Elektronika va sxemotexnika


 Differensial kuchaytirgichlar



Yüklə 1,87 Mb.
Pdf görüntüsü
səhifə78/110
tarix02.01.2022
ölçüsü1,87 Mb.
#47885
1   ...   74   75   76   77   78   79   80   81   ...   110
Elektronika va sxemotexnika

5.6. Differensial kuchaytirgichlar 
 
Differensial  kuchaytirgich  (DK)  deb  ikki  kirishga  ega  bo‗lgan 
kuchaytirgichga  aytiladi.  Uning  chiqishidagi  signal  kirish  signallari  farqiga 
proporsional bo‗ladi. 
 
53 –  rasmda  sodda simmetrik  DK  sxemasi  keltirilgan. Kuchaytirgich ikkita 
simmetrik  yelkaga  ega  bo‗lib,  birinchi  yelka  VT1  tranzistor  va  R
K1
  rezistordan, 
ikkinchi  yelka  esa  VT2  tranzistor  va  R
K2
  rezistordan  tashkil  topgan.  Sxemaning 
dastlabki  ish  rejimi  I
E
  toki  yordamida  ta‘minlanadi.  Bu  tokning  barqarorligi  esa 
barqaror tok generatori (BTG) tomonidan ta‘minlanadi. 


 
 
79 
79 
 
 53 – rasm. 
Mazkur  sxema  50  –  rasmdagi  sxemaga  aynan  o‗xshashligini  kuzatish 
mumkin.    Buning  uchun  R2  va    R3  rezistorlarni  VT1  va  VT2  tranzistorlar  bilan 
almashtirish    va  R1=  R
K1
,  R4=  R
K2
  deb  hisoblash  kerak.  Agar  R
K1
  va    R
K2 
qarshiliklar bir – biriga teng bo‗lsa va VT1 tranzistor parametrlari  VT2 niki bilan 
bir xil bo‗lsa, u holda bu sxema simmetrik bo‗ladi. 
Amaliyotda  to‗rtta  ulanish  sxemalardan  ixtiyoriy  biridan  foydalanish 
mumkin:  simmetrik  kirish  va  chiqish,  simmetrik  kirish  va  nosimmetrik  chiqish, 
nosimmetrik kirish va simmetrik chiqish, nosimmetrik kirish va chiqish. Simmetrik 
kirishda  kirish  signali  manbai  DK  kirishlari  orasiga  (tranzistorlarning  bazalari 
orasiga) ulanadi. Simmetrik chiqishda yuklama qarshiligi DK chiqishlari oralig‗iga 
(tranzistorlarning kollektorlari orasiga) ulanadi. 
Shuni ta‘kidlash kerakki, DK  kuchlanishlari qiymati (moduli bo‗yicha) bir – 
biriga  teng  bo‗lgan  ikkita  manbadan  ta‘minlanadi.  Ikki  qutbli  manbadan 
ta‘minlanish  sokinlik  rejimida  umumiy  shinagacha  tranzistor  baza  potensiallarini 
kamaytirishga imkon beradi. Bu holat  DK kirishlariga signallarni qo‗shimcha sath 
siljitish qurilmalarini kiritmasdan uzatishga imkon yaratadi. 
Ikkala  yelka  ideal  simmetrikligida  kirish  signallari  mavjud  bo‗lmaganda 
(
1
КИР
U
=0, 
2
КИР
U
=0) kollektor toklari va tranzistorlarning kollektor potensiallari bir 
xil  bo‗ladilar,  chiqish  kuchlanishi  esa 
2
,
1
ЧИК
U
=0.  Sxema  simmetrik  bo‗lganligi 
sababli,  tranzistor  xarakteristikasining  sabablarga  bog‗liq  bo‗lmagan  ravishda 
ixtiyoriy  o‗zgarishi,  ikkala  yelka  toklarinig  bir  xil  o‗zgarishiga  olib  keladi.  Shu 
sababli sxema balansi buzilmaydi va chiqish kuchlanishi dreyfi deyarli nolga teng 
bo‗ladi. 
DK  ikkala  kirishiga  fazasi  va  amplitudalari  bir  xil  bo‗lgan  signal  (sinfaz 
signal) berilsa 
1
КИР
U
=
2
КИР
U
, yelkalarning simmetrikligi  va BTGning mavjudligi 
tufayli kollektor toklari o‗zgarmaydi va ular o‗zgarishsiz va bir - biriga tengligicha 
qoladi. 
Э
K
K
I
I
I

5
,
0
2
1


 
bu yerda 

- emitter tokining uzatish koeffisienti. 
Demak,    kollektor  potensiallari  tengligicha  qoladi,  chiqish  kuchlanishi  esa 
0
2
1



K
K
ЧИК
U
U
U
. Bu deganiki, idel DK sinfaz kirish signallariga sezirsiz.   


