Rvama fakulteti dekani: X

2. Aripov X.K., Abdullayev A.M., Alimova N.B., Bustanov X.X., Toshmatov Sh.T. Sxemotexnika. Darslik. T.: Tafakkur bo’stoni, 2013. 447 b.
3. Aripov X.K., Abdullayev A.M., Alimova N.B., Bustanov X.X., Toshmatov Sh.T. Raqamli mantiqiy qurilmalarni loyihalashtirish. Darslik. T.: Aloqachi, 2017. 396 b.
Qiyinlik darajasi – 3

ME tezkorligini oshirish muammosi Philips va IBM firmalari tomonidan BT asosida ………….. negiz elementi yaratilishiga sabab bo’ldi.

integral –injektsion mantiq

tranzistor – tranzistorli mantiq

emitterlari bog’langan mantiq

murakkab tranzistor – tranzistorli mantiq

№ 146.

Manba: 1. Aripov X.K., Abdullayev A.M., Alimova N.B., Maxsudov J.T., Tulyaganov A.A., Toshmatov Sh.T. Elektronika va sxemotexnika. Darslik. T.: Aloqachi, 2017. 376 b.
2. Aripov X.K., Abdullayev A.M., Alimova N.B., Bustanov X.X., Toshmatov Sh.T. Sxemotexnika. Darslik. T.: Tafakkur bo’stoni, 2013. 447 b.
3. Aripov X.K., Abdullayev A.M., Alimova N.B., Bustanov X.X., Toshmatov Sh.T. Raqamli mantiqiy qurilmalarni loyihalashtirish. Darslik. T.: Aloqachi, 2017. 396 b.
Qiyinlik darajasi – 2

Statik holatda KMDYA-tranzistorlarda bajarilgan elementlar quvvat iste’mol ……

qilmaydi

qiladi

juda ko`p talab qiladi

ko`p talab qiladi

№ 147.

Manba: 1. Aripov X.K., Abdullayev A.M., Alimova N.B., Maxsudov J.T., Tulyaganov A.A., Toshmatov Sh.T. Elektronika va sxemotexnika. Darslik. T.: Aloqachi, 2017. 376 b.