O. M. Sadiqov, Z. S. Musayev



Yüklə 2.93 Kb.

səhifə1/18
tarix25.12.2016
ölçüsü2.93 Kb.
  1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   18

 
 
 
O.M.SADIQOV, Z.S.MUSAYEV 
 
 
 
ELEKTRONĠKA 
 
ingilis, rus və azərbaycan dillərində 
izahlı terminoloji lüğət 
 
 
ІI hissə. M – S 
(Magnetic amplifie – Single-stage trigger) 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
BAKI – ELM – 2013 
 

  

  
 
Müəlliflər:    
fizika–riyaziyyat elmləri namizədi, 
 
 
 
dosent Oqtay Məcid oğlu Sadıqov 
 
 
 
 
fizika–riyaziyyat elmləri namizədi, 
 
 
 
dosent Zabit Səməd oğlu Musayev  
 
Rəy verənlər:  
AMEA-nın müxbir üzvü, f.r.e.d., 
  
 
 
professor C.ġ. Abdinov 
  
 
  
 
 
 
 
Milli Aviasiya Akademiyasının ―Avionika‖ 
  
  
 
kafedrasının müdiri, f.r.e.n.,  
 
 
 
dosent Ġ.Ə. Ġsgəndərov  
 
 
  
 
AzTU-nun ―Elektronika‖ kafedrasının  
  
 
 
professoru, t.e.d. Ç.Ġ. Əbilov  
  
  
   
AzTU-nun EAKE kafedrasının müdiri, t.e.n.,
 
   
dosent R.M.Rəhimov  
 
Elmi redaktorlar:   AzTU-nun ―Elektronika‖ kafedrasının  
 
 
 
professoru, f.r.e.d., əməkdar elm  
  
 
 
xadimi Z.Ə.Ġsgəndərzadə 
  
  
 
 
AzTU-nun ―Elektronika‖ kafedrasının  
  
 
 
dosenti, f.r.e.n. M.R.Axundov 
 
 
ISBN 978-9952-453-40-9 
 
2301000000 
655(07)-2013 
 
 
 
©. O.M.Sadıqov, 2013 
©. Z.S.Musayev, 2013 

  

 
 
MÜNDƏRĠCAT 
 
Ön söz.......................................................................................4 
Kitabda qəbul olunmuş əsas ixtisarlar (rus dilində).................5 
Kitabda qəbul olunmuş əsas ixtisarlar  
(azərbaycan dilində).................................................................7 
İzahlı lüğət................................................................................9 
Kitabda verilmiş terminlər (ingilis dilində)...........................281 
Kitabda verilmiş terminlər (rus dilində)................................292 
Kitabda verilmiş terminlər (azərbaycan dilində)...................302 
Ədəbiyyat..............................................................................312 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

  

