Konfiguratsiyadagi intruziv element besh valentli elementlar tomonidan berilgan; ya'ni valentlik zonasida beshta (5) elektronga ega bo'lganlar.
Bunday holda, ichki yarimo'tkazgich tarkibiga kiradigan aralashmalar fosfor (P), antimon (Sb) yoki mishyak (As) kabi elementlardir.
Dopantlarning qo'shimcha valentli elektroni bor, u bilan bog'lanish uchun kovalent bog'lanish yo'q, avtomatik ravishda kristalli panjara orqali harakatlanadi. Bu erda, elektr toki dopant tomonidan taqdim etilgan ortiqcha elektronlarning ortiqcha qismi tufayli material bo'ylab aylanadi. Demak, N tipli yarimo'tkazgichlar elektron donorlar hisoblanadi.