 
 
80 
80 
Agar  kirish  signallari  amplitudasi  bo‗yicha  bir  xil,  lekin  fazalari  qarama  – 
qarshi  bo‗lsa,  u  holda  ular  differensial  deb  ataladi.    Differensial  signal  ta‘siri 
natijasida  bir  yelkadagi  tok  ikkinchi  yelkadagi  tok  kamayishi  hisobiga  ortadi 
2
1
Э
Э
I
I




,  chunki  toklar  yig‗indisi  doim 
)
(
2
1
Э
Э
Э
Э
I
I
I
I


.  Bir  tranzistor 
kollektori  potensiali  kamayadi,  ikkinchisiniki  esa  xuddi  shu  qiymatga  kamayadi. 
DK  chiqishida  potensillar  farqi  hosil  bo‗ladi,  demak,  chiqish  kuchlanishi 
2
1
2
,
1
ЧИК
ЧИК
ЧИК
U
U
U



Umumiy  emitter  ulanish  sxemasida  ishlaydigan  kuchaytirgich  tahlili 
natijalaridan foydalangan holda, differensial signal (simmetrik kirish va chiqishga 
ega bo‗lgan) ning kuchaytirish koeffisienti qiymatini olamiz  
 
)
//
(
КЭ
K
U
r
R
S
K


 
 
Ideal  DKlarda  sinfaz  signallarni  so‗ndirish  natijasida  nol  dreyfi  mavjud 
bo‗lmaydi. Turli temperatura o‗zgarishlari, shovqinlar va 
navodkalar 
sinfaz signal 
bo‗lishi  mumkin.  Real  DKlarda  yelkalarning  absolyut  simmteriyasiga  erishish 
mukin emas, shuning uchun nol dreyfi mavjud bo‗lib, u juda kichik qiymatga ega 
bo‗ladi.  Differensial  kirishda,  ya‘ni  kirish  simmetrik  bo‗lganda,  DK  kirish 
qarshiligi  sxemaning  chap  va  o‗ng  yelkalari    kirish  qarshiliklari  yig‗indisiga 
2
1
КИР
КИР
R
R

teng bo‗ladi, chunki bu qarshiliklar signal manbaiga nisbatan ketma – 
ket ulanadi. Shunday qilib, 
КИР
КИР
КИР
КИР
r
R
R
R
2
2
1
12



, bu yerda 
КИР
r
- UE sxemasida 
ulangan tranzistorning kirish qarshiligi. 
КИР
r
 kattaligi tranzistorning sokinlik toki 
Ib  ga  bog‗liq  bo‗ladi.  Shuning  uchun  kirish  signalini  oshirish  uchun 
kuchaytirgichni kichik toklar rejimida ishlatish kerak.  
Differensial  kuchaytirgichning  kuchaytirish  koeffisienti  kirish  signallar 
generatorining ulanish va chiqish signalining o‗lchanish  usuliga bog‗liq. 
DK  kuchaytirish  koeffisienti  simmetrik kirishda ham, nosimmetrik kirishda 
ham bir xil bo‗ladi. 
Nosimmetrik  chiqishda  yuklama  qarshiligi  bir  uchi  bilan  bir  tranzistor 
kollektoriga,  ikkinchi  uchi  bilan  esa  –  umumiy  shinaga  ulanadi.  Bu  vaqtda  K
U
 
simmetrik chiqishdagiga nisbatan 2 martaga kichik bo‗ladi. 
Yuklama  qarshiligi  ikkinchi  chiqish  va  umumiy  shina  oralig‗iga  ulangan 
bo‗lsin. Agar kirish signali 1 kirishga uzatilsa, u holda chiqish signali fazasi  kirish 
signali fazasiga  mos keladi. Bu vaqtda 1 kirishga ―inverslamaydigan‖ kirish nomi 
beriladi. Agar kirish signali 2 kirishga uzatilsa, u holda chiqish va kirish signallari 
fazasi  bir  –  biriga  qarama  –qarshi  bo‗ladi  va  2  kirish  ―inverslaydigan‖  kirish  deb 
ataldi. 
Kichik  kirish  toklariga  ega  bo‗lgan  maydoniy  tranzistorlar  qo‗llash 
natijasida  differensial  kuchaytirgich  kirish  qarshiligini  sezilarli  oshirish  mumkin. 
Bu  vaqtda  r–n  bilan  boshqariladigan  maydoniy  tranzistorlarga  katta  e‘tibor 
qaratiladi.  r–n  bilan  boshqariladigan,  kanali  n–turli  maydoniy  tranzistorlarda 
bajarilgan DK sxemasi 54 – rasmda keltirilgan. Barqaror tok generatori VT3 va R
I
 


 
 
81 
81 
da  bajarilgan.  R
SIL1
  i  R
SIL2
  rezistorlari  VT1  va  VT2  tranzistor  zatvorlariga 
boshlang‗ich siljishni berish uchun mo‗ljallangan. 
 
 
 54 – rasm. 
 

Yüklə 1,87 Mb.

Dostları ilə paylaş:
1   ...   74   75   76   77   78   79   80   81   ...   110




Verilənlər bazası müəlliflik hüququ ilə müdafiə olunur ©azkurs.org 2024
rəhbərliyinə müraciət

gir | qeydiyyatdan keç
    Ana səhifə


yükləyin