ÖN SÖZ
 
Hörmətli Oxucu! 
‖Elektronika – ingilis, rus və azərbaycan dillərində izahlı ter-
monoloji  lüğət‖in  II  hissəsini  Sizin  diqqətinizə  təqdim  edirik.  I 
hissədə  olduğu  kimi,  burada  da  əsas  məqsədlərdən  biri  Azər-
baycan  dilində  elektronika  üzrə  vahid  terminologiya  yaratmaq-
dır.  Kitabın  quruluşu  və  stilini  olduğu  kimi  saxlamış,  elektron 
cihazların  və  qurğuların,  həmçinin  həmin  cihaz  və  qurğuların 
işinin  əsaslandığı  fiziki  hadisələr  və  effektlərin  adlarını  hər  üç 
dildə vermişik. Kitabın birinci hissəsi işıq üzü gördükdən sonra 
Sizin  verdiyiniz  bir  sıra  təklif  və  iradlarınızı  nəzərə  almışıq. 
Kitab  üzərində  iş  zamanı  istifadə  etdiyimiz  müxtəlif  mənbələri 
araşdırmış və bir sıra terminlərin ədəbiyyatda rast gələn bir neçə 
variantını  göstərmişik.  Bundan  başqa  verilən  terminlərə  aid  rus 
və  azərbaycan  dillərində  məqalələr  tərtib  etmişik.  Bir  çox 
məqalələr nisbətən daha geniş şəkildə tərtib edilmişdir.  
Sonda  kitab  üzərində  işləyərkən  müzakirələrdə  öz  təklif  və 
iradları ilə yaxından iştirak etmiş həmkarlarımıza – Azərbaycan 
Texniki Universitetinin ―Elektronika‖ kafedrasının bütün əmək-
daşlarına təşəkkürümüzü bildiririk. Həmçinin bu kitabın daha da 
dolğun  və faydalı olması üçün öz dəyərli məsləhətlərini vermiş 
rəyçilərə:  AMEA-nın  müzbir  üzvü,  f.r.e.d.,  professor  C.Ş. 
Abdinova,  AzTU-nun  ―Elektronika‖  kafedrasının  professoru, 
t.e.d.  Ç.İ.  Əbilova,  Milli  Aviasiya  Akademiyasının  ―Avionika‖ 
kafedrasının  müdiri,  t.e.n.,  dosent  İ.Ə.  İsgəndərova,  AzTU-nun 
EAKE  kafedrasının  müdiri,  t.e.n.,  dosent  R.M.Rəhimova  öz 
dərin minnətdarlığımızı bildiririk. Kitabın yazılmasına öz diqqət 
və  qayğısını,  biliyini  və  vaxtını  əsirgəməyən,  əlyazmasını 
diqqətlə oxumuş və bir çox faydalı təklif  və iradlarını bildirmiş 
elmi  redaktorlar,  əməkdar  elm  xadimi  f.r.e.d.,  professor  Zərifə 
xanım  İsgəndərzadəyə və dosent Mahmud Axundova öz xüsusi 
minnətdarlığımızı bildiririk.  
 Müəlliflər 

  

Основные сокращения, принятые в книге 
АЛУ – арифметико-логическое устройство 
ВД – вечный двигатель  
ГЛИН – генератор линейно-изменяющихся напряжений  
ГПИН – генератор прямоугольных импульсов напряжений  
ГСК – генератор синусоидальных колебаний  
ЗУ – запоминающее устройство  
ИВЭП – источник вторичного электропитания  
ИГ – импульсный генератор  
ИД – импульсный диод  
ИИС – измерительная информационная система  
ИЛ – измерительная линия  
ИП – источник питания  
КГ – квантовый генератор  
КНИ – кремний на изоляторе  
КНС – кремний на сапфире  
КС – квантовый счетчик  
КТ – квантовая точка  
КУ – квантовый усилитель  
КЭ – квантовая электроника  
КЭМ – квантово-электронный модуль  
МГ – молекулярный генератор  
МГД- генератор – магнитогидродинамический генератор 
МДП – металл-диэлектрик-полупроводник  
МИС – магнитные интегральные схемы  
МОП – металл–оксид–полупроводник  
МОЭМС – микрооптоэлектромеханические системы  
МП – магнитная проницаемость  
МП – микропроцессор  
МПП – магнитный полупроводник  
МРД – магниторезистивный датчик  
МЭ – микроэлектроника  
МЭМС – микроэлектромеханические системы  
МЭФП – многоэлементный фотоприемник 
НРТ – начальная рабочая точка 

  

ОДС – отрицательное дифференциальное сопротивление  
ОЗУ – оперативное запоминающее устройство  
ОН – опорное напряжение  
ОР – оптический резонатор  
ОС – оптическая связь  
ОУ – операционный усилитель 
ОЭ – оптоэлектроника  
ОЭП – оптоэлектронный переключатель 
ОЭТ – одноэлектронный транзистор  
ОЭУ – одноэлектронное устройство  
ПБ – потенциальный барьер  
ПЗУ – постоянное запоминающее устройство  
ПУКЭ – приборы и устройства квантовой электроники  
ПЛИС – программируемая логическая интегральная схема  
ПОИ – приемник оптического излучения  
ПОС – положительная обратная связь 
ПТ – планарная технология  
ПЧД – позиционно–чувствительный детектор  
 РПУ – радиопередающие устройства  
РУ – резонансный усилитель  
СВЧ
_
 электроника – сверхвысокочастотная электроника 
СЭ – силовая электроника  
СЭУ – силовое электронное устройство  
УМ – усилитель мощности  
ФР – фоторезистор  
ФСУ – фазосдвигающее устройство 
ФЧХ – фазочастотная характеристика  
ФЧЭ – фоточувствительные элементы  
ФЭП – фотоэлектронный прибор  
ФЭС – фотоэлектронная спектроскопия  
ФЭУ – фотоэлектронный умножитель  
ЦМД – цилиндрические магнитные домены 
ШБ – барьер Шоттки  
ШИМ – широтно–импульсное модулирование  
ЯМР – ядерный магнитный резонанс  

