2-mavzu. Ims tayyorlash texnologiyasi. Ims aktiv va passiv elementlari



Yüklə 118,6 Kb.
səhifə4/13
tarix10.05.2022
ölçüsü118,6 Kb.
#57175
1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   13
2 (1)

Integratsiya koeffitsiyenti

K qiymati

Elementlar soni

IMS nomi

1

< 1

10 tagacha

oddiy

2

1 < K ≤ 2

11÷100

o‘rtacha (O‘IS)

3

2 < K ≤ 4

101÷10 000

katta (KIS)

4-5

≥ 4

> 10 000

o‘ta katta (O‘KIS)

Oddiy IMSlarga misol sifatida mantiq elementlarni ko‘rsatish mumkin. O‘ISlarga jamlash qurilmasi, schetchiklar, operativ xotira qurilmalari (OXQ), sig‘imi 256-1024 bit bo‘lgan doimiy xotira qurilmalari (DXQ) misol bo‘la oladi. KISlarga mantiqiy-arifmetik va boshqaruvchi qurilmalar kiradi. O‘KISlarga 1,9 milliard MDYa – tranzistorlardan tashkil topgan, sig‘imi 294 MB bo‘lgan xotira mikrosxemalari misol bo‘la oladi.

Kristalldagi elementlar joylashuvining zichligi – birlik yuzaga to‘g‘ri keluvchi elementlar soni IS konstruksiyasi va texnologiyasi sifatining muhim ko‘rsatkichi hisoblanadi. Texnologiya darajasi minimal texnologik o‘lcham, ya’ni erishish mumkin bo‘lgan eng kichik o‘lcham bilan ifodalanadi, masalan, emitter kengligi, o‘tkazgichlar kengligi, ular orasidagi masofa bilan xarakterlanadi.

IMSlar ishlab chiqarish texnologiyasini mukammallashtirish jarayonida minimal texnologik o‘lcham Δ ning yillar bo‘yicha o‘zgarishi 2.2-jadvalda keltirilgan.

2.2-jadval


Yüklə 118,6 Kb.

Dostları ilə paylaş:
1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   13




Verilənlər bazası müəlliflik hüququ ilə müdafiə olunur ©azkurs.org 2024
rəhbərliyinə müraciət

gir | qeydiyyatdan keç
    Ana səhifə


yükləyin