Axborot texnalogiyalari va kommunikatsiyalarni rivojlantirish vazirligi muhammad al xorazmiy nomidagi toshkent axborot

O‘zgarmas kuchlanish sathini siljituvchi sxema, 
ko‘p kaskadli o‘zgarmas 
tok kuchaytirgichlarda kaskadlarni kuchlanish bo‘yicha o‘zaro muvofiqlashtirishda 
keng qo‘llaniladi. Bunday sxemalar 
sath translyatorlari 
deb ham ataladi. Ular 
navbatdagi kaskad kirishidagi signalning o‘zgarmas tashkil etuvchisini siljitishi va 
o‘zgaruvchan tashkil etuvchisini buzmasdan uzatishi kerak. 
)
/
exp(
0
Т
БЭ
Э
U
I
I

=
2
1
Э
Э
I
I
=
2
1
1
Б
Э
I
I
I
+
=
2
2
2
2
Б
Э
K
I
I
I
I
−
=
=
2
1
2
2
Б
I
I
I
−
=

---

Eng sodda sath siljituvchi sxema bo‘lib emitter qaytargich xizmat qiladi. 
Uning chiqish (emitter) potensiali sathi baza potensiali sathidan 
U
* 
kattalikka past 
bo‘lib, signal
1 koeffitsiyent bilan uzatiladi.
U
* 
kattalik ochiq o‘tish kuchlanishi deb ataladi. Gap shundaki, normal tok 
rejimida (to‘g‘ri toklar 
I
=10
-3
÷10
-4
A oralig‘ida bo‘lganda), kremniyli 
r – n 
o‘tishdagi kuchlanish 0,65÷0,7V bo‘ladi. Mikrorejimda esa (toklar 
I
=10
-5
÷10
-6
A 
bo‘lganda), kuchlanishning mos o‘zgarishlari 0,52÷0,57V bo‘ladi. 
Shunday qilib, toklar diapazoniga bog‘liq holda to‘g‘ri kuchlanishlar bir oz 
farqqiladi, lekin diapazon oralig‘ida ularni o‘zgarmas deb hisoblash va parametr 
sifatida olish mumkin. Xona temperaturasi uchun normal rejimda 
U
*
=0,7V, 
mikrorejimda esa 
U
*
=0,5V deb qabul qilingan. 
Agar kuchlanish sathini 2
U
* 
martaga pasaytiirish kerak bo‘lsa, uholda, 
kuchlanish qaytargichning emitter zanjiriga to‘g‘ri siljitilgan diod ulanadi. 
Kuchlanish sathi 
U
*
ga marta bo‘lmagan miqdorda siljitilishi zarur bo‘lsa, BTGdan 
foydlanishga asoslangan sath siljituvchi universal sxemadan foydalaniladi. Busxema 3.8-
rasmda keltirilgan. 
Sxemada BTG VT tranzistor emitter zanjiriga ulangan bo‘lib, uning bazasi 
avvalgi kaskad chiqishi bilan bevosita ulangan. VT tranzistorning emitter potensiali 
I
0
· 
R 
qiymatga pasayadi. Natijada, A nuqtaning potensiali qanday bo‘lishidan qat’iy 
nazar, V nuqtaning potensiali 
. (3.8) 
Berilgan 
U
A 
da 
U
BE
ning qiymati 
I
0 
tok qiymatiga mos bo‘ladi va natijada, 
R 
ning shunday qiymatini tanlash mumkinki, 
U
V 
ning qiymati avvaldan belgilangan 
qiymatga mos bo‘lsin. 