  

Kitabda qəbul olunmuĢ əsas ixtisarlar 
BEQ – birelektronlu qurğu  
BET – birelektronlu tranzistor  
BİN – başlanğıc işçi nöqtə 
 
ÇEFQ – çoxelementli fotoqəbuledici  
DG – dayaq gərginliyi  
DGİG – düzbucaqlı gərginlik impulsları generatoru 
 
DM –
 
daimi
 
mühərrik  
DYQ – daimi yaddaş qurğuları 
 
EGQ – elektron güc qurğusu  
ƏG – əməliyyat gücləndiricisi  
ƏYQ – əməli yaddaş qurğusu 
FEC – fotoelektron cihaz  
FEÇ – fotoelektrik çoxaldıcısı 
FES – fotoelektron spektroskopiya  
FHE – fotohəssas element 
FR –
 
fotorezistor  
FSQ – faza sürüşdürücü qurğu 
FTX – faza–tezlik xarakteristikası  
GE – güc elektronikası  
GG – güc gücləndiriciləri  
HMQ – hesab–məntiq qurğusu  
XDGG – xətti dəyişən gərginliklər generatoru 
 
İEM – impulsun eninə modulyasiyası  
İG – impuls generatoru  
İÜS – izolyator üzərində silisium  
İYT elektronika – ifrat yüksək tezliklər elektronukası 
KE – kvant elektronikası  
KEC – kvant elektronikasının cihazları
 
KEM – kvant–elektron modulu  
KG – kvant gücləndiricisi 
 
KG – kvant generatoru 
 
KN – kvant nöqtəsi 
 
KS – kvant sayğacı  
QM – qida mənbəyi  

  

MDM – mənfi diferensial müqavimət  
MDY– metal–dielektrik–yarımkeçirici 
ME – mikroelektronika  
MEMS – mikroelektromexaniki sistemlər  
MG – molekulyar generator  
MHD – mövqeyə həssas detektor  
MHD-generator – maqnit hidrodinamik generator  
MİS – maqnit inteqral sxem  
MN – maqnit nüfuzluğu  
MOEMS – mikrooptoelektromexaniki sistemlər  
MOY – metal–oksid–yarımkeçirici  
MP – mikroprosessor  
MRV – maqnit rezistiv sensor 
MsƏƏ – müsbət əks əlaqə 
MYK – maqnit yarımkeçirici  
NMR – nüvə maqnit rezonansı  
OE – optoelektronika  
OEA – optoelektron aşırıcı 
 
OR – optik rezonator  
OŞQ – optik şüalanma qəbuledicisi  
OYQ – operativ yaddaş qurğusu  
ÖX – ölçü xətti  
ÖMS – ölçü məlumat sistemi  
PÇ – potensial çəpər 
 
PİMS – proqramlaşdırılan inteqral məntiq sxemi  
PT – planar texnologiya  
RG – rezonans gücləndirici  
RÖQ – radioötürücü qurğular 
 
SMD – silindrik maqnit domenləri  
SRG – sinusoidal rəqslər generatoru 
 
SÜS – sapfir üzərində silisium  
ŞÇ – Şotki çəpəri 
 
TEQM – təkrar elektrik qida mənbəyi  
YQ – yaddaş qurğusu  
 

  

ĠZAHLI LÜĞƏT 
 
Magnetic amplifier 
–  магнитный  усилитель.  Магнитным  усилителем  назы-
вается электромагнитное устройство, с помощью которо-
го слабый электрический сигнал (например, незначитель-
ное изменение э. д. с, напряжения или тока) может быть 
преобразован  в  сигнал  значительно  большей  мощности.
 
