D. R. Djurayev, A. A. Turayev, sh sh. Fayziyev, B. A. Hikmatov

Toza yarimo’tkazgich materiallar olish.
 
Alohida toza yarimo’tkazgich 
materiallarni olish usullari juda ko’p. Biroq ularni eng samarali va ko’p 
qo’llaniladigani zonali suyultirish usulidir. Kristallizatsion tozalov kirishmalami 
segregatsiya hodisalari, ya’ni kirishmalarni suyuq va qattiq fazalarda eruvchanligi 
bir xil bo’lmasligiga asoslangan. Qattiq va suyuq fazalarda kontaktlanuvchi 
kirishmalar konsentratsiyasining nisbati taqsimot koeffitsiyenti deyiladi. Taqsimot 
koeffitsiyentining qiymati yarimo’tkazgich kirishmaning holat diagramasidan 
aniqlanadi. Bunda kirishma komponentini kiritish natijasida toza moddaning erish 
temperaturasi kamaysa, unda kirishmaning taqsimot koeffitsiyenti birdan kichik.

---

161 
Amalda bunday holat keng tarqalgan. Misol tariqasida, germaniy va kremniy 
juda ko’pchilik kirishmalarning taqsimot koeffitsiyenti birdan kichik. Shuning 
uchun yo’nalishli kristallanishda ular eritma hajmidan fazalar oralig’i chegaradan 
samarali qochadi. Germaniyni zonali tozalash jarayoni vodorod, inert gazlar yoki 
inert gaz bilan vodorod aralashmasi atmosferasida o’tkaziladi. Tozalashga 
qo’yilgan quyma grafit qayiqchaga o’rnatilib, uni uzluksiz himoya gazi o’tib 
turgan kvarts trubaga joylashtiriladi.
 
Yuqori chastotali generator bilan ta’minlangan indikator yordamida kengligi 
40-50 mm bo’lgan suyulgan kichik zona olinadi va tezligi 50-100 mkm/s bo’lgan 
aravacha quyma bo’ylab harakatlanadi. Quyma uzunligi 1000 mm va undan uzun 
bo’lishi mumkin. Talab darajasidagi tozalik bir yo’nalishga aravachani 5 - 8 marta 
o’tkazish bilan erishiladi. O’tishlar sonini oshirish bilan tozalik oshib ketmaydi, 
chunki qotishmadan va o’rab turgan atmosferada vaqt o’tishi bilan kirishmalarni 
kirish ehtimoligi oshib ketadi. Tozalov jarayonini tezlashtirish uchun quyma 
uzunligi bo’yicha suyultirish zonasini bir necha joyda hosil qilinadi. Bu holda 
qizdirgichni bitta o’tkazish bir necha o’tishga farqlanadi. Zonali suyultirishda 
taqsimot koeffitsiyenti birdan kichik bo’lgan kirishmalar suyuq zonada ushlanib 
qoladi va u bilan birga quymani dumi tomon to’planib qoladi. Jarayon tugagandan 
so’ng quymani dumi kesib olinadi. Quymani sifati materialning solishtirma 
qarshiligini o’lchash bilan amalga oshiriladi. 
Yarimo’tkazgichli 
toza 
kremniyni 
olish 
texnologiyasiga 
quyidagi 
operatsiyalar kiradi:
1. Texnik kremniyni tozalovdan so’ng tiklanishi mumkin bo’lgan uchuvchi 
birikmaga aylantirish;
2. Birikmani fizik va kimyoviy tozalash; 
3. Birikmani ajralgan toza kremniy bilan tiklanishi;
4. Oxirgi kristalizatsion tozalash. 
Yarimo’tkazgichlar ishlab chiqarishda polikristal kremniy olishning keng 
tarqalgan usullaridan trixlorsilan 
ni vodorodli tiklanishidir. Trixlorsilan 

---

162 
ni olish uchun 300-400 °C temperaturada maydalangan texnik kremniy 
quruq vodorod xloridda ishlovdan o’tkaziladi. Trixlorsilanning qaynash 
temperaturasi 320 °C dir. Shuning uchun u ekstraksiya, adsorbsiya va rektifikatsiya 
usullari bilan oson tozalanadi. Kremniyni vodorodli tiklanishi quyidagi sxema 
bo’yicha olib boriladi. Vodorod oqimi yordamida tozalangan xlorsilan bug’i 
bug’lantirgichdan tiklanish kamerasiga o’tkaziladi. Kamerada toza kremniydan 
tayyorlangan xamirturish maxsus tok o’tkazgichlar joylashgan. Bu tayoqchalar 
elektr toki yordamida 1200-1300 °C temperaturagacha qizdiriladi. Xamirturushga 
ajralgan kremniyning o’tirishi kerakli diametrdagi toza polikristalini beradi. 
Yarimo’tkazgichli monokristallar yarimo’tkazgichli asboblar va integral 
mikrosxemalarni yaratilishida katta ahamiyatga ega bo’lgan va bo’lib qolmoqda. 
Qatlamni legirlash kirishma elementini tashkil etuvchi bug’ birikmalari yordamida 
amalga oshiriladi. Nisbatan uncha yuqori bo’lmagan ishchi temperatura va 
kristallanishni kichik tezligi epitaksial qatlamni yuqori tozalikda va takomillashgan 
strukturani olish imkonini beradi. Elektron-kovak o’tishli epitaksial qatlamni olish 
integral mikrosxemalarni izolyatsiyalash (ajratish) uchun keng qo’llaniladi. 
Ko’pchilik xollarda integral mikrosxemalarni tayyorlashda kremniyli ipilaksial 
qatlamlari monokristal dielektrik tagliklarga ham o’tqaziladi. Bunday tagliklar 
sifatida: sapfir (
), shpinel (MgO), berilliy oksidi BeO), kvarts (Si
) va 
boshqa moddalardan ham foydalaniladi.