Elektronika va sxemotexnika



Yüklə 1,87 Mb.
Pdf görüntüsü
səhifə86/110
tarix02.01.2022
ölçüsü1,87 Mb.
#47885
1   ...   82   83   84   85   86   87   88   89   ...   110
Elektronika va sxemotexnika

KIR
= U
0
 va  U
KIR
= U
1
 larga mos keluvchi kirish toklari I
0
KIR
 va I
1
KIR
 
-  xalaqitlarga  bardoshligi  –  yuqori  U
1
XAL
  va  past  U
0
XAL 
kirish  kuchlanish 
darajasi bo‗yicha mumkin bo‗lgan maksimal xalaqit kuchlanish qiymati; 
-  manbadan iste‘mol qilinayotgan quvvat R; 
-  Ye
M
 kuchlanish va I
M
 tok manbalari; 
-  «0»  holatdan  «1»  holatga,  yoki  aksincha  o‗tishdagi  qayta  ulanish 
kechikish vaqti; 
-  qayta ulanishlarning (tezkorlik) o‗rtacha kechikish vaqti - 0,5

(t
0
K
  + t
1
K
)
Zamonaviy statik tizimlarning asosiy negiz elementi bo‗lib Shottki diodlari  
qo‗llanilgan  TTM,  I
2
M,  EBM,  MDYa  –  tranzistorlarda  (yoki  r  –  kanalli  MDYa, 
yoki  n  – kanalli  MDYa)  yasalgan  mantiq,  komplementar  MDYa  –  tranzistorlarda 
(KMDYa) yasalgan mantiq  elementlari hisoblanadi. 
Raqamli integral mikrosxema negiz elementlariga qo‗yiladigan asosiy talab 
– ularninng tezkorligi, kichik sochilish quvvati, katta  joylashtirish zichligi (yagona 
kristall  sirtida  joylashgan  elementlar  soni)  va  tayyorlanishni  texnologikligi 
hisoblanadi. 
Yuqorida  sanab  o‗tilgan  negiz  elementlar,  u  yoki  bu,  yoki  bir  necha 
parametrlariga  ko‗ra  bir  –  biridan  ustun  tursa,  boshqa  parametrlariga  ko‗ra 
yomonroq hisoblanadi.  
IMS  negiz  mantiqiy  elementi  asosi  bo‗lib,  qayta  ulagichlar  sifatida 
qo‗llaniladigan  biror  elektron  kalit  hizmat  qilishi  mumkin.  Qayta  ulagichlar 
sifatida  qo‗llaniladigan  yarim  o‗tkazgichli  asboblarga  quyidagi  umumiy  talablar 
qo‗yiladi: birdan katta bo‗lgan kuchaytirish koeffisienti; axborot uzatish tizimining 
bir  tomonlamaligi;  kirish  va  chiqish  bo‗yicha  katta  tarmoqlanish  koeffisientlari; 
qayta ulanishlarning katta tezligi; kichik iste‘mol quvvati. Elektron kalitlar sifatida 
kremniyli  bipolyar  va  maydoniy  tranzistorlar  qo‗llaniladi.  Maydoniy 
tranzistorlarda  bajarilgan  kalitlar  kichik  sochilish  quvvatiga  ega  bo‗lsalar,  bir 
vaqtning  o‗zida  bipolyar  tranzistorlarda  bajarilgan  elektron  kalitlarning 
qo‗llanilishi ularning tezkorligini oshirishga imkon yaratadi. 
 
 


 
 
90 
90 

Yüklə 1,87 Mb.

Dostları ilə paylaş:
1   ...   82   83   84   85   86   87   88   89   ...   110




Verilənlər bazası müəlliflik hüququ ilə müdafiə olunur ©azkurs.org 2024
rəhbərliyinə müraciət

gir | qeydiyyatdan keç
    Ana səhifə


yükləyin