Магнитный  усилитель  состоит  из  магнитопровода  и  об-
моток. В простейшем случае магнитный усилитель — это 
управляемая  постоянным  током  индуктивность,  которая 
включается  в  цепь  переменного  тока  последовательно  с 
нагрузкой.  Магнитный  усилитель  используется  для  уд-
воения  частоты,  бесконтактного  переключения  токов 
(бесконтактное  реле),  для  стабилизации  напряжения  пи-
тания, для модуляции сигналов ВЧ сигналами НЧ и т.д. 
–  maqnit  gücləndiricisi.  Maqnit  gücləndiricisi  elektromaqnit 
qurğusudur. Bu qurğunun köməyilə zəif elektrik siqnalı (mə-
sələn, e.h.q., gərginlik və ya cərəyanın cüzi dəyişməsi) böyük 
gücə malik siqnala çevrilə bilər. Maqnit gücləndiricisi maqnit 
ötürücüdən  və  sarğılardan  ibarətdir.  Ən  sadə  halda  maqnit 
gücləndiricisi
 
dəyişən cərəyan dövrəsinə yük ilə ardıcıl qoşul-
muş, sabit cərəyanla idarə olunan induktivlikdir. Maqnit güc-
ləndiricisi tezliyi ikiqat artırmaq, cərəyanı kontaktsız aşırmaq 
(kontaktsız  rele),  qida  gərginliyini  stabilləşdirmək,  yüksək 
tezlikli siqnalları aşağı tezlikli siqnallarla modulyasiya etmək 
üçün və s. məqsədlərlə istifadə edilir. 
 
 
Magnetic breakdown  
–  магнитный  пробой.
  Квантовое 
туннелирование  электро-
нов  проводимости  в  магнитном  поле  между  классичес-
кими  электронными  орбитами,  соответствующими  раз-
ным энергетическим зонам. 

  
10 
–  maqnit  deşilməsi.  Maqnit  sahəsində  keçirici  elektronların 
müxtəlif  enerji  zonalarına  uyğun  olan  klassik  elektron 
orbitləri arasında kvant tunellənməsi. 
 
Magnetic film  
–  магнитная  пленка.  Слой  магнитного  вещества  (обычно 
ферро–  или  ферримагнетика)  толщиной  от  долей  нано-
метра до нескольких микрометров с рядом особенностей 
атомно–кристаллической  структуры,  магнитных,  элек-
трических и других свойств, отличающих пленку от мас-
сивных  магнетиков.  Магнитная  пленка  –  важный  ма-
териал современной техники (интегральной электроники, 
СВЧ–техники и др. отраслей). Магнитные пленки нашли 
широкое  применение  в  вычислительной  технике  и  авто-
матике, в оптоэлектронике и интегральной оптике. На ба-
зе  магнитных  пленок  возникла  новая  отрасль  науки  и 
техники  –  магнитная  микроэлектроника.  Пленочная  (ин-
тегральная) технология позволяет решать актуальные за-
дачи  микроминиатюризации  элементной  базы  и  схемо-
техники ЭВМ.  
–  maqnit  təbəqəsi.  Maqnit  maddənin  (adətən  ferro–  və  ya 
ferrimaqnit)  qalınlığı  nanometrin  hissələrindən  bir  neçə  mik-
rometrə  qədər  olan  təbəqəsi.  Maqnit  təbəqənin  atom–kristal 
quruluşunun,  maqnit,  elektrik  və  digər  xassələrinin  bir  sıra 
xüsusiyyətləri var ki, bu xüsusiyyətlər onları iri ölçülü nümu-
nələrdən  fərqləndirir.  Maqnit  təbəqələri  müasir  texnikanın: 
inteqral  elektronikanın,  İYT–texnikanın  və  bir  sıra  digər 
sahələrin  mühüm  materiallarındandır.  Maqnit  təbəqələri  he-
sablama  texnikasında  və  avtomatikada,  optoelektronikada  və 
inteqral optikada geniş tətbiq edilir. Maqnit təbəqələri əsasın-
da  elm  və  texnikanın  yeni  bir  sahəsi  –  maqnit  mikroelek-
tronikası yaranmışdır. Təbəqəli (inteqral) texnologiya EHM–
ın  element  bazasının  və  mikrominiatürləşdirilməsinin  aktual 
məsələlərini həll etməyə imkan yaradır. 
 
