Йарымкечириъи диодларын тяснифаты

4. Güc tranzistorlarının iş rejimlərinin xüsusiyyətləri. Güc tranzistorlarını adətən, hüdud parametrlərinə kifayət qədər yaxın olan iş rejimlərində istifadə etmək lazım olur. Əks hallarda güc qurğularının qiyməti, çəkisi və qabarit ölçüləri olduqca böyük alınır.
Güc tranzistorunun əsasını təşkil edən silisium kristalının temperaturu 200^oC-yə və daha çox çata bilər. Əsas güc kollektor keçidində ayrılır və ona görə də bu keçidin temperaturu ən yüksəkdir. Kollektor keçidinin maksimal yol verilə bilən temperaturu sorğu kitablarında verilir və istiliyə görə hesabatlarda istifadə olunur.
Bir sıra güc elektronikası qurğularında, məsələn, güc gücləndiricisində tranzistor aktiv rejimdə işləyirlər. Bu halda tranzistordan axan cərəyan və onda düşən gərginlik çox olduğundan, onda səpələnən güc çox olur və nəticədə qurğunun faydalı iş əmsalı azalır, həm də tranzistorun soyudulmasında problemlər yaranır.
Güc itkilərinin azaldılmasının ən effektiv yolu tranzistorun sxemdə açar rejiminə keçirilməsidir. Bu halda tranzistor uzun müddət ya bağlı, ya da açıq rejimdə olur. Nəticədə uyğun olaraq, ya tranzistordan axan cərəyan, ya da onda düşən gərginlik praktiki sıfıra yaxın olur. Ona görə də hər iki halda kollektorda ayrılan güc çox az olur. Yalnız qısa zaman müddətlərində tranzistor bir rejimdən o birinə keçdikdə ayrılan güc çox olur. Lakin orta güc yenə az olur, və tranzistorun cəldişləmə qabiliyyəti nə qədər çox, və rejimin dəyişmə sürəti nə qədər az olsa, orta güc də bir o qədər az olur.
Güc tranzistorları, əsasən açar rejimində işləmək üçün nəzərdə tutulur. Ona görə də onlar üçün aşağıdakı parametrlər vacibdir:

• 
  U_ke.d_oy. - doyma rejimində verilmiş kollektor və baza cərəyanlarında kollektor və emitter arasındakı gərginlik;
  
• 
  Sürətli işləmə qabiliyyətini, o cümlədən, qoşulma və açılma zamanlarını müəyyən edən parametrlər.
  

4.1. Tranzistorların deşilməsi. Adətən, tranzistorun deşilməsi dedikdə, onun kollektor p-n - keçidinin deşilməsi nəzərdə tutulur. Düzdür prinsipial olaraq emitter p-n - keçidinin deşilməsi də mümkündür. Ancaq çox hallarda emitter keçidinin deşilməsinin qarşısının alınması daha az mürəkkəbliyə malik olduğundan kollektor keçidinin qorunması daha böyük əhəmiyyət kəsb edir. Kollektor və emitter keçidləri güclü qarşılıqlı əlaqədə olduqlarından, kollektor
keçidinin deşilməsinin inkişafı prosesinə emitter keçidinin iş rejimi (yəni baza emitter dövrəsinin iş rejimi) güclü təsir edir.
Tranzistorlarda diodun p-n - keçidinin deşilməsinə analoji olan və ilkin deşilmə adlanan adi deşilmə və nisbətən mürəkkəbliyi ilə seçilən ikinci deşilmə baş verə bilər.
Ən geniş istifadə olunan sxem ümumi emitterli qoşulma sxemi olduğundan, ilkin deşilmə zamanı ən geniş yayılmış deşilmə mexanizmləri olan selvari və istilik deşilmələri baş verə bilər. Adətən, əvvəl selvari deşilmə baş verir, hansı ki, sonradan öz növbəsində istilik deşilməsinə keçə bilər. Kəsmə rejimində kifayət qədər aşağı temperaturda işləyən tranzistorda adətən, selvari deşilmə baş verir.
Şəkil 4.3-də verilmiş qırılmış emitterli sxem adlanan ümumi bazalı tranzistorlu elektron açarında əsasən kollektor keçidi istifadə olunur. Bu sxemdə kəsmə rejimi onunla təmin olunur ki, emitter kənar dövrələrdən ayrılıb və emitter cərəyanı sıfıra bərabərdir.
Ona görə də emitter keçidi sxemin iş rejiminə təsir etmir və deşilmə rejiminin analizi sadələşir. Bu sxemdə kollektor keçidinin deşilməsi tamamilə diodun p-n - keçidinin deşilməsinə analojidir.

Şək. 4.3.

Baxılan sxemdə emitter keçidi kollektorun iş rejiminə təsir etmədiyindən baxılan sxemdə tranzistor ən çox E_k gərginliyinə tab gətirir.

Kəsmə rejimi bazanın kənar dövrələrdən ayrılması hesabına təmin olunan ümumi emitterli sxemi şək. 4.4.-də verilmişdir. Belə sxem qırılmış bazalı sxem adlanır və bu sxemdə kollektor keçidi ilə emitterin qarşılıqlı əlaqəsi özünü tam şəkildə büruzə verir. Baxılan sxemdə i_k=I'_k0, belə ki,
I'ko=(fist+1) ■ Iko >> Iko ■
Qeyd etmək lazımdır ki, bu nəticə formal olaraq ümumi bazalı sxemdəki keçidlərin qarşılıqlı təsirini əks etdirən və tranzistorun cərəyanlarını əlaqələndirən i_k=a_st- i_e +I'_k0 ifadəsinin əsasında alınır.