U
K
0
RI
U
U
U
БЭ
A
B
−
−
=

---

3.8-rasm. Kuchlanish sathini siljituvchi universal sxema.
Sxemaning chiqishidagi signal (V nuqta) kirishdagi (A nuqta) signalni 
qaytarishiga ishonch hosil qilish qiyin emas. (3.8) ifoda asosida 
I
0 
= const bo‘lgani 
uchun 
bo‘ladi. Baza potensialinig o‘zgarishi 
U
BE 
qiymatini o‘zgartira olmaydi, chunki tranzistor 
emitteri potensiali amalda shu ondayoq baza potensiali o‘zgarishiga mos keladi. Natijada, 
=0 va 
bo‘ladi. BTGning dinamik qarshiligi 
R
i
=∞ bo‘lsagina, yuqoridagi 
ifoda o‘rinli bo‘ladi. 
R
i 
ning qiymati odatda, 100 kOm÷1 MOm, 
R 
esa 1÷2 kOm bo‘ladi. 
Shuning uchun signal uzatish koeffitsiyenti birga yaqin bo‘ladi. 
Barqaror tok generatori yoki manbai (BTG) katta nominalga ega bo‘lgan 
rezistorning elektron ekvivalenti hisoblanadi. BTG qarshiligi R
Yu 
yuklamaga ketma 
– ket ulangan maksimal bo‘lishi mumkin bo‘lgan qarshilikdan ancha katta bo‘lishi 
kerak. Bu vaqtda BTG yuklamadan kattaligi uning qarshiligi va boshqa ta’sirlarga 
bog‘liq bo‘lmagan tok oqib o‘tishini ta’minlaydi. Ma’lumki, qarshiligi birlik 
Momga teng bo‘lgan rezistorlarni integral sxema ko‘rinishida yasash mumkin emas. 
3.9a - rasmda BTG prinsipial sxemasi keltirilgan. 
БЭ
B
A
U
U
U

−

=

БЭ
U

B
A
U
U

=


---

 
3.9 – rasm. BTG prinsipial sxemasi.
Bu yerda Yu elementi nochiziqli yuklama, E
1 
– barqarorlangan kuchlanish 
manbaini bildiradi. Rezistor R0, hamda diod ulanish sxemasidagi VT1 tranzistor
VT2 tranzistor sokinlik rejimini ta’minlash vabar qarorlash uchun hizmat qiladi. 
VT2 uchun ishchi nuqta uning chiqish xarakteristikasining 
pologoy
qismida 
joylashadi (UB sxemadagi BT chiqish xarakteristikasi rasmiga qarang). 
UB ulanish sxemasida tranzistor juda katta chiqish differensial qarshiligiga 
ega bo‘ladi (birlik Mom gacha). Ulanish sxemasiga ko‘ra ikkala 
Tranzistorning ham baza – emitter kuchlanishlari U
BE 
bir xil bo‘ladi. I
B2 
toki
I
E2 
tokidan yuz martaga kichik. Shu sababli, bu tokni hisobga olmasak, I
E1
= I
E2
ga 
teng bo‘ladi, demak I
2
= I
1
. Natijada I
2 
chiqish toki I
1 
tokni aks ettiradi. I
2 
toki 
deyarli VT2 tranzistor kollektor o‘tishidagi kuchlanishga bog‘liq bo‘lmaganligi 
sababli, Ye
2 
kuchlanish yoki yuklamadagi qarshilik qiymatlari o‘zgarsa ham bu tok 
qiymati deyarli o‘zgarmas qoladi. 
Kirish toki I
1 
ni o‘zgartirib, chiqish toki I
2
ni boshqarish mumkin.
Buning uchun tranzistorlarning emitter zanjirlariga R
1
va R
2 
rezistorlar ulanadi. 
Bunday qurilma aktiv tok transformatori deb ataladi (3.9b -rasm). 3.9b – rasmdan 
quyidagi tengsizlik kelib chiqadi: 
𝑈
1
+ 𝐼
𝐸1
𝑅
1
= 𝑈
2
+ 𝐼
𝐸2
𝑅
2

---

Agar R
1 
va R
2 
qarshiliklar nominallari bilan farq qilsalar, uholda I
2 
tok I
1 
tokni yoki “kattalashgan” yoki “kichraygan” masshtabda “aks ettirishi” mumkin.