 

  
11 
Magnetic integrated circuit 
–  магнитные  интегральные  схемы  (МИС).  Класс  ИС,  в 
которых  для  хранения  и  обработки  информации  исполь-
зуются  магнитные  материалы  (магнетики).  Наиболее  из-
вестны магнитные ИС на основе пленочных материалов с 
цилиндрическими  магнитными  доменами,  магнитоопти-
ческие ИС, СВЧ ИС с ферритовыми элементами. Магнит-
ные  ИС  на  ЦМД  предназначены  для  создания  запоми-
нающих  устройств  (см.  Memory  device).  Магнитоопти-
ческие ИС предназначены для управления световыми по-
токами  или  для  их  преобразования  на  основе  магнито-
оптических  эффектов.  Примеры  использования  магнито-
оптических  ИС:  модуляторы,  коммутаторы,  элементы 
дисплейной техники и др. 
–  maqnit inteqral sxem (MİS). Maqnit inteqral sxemlərdə mə-
lumatı  saxlamaq  və  emal  etmək  üçün  maqnit  materialları  – 
maqnetiklər istifadə edilir. Silindrik maqnit domenləri (SMD) 
olan təbəqəli materiallar əsasında MİS, maqnitoptik  İS, ferrit 
elementləri  olan  İYT  MİS  daha  geniş  yayılmışdır.  SMD 
əsasında MİS yaddaş qurğuları yaratmaq üçün nəzərdə tutul-
muşdur (bax: Memory device). Maqnit optik İS–lər işıq selini 
idarə  etmək  və  ya  maqnitoptik  effektlər  hesabına  onu  çevir-
mək üçün nəzərdə tutulmuşdur. Maqnitoptik MİS–in tətbiqinə 
misal  olaraq  modulyatorları,  kommutatorları,  displeylərin 
elementlərini və s. göstərmək olar.  
 
Magnetic modulator (magnettor) 
–  магнитный модулятор. Модулятор, в котором преобра-
зование низкочастотного электрического сигнала в пере-
менное  напряжение  более  высокой  частоты  осуществл-
яется  с  использованием  нелинейных  свойств  ферромаг-
нитного материала.  
–  maqnit modulyator. Magnit modulyatorlar ferromaqnit mate-
rialın qeyri–xətti xassələrindən istifadə etməklə aşağı tezlikli 

  
12 
elektrik  siqnalını  daha  yüksək  tezlikli  dəyişən  gərginliyə 
çevirən qurğudur. 
 
Magnetic permeability  
– магнитная проницаемость (МП). Физическая величина, 
характеризующая  способность  вещества  изменять  свою 
магнитную  индукцию  (B)  при  воздействии  магнитного 
поля (H). Для изотропных веществ µ=B/H. В анизотроп-
ных  телах,  например  в  кристаллах,  МП  является  тен-
зорной  величиной: 
k
H
ik
k
i
B




3
1
 (i=1,2,3).  В  зависимости 
от  того,  в  каком  магнитном  поле  измеряется  магнитная 
проницаемость – в статическом или переменном – еѐ на-
зывают соответственно статической или динамической. С 
точки  зрения  электродинамики  МП  аналогична  диэлек-
трической проницаемости  ε и симметрично с ней входит 
в так называемые материальные уравнения, определяя, в 
частности, показатель преломления среды: n=( ε µ)
1/2

  maqnit nüfuzluğu (MN). Maqnit nüfuzluğu (µ) maqnit sahəsi 
(H)  təsir  etdikdə  maddənin  öz  maqnit  induksiyasını  (B
dəyişmək  qabiliyyətini  xarakterizə  edən  fiziki  kəmiyyətdir. 
Izotrop maddələr üçün µ=B/H. Anizotrop maddələrdə, məsə-
lən  kristallarda,  MN  tenzor  kəmiyyətdir: 
k
H
ik
k
i
B




