Mustaqil ish Mavzu: Bipolyar tranzistorlar

Bipolyar tranzistorning aktiv rejimda ishlashi. UB ulanish sxemasida aktiv rejimda ishlayotgan n-p-n tuzilmali diffuziyali qotishmali bipolyar tranzistorni o’zgarmas tokda ishlashini qo’rib chiqamiz (3 a-rasm). Bipolyar tranzistorning normal ishlashining asosiy talabi bo’lib baza sohasining yetarlicha kichik kengligi W hisoblanadi; bu vaqtda W  L sharti albatta bajarilishi kerak (L-bazadagi asosiy bo’lmagan zaryad tashuvchilarning diffuziya uzunligi).

Bipolyar tranzistorning aktiv rejimda ishlashi. UB ulanish sxemasida aktiv rejimda ishlayotgan n-p-n tuzilmali diffuziyali qotishmali bipolyar tranzistorni o’zgarmas tokda ishlashini qo’rib chiqamiz (3 a-rasm). Bipolyar tranzistorning normal ishlashining asosiy talabi bo’lib baza sohasining yetarlicha kichik kengligi W hisoblanadi; bu vaqtda W  L sharti albatta bajarilishi kerak (L-bazadagi asosiy bo’lmagan zaryad tashuvchilarning diffuziya uzunligi).

Bipolyar tranzistorning ishlashi uchta asosiy hodisaga asoslangan: - emitterdan bazaga zaryad tashuvchilarning injektsiyasi; - bazaga injektsiyalangan zaryad tashuvchilarni kollektorga o’tishi; - bazaga injektsiyalangan zaryad tashuvchilar va kollektor o’tishga yetib kelgan asosiy bo’lmagan zaryad tashuvchilarni bazadan kollektorga ekstraktsiyasi.

Emitter o’tish to’g’ri yo’naliishda siljiganda (UEB kuchlanish manbai bilan taminlanadi) uning potensial to’siq balandligi kamayadi va emitterdan bazaga elektronlar injeksiyasi sodir bo’ladi. Elektronlarning bazaga injeksiyasi, hamda kovaklarni bazadan emitterga injektsiyasi tufayli emitter toki IE shakllanadi. Shunday qilib, emitter toki

bu yerda Ien, Iermos ravishda elektron va kovaklarning injeksiya toklari.
Emitter tokining Ier tashkil etuvchisi kollektor orqali oqib o’tmaydi va zararli hisoblanadi (tranzistorning qo’shimcha qizishiga olib keladi). Ier ni kamaytirishmaqsadida bazadagi aktseptor kiritma konsentratsiyasi emitterdagi donor kiritma kontsentratsiyasiga nisbatan ikki darajaga kamaytiriladi.
Emitter tokidagi Ien qismini injektsiya koeffitsienti aniqlaydi.
Bu kattalik emitter ishi samaradorligini xarakterlaydi (=0,990-0,995).
Injeksiyalangan elektronlar kollektor o’tish tomon baza uzunligi bo’ylab elektronlar zichligining kamayishi hisobiga bazaga diffuziyalanadilar va kollektor o’tishga yetgach, kollektorga ekstraktsiyalanadilar (kollektor o’tish elektrmaydoni hisobiga tortib olinadilar) va IKn kollektor toki hosil bo’ladi.
Zichlikning kamayishi konsentratsiya gradienti deb ataladi. Gradient qancha katta bo’lsa, tok ham shuncha katta bo’ladi. Bu vaqtda bazadan injeksiyalanyotgan elektronlarning bir qismi kovaklar bilan bazaga ekstraksiyalanishini ham hisobga olish kerak. Rekombinatsiya jarayoni bazaning elektr neytrallik shartini tiklash uchun talab qilinadigan kovaklarning kamchiligini yuzaga keltiradi.
Talab qilinayotgan kovaklar baza zanjiri bo’ylab kelib tranzistor baza toki Ibrek ni yuzaga keltiradi. Ibrek toki kerak emas hisoblanadi va shu sababli uni kamaytirishga harakat qilinadi. Bu holat baza kengligini kamaytirish hisobiga amalga oshiriladi WLn (elektronlarning diffuziya uzunligi). Bazadagi rekombinatsiya uchun emitter elektron tokining yo’qotilishi elektronlarning uzatish koeffitsienti bilan xarakterlanadi:

Tranzistorlarni qo‘llanilish sohalari.

Hozirgi zamonda radiotexnika va elektronika rivojlanishi natijasida radioaloqa, radioeshittirish, televideniya, radiolokatsiya, radionavigatsiya, radioastronomiya, radioteleboshqarish, elektron hisoblash texnikasi, kompyuter texnologiyasi va boshqa murakkab elektron qurilmalarni asosini tranzistorlar tashkil etadi (29-rasm).Tranzistorlarni juda ko‘p turlari yaratilgan va ular benuqson, uzoq muddat ishlashi bilan ajralib turadi.

http://fayllar.org