin, masalan tranzistorning h- parametrlar tizimidan foydalanib.

(4.4)
yozish mumkin, bu erda , bo’lganda
, bo’lganda
, bo’lganda (4.5)
, bo’lganda
h- parametrlar (4.5) formulalari yordamida xaratkeristikalar oilasidan aniqlanishi mumkin (h11E va h12E – kirish xaratkeristikalar oilasidan, h21E va h22E – chiqish xarakteristikalar oilasidan).
Amaliy hisoblarda ko’pincha BT statik xarakteristikalarini bo’lakli- chiziqli aprroksimatsiyasidan ham keng foydalanishadi. (4.2- rasmga qarang)

4.2-rasm
Approksimatsiyalangan kirish xaratkeristiklari uchun

(4.6)
ga egamiz.
Chiqish xarakteristikalari uchun esa
(4.7)
4.6 va 4.7 formulalarda
UBO’S- emitter o’tishdagi bo’sag’aviy kuchlanish,
- tranzistor kirish qarshiligining o’rta qiymati ( ),
- to’yinish rejimidagi tranzistor chiqish qarshiligi (boshlang’ich sohada).
, va (5.8)
- aktiv rejimda chiqish qarshiligi ning o’rta qiymati.
va bo’lganda (5.9)

Yüklə 175 Kb.

Dostları ilə paylaş:
  1   2




Verilənlər bazası müəlliflik hüququ ilə müdafiə olunur ©azkurs.org 2024
rəhbərliyinə müraciət

gir | qeydiyyatdan keç
    Ana səhifə


yükləyin