3
1
 
(i=1,2,3).  Maqnit  sahəsinin  statik  və  ya  dəyişən  olmasından 
asılı  olaraq  MN  statik  və  ya  dinamik  ola  bilər.  Elektro-
dinamika  baxımından  MN  ε  dielektrik  nüfuzluğuna  analoji 
kəmiyyətdir  və  bir  sıra  tənliklərə  onunla  birlikdə  daxil  olur. 
Məsələn,  bu  iki  kəmiyyət  birlikdə  mühitin  sındırma  əmsalını 
təyin edir: n=( ε µ)
1/2
. 
 
Maqnetic reluctance (reluctance) 
–  магнитное  сопротивление  (МС).  Величина,  равная  от-
ношению  магнитодвижущей  силы  к  магнитному  потоку, 
применяемая  в  расчетах  магнитных  цепей.  Понятие  МС 

  
13 
образовано  по  аналогии  с  понятием  электрического  соп-
ротивления.  Эта  формальная  аналогия,  поскольку  физи-
ческая природа обоих этих сопротивлений различны. МС 
R

в данном однородном участке магнитной цепи может 
быть вычислено по формуле:
 
R
m
=L/µs, где L и s – длина и 
сечение  участка  магнитной  цепи,  µ–магнитная  прони-
цаемость. 
–  maqnit  müqaviməti.  Maqnit  müqaviməti  maqnit  hərəkət 
qüvvəsinin maqnit selinə nisbətinə bərabər olan kəmiyyətdir. 
Bu  kəmiyyət  maqnit  dövrələrinin  hesabatı  zamanı  istifadə 
edilir.  Manit  müqaviməti  anlayışı  elektrik  müqaviməti  anla-
yışının  maqnit  analoqu  kimi  daxil  edilmişdir.  Lakin  bu  ana-
logiya  formal  xarakter  daşıyır,  çünki  elektrik  və  maqnit  mü-
qavimətlərinin təbiəti müxtəlifdir. Maqnit dövrəsinin verilmiş 
bircins  hissəsində  maqnit  müqavimətini  aşağıdakı  kimi 
hesablamaq  olar:  R
m
=L/µs,  burada  L  və  s  –  maqnit  dövrəsi 
hissəsinin uzunluğu və en kəsiyi, µ – maqnit nüfuzluğudur. 
 
Magnetic semiconductor  
–  магнитный  полупроводник  (МПП).  Вещества,  которые 
сочетают в себя полупроводниковый тип проводимости с 
магнитным  упорядочением.  Другими  словами,  это  мате-
риалы  проявляющие  как  свойства  ферромагнетиков,  а 
также  ферримагнетиков  и  антиферромагнетиков,  так  и 
свойства  полупроводников.  В  химический  состав  МПП 
входят  переходные  или  редкоземельные  элементы.  Наи-
более  изученными  являются  МПП  типа  EuX,  где  X  –  O, 
S,  Se, Te и соединения типа ACr
2
X
4
, где A – Cu, Cd, Zn, 
Hg, Fe, Co; X – S, Se, Te. 
 При  изменении  напряженности  магнитного  поля  из-
меняется  проводимость  материала.  Кроме  этого,  МПП 
обладают  рядом  особенностей  электрических  и  оптичес-
ких свойств, отсутствующих у немагнитных полупровод-
ников. Например, характерной их особенностью является 
гигантское красное смещение края оптического поглоще-

  
14 
ния  при  изменении  температуры.  Так,  у  HgCr
2
Se

край 
оптического поглощения смещается от 0,8 до 0,3 эВ при 
понижении  температуры  от  300  К  до  4  К.  Некоторым 
МПП  свойственны  явления  фотомагнетизма  (изменение 
магнитных  свойств  при  освещении).  Например,  в 
CdCr
2
Se

при  освещении  изменяются  магнитная  прони-
цаемость, коэрцитивная сила и т.д.  
Носители  заряда  могут  сильно  влиять  на  магнитные 
свойства МПП. Например, легированием EuO и EuS уда-
ѐтся вдвое поднять их Т
К
, а легированием EuSe перевести 
его  из  антиферромагнитного  в  ферромагнитное  состоя-
ние. 
Необычные свойства МПП делают их перспективными 
для создания ячеек памяти, для термомагнитной и фото-
магнитной записи, для вращения плоскости поляризации 
электромагнитного  излучения,  в  частности  в  диапазоне 
СВЧ.  На  МПП  реализованы  p–n  переходы,  барьеры 
Шоттки и др. структуры.
 
