Arslonov Jamshidbek Neymat o’g’lining



Yüklə 0,94 Mb.
səhifə7/8
tarix01.06.2023
ölçüsü0,94 Mb.
#121780
1   2   3   4   5   6   7   8
1 – laboratoriya ishi ims tayyorlash texnologiyasi va klassifika

    Bu səhifədəki naviqasiya:
  • Xulosa
Nazorat savollari
1. Integral mikrosxema (IMS) nima ?
2. IMSlarning asosiy xususiyatlari nimada ?
3. IMS elementi va komponenti deb nimaga aytiladi ?
4. Pardali, gibrid va yarimo‘tkazgich IMSlar farqini tushuntiring.
5. Nima sababdan tranzistor tuzilmasi IMS turli elementlarini tayyorlash asosi bo‘lib xizmat qiladi ?
6. IMS elementlari qanday qilib bir – biridan izolyatsiyalanadi ?
7. Planar va planar – epitaksial usullari bilan tayyorlangan tranzistorlar nimasi bilan bir – biridan farqlanadi ?
8. Raqamli va analog IMSlar murakkablik darajasi qanday aniqlanadi ?
9. Analog va raqamli IMSlarda qanday signallar o‘zgartiriladi ?
10. IMSlar sinflanishini aytib bering.


Xulosa: IMS topologiyasi bilan tanishib chiqdim va bir qancha usullardan foydalanib IMS belgilanish tizimini o‘rganib chiqdim.
BTda yasalgan UE kuchaytirgich cxemasini tadqiq etish

Ishning maqsadi: Umumiy emitter sxemasida ulangan bipolyar tranzistorda yasalgan sodda kuchaytirgich bosqichi parametrlarini o‘lchash.


1. Laboratoriya ishini bajarishga tayyorgarlik ko‘rish:








UKE(0), V

2,5

5

7,5

Formula

Ye1













UBE(0), V

1

1

1




IB(0), mA

161.4

161.4

161.4

3.6

IK(0), mA

6.641

7.141

7.541

3.7

β










3.8









Xulosa: Umumiy emitter sxemasini chizdim va ulangan bipolyar tranzistorda yasalgan sodda kuchaytirgich bosqichi parametrlarini o‘lchashni o’rgandim.

Yüklə 0,94 Mb.

Dostları ilə paylaş:
1   2   3   4   5   6   7   8




Verilənlər bazası müəlliflik hüququ ilə müdafiə olunur ©azkurs.org 2024
rəhbərliyinə müraciət

gir | qeydiyyatdan keç
    Ana səhifə


yükləyin