Mavzu : Operatsion kuchaytirgichlarning tuzilishi. Reja :
Uch kaskadli Operatsion kuchaytirgichlar.
Barqaror tok generatori.
K544UD1 turli ikki kaskadli Operatsion kuchaytirgichlar.
Birinchi avlodga mansub uch kaskadli Operatsion kuchaytirgichlar funksional sxemasi 1- rasmda keltirilgan. U kirish, muvofiqlashtiruvchi va chiqish kuchaytirish kaskadlaridan tashkil topgan.
1-rasm. Uch kaskadli Operatsion kuchaytirgichlar funksional sxemasi.
Operatsion kuchaytirgichlarda kirish kaskadi sifatida differensial kuchaytirgich (DK) qo'llaniladi. Ma’lumki, DK chiqishdagi nol dreyfini maksimal kamaytirishga, yuqori kuchaytirish koeffitsientiga, maksimal yuqori kirish qarshiligiga va sinfaz tashkil etuvchilarni maksimal so'ndirishga imkon beradi. Muvofiqlashtiruvchi kaskad talab qilingan kuchaytirishni ta’minlaydi va DK chiqishidagi o'zgarmas kuchlanish sathi siljishini chiqish kaskadi uchun talab etilgan qiymatgacha kam aytiradi. Muvofiqlashtiruvchi kaskad differensial yoki bir taktli kuchaytirgich bo'lishi mumkin. Chiqish kaskadlari Operatsion kuchaytirgichlarning kichik chiqish qarshiligini va lozim bo'lgan chiqish quvvatini ta’minlashi kerak. Chiqish bosqichlari sifatida, odatda AB sinfga mansub komplementar tranzistorlar asosida hosil qilingan ikki taktli kuchaytirgich sxemalari qo‘llaniladi Uch kaskadli Operatsion kuchaytirgichlarning soddalashtirilgan prinsipial sxemasi 2- rasm da keltirilgan. Sxemada quyidagi elektrodlar ko‘rsatilgan: inverslamaydiga kirish Kir1, inverslaydigan kirish Kir2, chiqish, ikki qutbli kuchlanish manbayiga ulash uchun xizmat qiluvchi elektrodlar -Eₘ va + , sxemaga korreksiyalovchi kuchlanish manbayi ulangan elektrod .
2-rasm. Uch kaskadli Operatsion kuchaytirgichlar prinsipial sxemasi.
Kirish kaskadi VTl va VT2 tranzistorlarda tuzilgan klassik DK sxemasi bo‘lib, yuklama sifatida va rezistorlar qo‘llanilgan. Ularning emitter toklari o‘zgarmasligini VT3 va VT4 tranzistorlarda qurilgan Barqaror tok generatori (BTG) ta’minlaydi. Barqaror tok generatori yoki manbai (BTG) katta nominalga ega bo‘lgan rezistorning elektron ekvivalenti hisoblanadi. Kuchaytirgichda sochilayotgan quvvatni kamaytirish maqsadida, BTGning siljitish rezistori Operatsion kuchaytirgichlarning bitta kuchlanish manbayidan ( -Eₘ) ta’minlanadi. va rezistorlar yuklama toki bo‘yicha mahalliy ketma-ket manfiy TAni tashkil etadilar va DKning kirish qarshiligini oshiradilar. Muvofiqlashtiruvchi kaskad p—n—p turdagi VT5 va VT6 tranzistorlar asosidagi DKda hosil qilingan. Qarama-qarshi o'tkazuvchanlikka ega bo'lgan p—n—p turdagi tranzistorlarning qo‘llanilishi chiqish kaskadi chiqishidagi kuchlanishni deyarli nolgacha siljitish imkonini beradi. Birinchi kaskad chiqishida kirish signalining sinfaz tashkil etuvchisi deyarli mavjud bo‘lmaganligi sababli, ikkinchi kaskadda uni so‘ndirish talab qilinmaydi. Shuning uchun VT5 va VT6 tranzistorlarning em itter zanjirlarida BTG qo‘llanilmaydi. Bu holat ikkinchi kaskad toklarini milliamper darajaga ko‘tarish va kuchaytirish koeffitsientini yana 30 marta va undan yuqori qiymatga oshirish imkonini beradi. Ikkinchi kaskad nosimmetrik chiqishga ega. Buning natijasida VT5 tranzistor kollektor zanjirida rezistor qo‘llanilmaydi. Ikkinchi avlodga mansub K544UD1 turli ikki kaskadli OKning soddalashtirilgan sxemasi 3-rasm da keltirilgan bo‘lib, unda muvofiqlashtiruvchi kaskad qollanilmagan. Shu sababli kuchaytirish koeffitsienti qiymatini yuqori olish uchun kirish D K ida rezistorli yuklama differensial yuklamaga almashtirilgan.
3-rasm. K544UD1 turli ikki kaskadli Operatsion kuchaytirgichlar prinsipial sxemasi.
Bunday sxemotexnik yechimga, ISning umumiy asosda bir xil xarakteristikalarga ega bo‘lgan egizak n — p — n va p — n — p BTlarni yasash texnologiyasi o'zlashtirilgandan so‘ng erishildi. Bundan tashqari, DKlarda ВТ o'rniga n — kanalli VT2 va VT5 M Tlar ham qo'llanilgan. Ular kuchaytirish va chastota xususiyatlari BTlarga nisbatan past bo'lishiga qaramasdan, kirish toklarini keskin kam aytirish va kirish qarshiligi ortishini ta’minlaydilar. VT1, VT3 va VT4 tranzistorlarda hosil qilingan BTG dinamik yuklama hisoblanadi. DK ning kirish toki VT6 va VT7 tranzistorlar asosidagi tok generatori yordamida barqarorlashtirilgan. Chiqish kaskadi ikki bosqichdan iborat. Birinchi bosqich UE ulangan VT8 tranzistor asosida hosil qilingan bo‘lib, unga yuklama toki bo'yicha ketma-ket manfiy TA zanjiri kiritilgan. Ikkinchi bosqich VT10 va VT11 komplementar tranzistorlarda hosil qilingan AB sinfiga mansub ikki taktli quvvat kuchaytirgichdan iborat. Yuqori chastotalarda har bir kaskad fazani siljitadi. Ma’lum chastotalarda manfiy TAli Operatsion kuchaytirgichlarlarda natijaviy faza siljishi 360° ga teng bo'lib, kuchaytirgich turg'unligini yo'qotadi. Turg'unlikni oshirish uchun VT8 tranzistor kollektor o'tishini shuntlovchi ichki yoki tashqi kondensator ulanadi. Hozirgi kunda Operatsion kuchaytirgichlarlarning turli seriyalari ikki va uch kaskadli sxemalar asosida ishlab chiqarilmoqda.
Foydalanilgan adabiyotlar va internet saytlari ro’yxati : 1. N. Yunusov, I.S. Andreyev, A.M. Abdullayev, X.K. Aripov, Yu.O. Inog'omova. 31ektronika bo‘yicha asosiy tushuncha. Т.: ТЭА1, 1998. 160 b.
2. X.K. Aripov, A.M. Abdullayev, N.B. Alimova. 31ektronika: 0 ‘quv qo‘llanma. Т.: TATU, 2009. 136 b
3.WWW.ziyonet.uz 4. akt.uz