GƏNC TƏDQİQATÇI, 2020, VI cild, №1
6
Рис. 2.
ВАХ кристалла TlGaTe
2
перпендикулярно тетрагональной оси «с»
при температурах ; 1-90К, 2-120К, 3-200К,4--300К
Как видно из рисунков на
ВАХ выявляются два участка
2,3
:
при малых напряжениях
омических участок (I α U) и область более резкого роста тока при высоких напряжениях (I α U
n
,
n > 1). Линейный участок соответствует напряженности электрического поля 20В/см и с ростом
температуры участок
значение тока расширяется, а напряжение
начало нарушение линейного
участка увеличивается. Квадратичная область, наблюдается в интервале полей 20-60 В/см. При
этом с ростом температуры напряжение перехода в квадратичную область смещается к большим
значениям. Это обусловлено увеличением концентрации равновесных носителей тока и расши-
рение области выполнения закона Ома. С ростом температуры, пороговое напряжение, с кото-
рого начинается квадратичная область, перемещается в сторону низких значений напряжений, а
численное значения
п
уменьшается. Это показывает, что резкое возрастание тока обусловлено в
основном ионизацией локальных уровней в электрическом поле.
Исследование температурной зависимости электропроводности показано на Рис. 3. По-
строенная зависимость ln σ ~ (10
3
/Т) при (напряженности электрического поля 40в/см), соот-
ветствующей
омической области ВАХ, как видно состоит из
трех прямых с различными
наклонами. Энергии активации примесных уровней в монокристаллах TIGaTe
2
, определен-
ные по
этим наклонам, соответствуют значениям Е
1
=0,018эВ, Е
2
=0,037эВ, Е
3
=0,043.
Dostları ilə paylaş: