Qarshi filliali kompyuter injiniringi fakulteti ats 1 20 guruh talabasining elektronika va Sxemalar fanidan

O’ZBEKISTON RESPUBLIKASI AXBOROT TEXNOLOGIYALARI VA KOMMUNIKATSIYALARINI RIVOJLANTIRISH
VAZIRLIGI

MUHAMMAD AL-XORAZMIY NOMIDAGI TOSHKENT AXBOROT TEXNOLOGIYALARI UNIVERSITETI
QARSHI FILLIALI



KOMPYUTER INJINIRINGI FAKULTETI
ATS - 11 20 - GURUH TALABASINING
Elektronika va Sxemalar 2
FANIDAN

14-labaratoriya ishi

Bajardi: Allayorov.N
Qabul qildi: Karimov. T
14– LABORATORIYA ISHI
TTM integral sxemasini tadqiq etish
Ishning maqsadi: Tranzistor – tranzistor mantiq integral sxemasi elektr parametrlarini tadqiq etish
1. Laboratoriya ishini bajarishga tayyorgarlik ko‘rish:
Bu ishni bajarishda mantiqiy mikrosxemalar asosiy elektr parametrlarining fizik ma’nosiga va o‘lchash uslublariga, hamda tranzistor – tranzistorli mantiq (TTM)ning sxemotexnik xossalariga e’tibor qaratish kerak. Statik parametrlar uzatish xarakteristikasi (U_CHIK=f(U_KIR)) grafigi yordamida (14.2 - rasm) aniqlanishi mumkin.
Avval uzatish xarakteristikasidan 14.1 - rasm) mantiqiy nol U⁰ va mantiqiy bir U¹ sathlari (xarakteristikaning uning ko‘zguli aksi bilan tutashgan A va В nuqtalaridan aniqlanadi), so‘ngra 14.2 – rasmdagi grafikdan I⁰_KIR и I¹_KIR aniqlanib olinadi.

14.1 – rasm. TTM mantiqiy elementini uzatish xarakteristikasi

14.2 – rasm. Uzatish xarakteristikasidan I0KIR i I1KIR qiymatlarini aniqlash

Grafik yordamida (14.1 – rasm) IMS statik shovqinlarga bardoshligi U_n=min (U⁺_n,U^–_n ) aniqlanadi. (S va D nuqtalarda urinma 45° burchak ostida o‘tishini eslatib o‘tamiz).

