6- mavzu. Ims chiqish kaskadlari. Reja

AV sinf kuchaytirgichlar. AV kuchaytirish rejimida ishchi nuqta berkitish chegarasida emas, balki EO‘ to‘g‘ri (zatvor-istok o‘tish teskari) siljitilgan sohada, A sinfidagiga qaraganda ancha kichik toklarda bo‘ladi.
FIKi kichik bo‘lgani sababli A sinf mikroelektronikada kam ishlatiladi. V va AV sinflarning ikki taktli kuchaytirgichlari keng tarqalgan.
a) b)
6.6-rasm.V sinfida ishlaydigan ikki taktli kuchaytirgich sxemalari:

BT (a) va IVTli (b).

6.7-rasm. Uzatish xarakteristikasida kuchaytirgich

chiqish signalining shakli.
Nochiziqli buzilishlarni oldini olish uchun tranzistorlar bazalariga sath siljituvchi sxema yordamida siljituvchi kuchlanish beriladi.

ChKning AV sinfida ishlashini ta’minlash uchun qo‘llaniladigan an’anaviy sxemalardan biri 6.7-rasmda keltirilgan. Tranzistorlar bazalari orasiga alohida siljituvchi kuchlanish beriladi. Bundan tashqari, tranzistorlar o‘ta yuklanishdan, masalan, yuklama elektrodi tasodifan kuchlanish manbaining elektrodiga ulanishidan himoyalangan.

VD2

VD1
6.8-rasm. AV sinf rejimida ishlaydigan ChK sxemasi.

Keltirilgan sxema elementlari vazifasini ko‘rib chiqamiz.

VT1 va VT2 chiqish tranzistorlarini boshqaruvchi kuchlanishni hosil qilish uchun kuchaytirgichda VT3 asosidagi qo‘shimcha kaskad ishlatilgan. U UE sxemada ulangan. Rezistor R chiqish toki bo‘yicha ketma-ket manfiy TA zanjirini hosil qiladi. U kaskad ish rejimini barqarorlaydi. Bundan tashqari, VT3 tranzistor butun ChK kuchaytirish koeffitsiyentini oshiradi. R qarshilik qiymati shunday tanlanadiki, A nuqta potensiali, sokinlik reji-mida nolga teng bo‘lsin. VD1 va VD2 diodlar VT1 va VT2 tranzistorlar parametrlari bir xil bo‘lgani uchun V nuqta potensiali (sokinlik rejimida kaskadning ChK kuchlanishi) VA nolga teng bo‘ladi.
VT1 va VT2 tranzistorlar ikki taktli tok kuchaytirgichning yelkalarini tashkil etadi. Kirish kuchlanishining har bir yarim davrida yuklama toki kuchaytirgichning o‘z yelkasi bilan hosil qilinadi. VT4 va VT5 tranzistorlar VT1 va VT2 tranzistorlarni o‘ta yuklanishdan saqlash uchun xizmat qiladi. VD1 va VD2 diodlar BTG bilan birgalikda AV sinf ish rejimini ta’minlash uchun siljitish zanjirlarini hosil qiladi. Siljitish zanjirlari VT1 va VT2 tranzistorlarga emitter-baza kuchlanishlarni berish uchun xizmat qiladi.
BTG toki I₀ signal mavjud bo‘lmaganda, diodlardagi kuchlanish pasayishi kichik bo‘ladigan qilib tanlanadi, VT1 va VT2 VAda VT4 va VT5 tranzistorlar deyarli berk holatda bo‘ladi.
Kuchaytirgich kaskadning ishlash prinsipini ko‘rib chiqamiz. VT3 tranzistor kirishiga signalning musbat yarim davri berilgan bo‘lsin. U emitter toki va mos ravishda, ushbu tranzistor kollek-tor tokining ortishiga olib keladi. Bunda S nuqta potensiali pasayadi, chunki bu nuqtaga keluvchi tok qiymati o‘zgarmas va BTG toki I₀ ga teng, undan ketuvchi tok (VT3 tranzistor kollektor toki) qiymati esa ortadi. VT1 tranzistor bazasi bilan ulangan S nuqta potensialining pasayishi VT1ni berkitadi va uning baza toki nolga teng bo‘lib qoladi. Lekin bunda VD1 va VD2 diodlardan o‘tuvchi tok I₀ ga teng bo‘ladi va F nuqta potensiali, S nuqta holatidek sababga ko‘ra pasayadi. F nuqta potensiali pasayishi (VT2 tranzistor baza potensiali) VT2 tranzistor baza tokining ortishiga, demak, ushbu tranzistor emitter tokining VA ortishiga olib keladi. BTG mavjud bo‘lgani sababli baza tokining o‘zgarishi VT3 tranzistor kollektor toki o‘zgarishiga teng, ya’ni
(6.10)
VT2 tranzistor emitter toki ortishi yuklamada I_E2 yo‘nalishda tok paydo bo‘lishiga olib keladi. VT1 tranzistor berk bo‘lgani uchun

(6.11)

Tranzistor toklari orasidagi munosabatlarni e’tiborga olgan holda, (6.10) va (6.11) asosida:

(6.12)

teng bo‘ladi. Bu yerda, β₃ , β₂ – mos tranzistorlar baza toklarini uzatish koeffitsiyentlari qiymatlari.

Shunday qilib, kaskadning tok bo‘yicha kuchaytirish koeffitsiyenti

(6.13)
Kirishga manfiy yarim davrli kuchlanish U_KIR berilganda VT1 tranzistor ochiladi, VT2 tranzistor esa berk bo‘ladi. Yuklamadagi chiqish toki I_E1 yo‘nalishga ega bo‘ladi.

Kaskadning chiqish qarshiligi amalda VT2 YOKI VT1 tranzistorlarning to‘g‘ri siljigan EO‘lari qarshiligiga teng, ya’ni juda kichik bo‘ladi.
VT4 va VT5 tranzistorlarning himoyalovchi funksiyalari quyidagicha amalga oshadi: Normal ish rejimida ular berk. Katta signalda YOKI chiqish tasodifan kuchlanish manbaining elektrodlaridan biriga qisqa tutashganda VT4 va VT5 tranzistorlardan biri ochiladi va natijada, himoyalovchi VT1 YOKI VT2 tranzistorlar baza tokining bir qismi oqadi va shu bilan VT1 va VT2 tranzistorlarning emitter-baza o‘tishi shuntlanadi. Bu ularni o‘ta yuklanishdan saqlaydi.
Quvvat kuchaytirgichlarda chiqish tranzistorlari sifatida tarkibiy tranzistorlardan foydalaniladi. Ushbu prinsiplar MTlar asosidagi ChKlarni loyihalashda VA ishlatiladi. BTlar asosidagi qurilmalarga qaraganda bunday sxemalar nochiziqli buzilishlarning kichikligi va temperaturaga bardoshligi bilan farq qiladilar.