МПП
 
являются также перспек-
тивным материалом для нового направления электроники 
– спинтроники. 
 
–  maqnit  yarımkeçirici  (MYK).  Yarımkeçirici  xarakterli  elek-
trikkeçiriciliyi  və  maqnit  nizamlılığını  özündə  birləşdirən 
maddələr.  Başqa  sözlə,  MYK–lər  həm  ferromaqnit,  eləcə  də 
ferrimaqnit  və  antiferromaqnit  xassələrinə,  həm  də  yarımke-
çirici  xassələrinə  malikdirlər.  MYK–nın  kimyəvi  tərkibinə 
keçid və ya nadir torpaq elementləri daxildir. EuX (X – O, S, 
Se, Te)  və  ACr
2
X
4
 (A – Cu, Cd, Zn, Hg, Fe,  Co; X –  S, Se, 
Te)  kimi  birləşmələrdən  ibarət  olan  MYK-lar  daha  yaxşı 
öyrənilmişdir.  
Maqnit  sahəsinin  intensivliyi  dəyişdikdə  MYK  materialın 
elektrikkeçiriciliyi də dəyişir. Bundan başqa, MYK material-
ların  elektrik  və  optik  xassələri  adi  qeyri–maqnit  material-
larda  müşahidə  olunmayan  bir  sıra  xüsusiyyətlərə  də  malik-
dir. Temperatur dəyişdikdə optik udulmanın qırmızı sərhəddi-
nin  çox  böyük  sürüşməsi  onların  xarakterik  cəhətidir.  Məsə-

  
15 
lən,  temperatur  300  K–dən  4  K–ə  qədər  azaldıqda  HgCr
2
Se

birləşmələrində  udulmanın  qırmızı  sərhəddi  0,8  eV–dan  0,3 
eV–a  sürüşür.  Bəzi  MYK–da  fotomaqnetizm  hadisəsi 
müşahidə  olunur.  Fotomaqnetizm–işıqlanma  zamanı  maqnit 
xassələrinin  dəyişməsidir.  Məsələn,  CdCr
2
Se
4
–də  işıqlanma 
nəticəsində maqnit nüfuzluğu, koersitiv qüvvə və digər para-
metrlər dəyişir. 
Yükdaşıyıcılar  MYK–nın  maqnit  xassələrinə  güclü  təsir 
göstərə  bilər.  Məsələn,  EuO  və  EuS  birləşmələrini  aşqarla-
maqla  onların  T
K
  Küri  temperaturunu  iki  dəfə  yüksəltmək 
mümkün olur. EuSe birləşməsini aşqarlamaqla onu antiferro-
maqnit halından ferromaqnit halına keçirmək olur. 
MYK  materialların  qeyri–adi  xassələri  onların  yaddaş 
özəkləri  hazırlanmasında,  məlumatın  termomaqnit  və  foto-
maqnit  üsullarla  yazılmasında,  İYT  diapazonunda  polyariza-
siya  müstəvisini  çevirmək  üçün  istifadə  edilməsinə  geniş 
perspektivlər  yaradır.  MYK  əsasında  p–n  keçidlər,  Şotki 
çəpərləri  və  digər  quruluşlar  yaradılmışdır.  MYK  həm  də 
elektronikanın yeni istiqaməti olan spintronika üçün perspek-
tivli materialdır. 



  1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   18


Verilənlər bazası müəlliflik hüququ ilə müdafiə olunur ©azkurs.org 2019
rəhbərliyinə müraciət

    Ana səhifə