Mikrosxema tezkorligi signal tarqalishining o‘rtacha vaqti bilan aniqlanadi:
,
bu yerda t^0,1_kech va t^1,0_kech – impuls amplitudasining 0,5 darajasida o‘lchanadigan, impuls oldi va orqa frontlarining o‘rtacha kechikish vaqti.
Mikrosxema tejamkorligi o‘rtacha iste’mol quvvati (nol va bir holatlarda) bilan baholanadi:
.
Mikrosxemaning intergal sifatini ulanish ishining sun’iy parametri belgilaydi:
.
Laboratoriya ishida tarkibida 4 ta 2YOKI–EMAS sxemasi bo‘lgan K155LAZ yoki K555LAZ mikrosxemasi qo‘llaniladi. Tadqiq etilayotgan mikrosxema prinsipial sxemasi, chiqishlarning joylashishi va asosiy elektr parametrlari ilovada keltirilgan.
Ishni bajarishga tayyorshgarlik ko‘rish jarayonida ilovada keltirilgan IMS sxemasi va parametrlari hisobotga kiritilishi lozim.
2. Laboratoriya ishini bajarish uchun topshiriq:
2.1. Mikrosxemaning uzatish va kirish xarakteristikalarini o‘lchash.
2.1.1. K155LA3 mikrosxemada mavjud to‘rtta 2 YOKI - EMAS elementlarning ixtiyoriy biridan foydalanib, 14.3 – rasmda keltirilgan sxemani yig‘ing (misol tarikasida bir sxemaning chiqishlari tartibi keltirilgan).
14.3 – rasm. O‘lchash sxemasi.
IMS kirishlaridan biriga kirish kuchlanishi bering, ikkichisiga (ishlatilmayapganiga) esa manbaning “+” qutbini ulang. YE1 kirish kuchlanishini 0...5 V oarlig‘da o‘zgartirib borib kirish I_KIR=f(U_KIR) hamda uzatish xarakteristikasini U_CHIQ=f(U_KIR) o‘lchang. O‘lchash natijalarini jadvalga kiriting.
2.1.2. U_KIR=U⁰ ≈ 0,4 V bo‘lganda va U_KIR=U¹ 2,4 V bo‘lganda mos ravishda iste’mol I⁰_ist. va I¹_ist. toklarini o‘lchang (U⁰ va U¹ sath qiymatlari pasport ko‘rsatmalaridan olinadi).
2.2. Mikrosxema yuklama qobiliyatini o‘lchash.
Oldingi bandda tadqiq etilgan sxemadan foydalaning. IMS kirishiga pasport ko‘rsatmasidagi mantiqiy nol qiymatini U_kir=0,4 V bering. IMS chiqishiga yuklama qarshiliklari: R_Ю=10к Ом, 1 кОм, 470 Ом, 100 Ом berib, yuklama chiqish xarakteristikasini U_CHIK=f(R_Ю) o‘lchang.
2.3. Mantiqiy mikrosxema tezkorligini tadqiq etish.
14.4 – rasmda keltirilgan sxemani yig‘ing. O‘lchashni sosnlashtirish maqsadida kechikish vaqtini uzaytirish maqsadida to‘rtta mikrosxema ketma – ket ulangan (olingan natijani to‘rtga bo‘lish kerakligi yoddan ko‘tarilmasin).
Kirish (A nuqta) va chiqish (V nuqta) ga ossilografni ulang. Bu vaqtda IMS chiqishiga ossilograf pultida o‘rnatilgan kuchlanish bo‘luvchisi 1:10 orqali ulanishi kerak. Bu holat ulanish kabeli sig‘imi va ossilograf ta’sirini 10 marotabaga kamaytirishga imkon beradi. (Kirish zanjiri past omli bo‘lgani uchun, bu yerda bu xolat talab etilmaydi).
Kirishga amplitudasi 5 V va chastotasi 1 kGs bo‘lgan to‘g‘ri burchakli impulslar beriladi. Oldi va orqa frontlarning kechikish vaqtlarini (t^0,1_kech , t^1,0_kech) aniqlang.

14.4 – rasm. O‘lchash sxemasi.
3. Tajribada olingan natijalarni ishlash.
3.1. 2.1 – banddagi o‘lchash natijalari bo‘yicha U_CHIK=f(U_KIR) va I_KIR=f(U_KIR) bog‘liqliklar grafiklarini chizing va asosiy parametrlarni aniqlang: U⁰, U¹, I⁰_KIR, I¹_KIR, U_М⁺, U_М^-, U_М.. O‘rtacha iste’mol quvvatini Р_o‘rt hisoblang.
3.2. Signal tarqalishidagi o‘rtacha kechikish vaqti t_kech.o‘rt hamda qayta ulanish ishini А_ul hisoblab toping.
3.3. 2.2 – bandda o‘lchangan chiqish kuchlanishining yuklamaga bog‘liqlik grafigini U¹_CHIK=f(R_Ю) quring. Grafikda kuchlanish pasayishinining pasport ko‘rsatmasidagi qiymati U¹_CHIK=2,4 V ga mos keluvchi yuklamaning R_Ю..min qiymatini belgilang.
Hisobot mazmuni.
- ilovada keltirilgan K155LA3 mikrosxema pasport ko‘rsatmalari;
- o‘lchash natijalari jadvallari va bog‘liqliklar grafiklari;
- olingan IMS parametrlari qiymatlari.
Nazorat savollari
1. Qanday maqsadda TTM sxemalarda murakkab invertor qo‘llaniladi ?
2. TTM sxemasining diod – tranzistorli mantiq (DTM) sxemasidan afzalligi nimada ?
3. Uch holatga ega mantiqiy sxema nimadan iborat ?
4. IMS chiqish zanjirlarini shuntlovchi diodlar qanday vazifani bajaradilar ?