Laboratoriya iŞİ №1

LABORATORİYA İŞİ № 1

YARIMKEÇİRİCİ DİODUN TƏDQİQİ.


Nəzəri məlumat


P-N keçidinə xarici gərginlik tətbiq olunmadıqda. Bir tərəfi tipli, digər tərəfi tipli keçiriciliyə malik olan iki qonşu yarımkeçirici sahəsinin təmas (kontakt) sərhədinə elektron - deşik keçidi və ya p-n keçid deyilir. Əsl keçid vahid yarımkeçirici lövhədə bu və ya başqa üsulla p və n təbəqələri arasında kifayət qədər kəskin sərhəd yaratmaqla əldə edilir.





Şəkil 1.1. P-N keçidinin struktur sxemi.

Şəkildəki oxlarla göstərildiyi kimi, p-n keçidin yaxınlığındakı elektronların və deşiklərin kristalın digər tərəfinə keçməsi qanunauygunluqları var. Bu hadisə diffuziya hadisəsi adlanır. Deşiklərin və elektronların rekombinasiyası hərəkət edən yük daşıyıcılarından azad olan zonanın yaranmasına səbəb olur.

Şəkil 1.2. P-N keçidində qadağan olunmuş zona.

İzolyator kimi fəaliyyət göstərən bu zona maneə keçidi və ya qadağan olunmuş zona adlanır. (şəkil 1.2). Bu, keçid sərhəd boyunca deşiklərin və ya elektronların yayılmasının qarşısını alır.

Bu fəza yükləri (şəkil 1.3,a) keçiddə, (şəkil 1.3,c) potensial fərqi, diffuziya gərginliyini yaradan güclü elektrik sahəsi (şəkil 1.3,b) əmələ gətirir.
Diffuziya gərginliyi temperaturda silisium üçün və germanium üçün –dur.



Şəkil 1.3. P-N keçidinin strukturu


P-N keçidinə əks istiqamətdə gərginlik tətbiq etdikdə.





Şəkil 1.4. P-N keçidinə əks istiqamətdə gərginlik
tətbiq etdikdə
Gərginlik mənbəyinin mənfi çıxışı yarımkeçirici diodun -tipli sahəsinə, müsbət çıxışı isə onun -tipli sahəsinə qoşulduqda əks qoşulma adlanır. Əks gərginlik tətbiq olunduqda, keçidin sahəsi daha da genişlənir, çünki hərəkətli yük daşıyıcılarından bəziləri əks yüklü gərginlik mənbəyi çıxışı tərəfindən cəzb olunur (şəkil 1.4).