Qrup 1428a Fənn: «Cihazqayırma texnologiyasının əsasları» №/№


C : Qapalı olmayan kontur üzrə materialın tam ayrılması; D



Yüklə 0,92 Mb.
səhifə45/47
tarix19.05.2022
ölçüsü0,92 Mb.
#58595
1   ...   39   40   41   42   43   44   45   46   47
CTƏ (imtahan sualları)

C : Qapalı olmayan kontur üzrə materialın tam ayrılması;
D : Qapalı kontur üzrə materialın bir hissəsinin ayrılması;
E : Qapalı kontur üzrə materialın tam ayrılması, ayrılan material çıxdaşdır. ANSWER : A


Düyümün, blokun, məmulun tərkibində aktiv və passiv ion-elektron texnikasının etibarlı birləşməsinin təmin edilməsi, əlaqə xəttlərinin tənzimlənməsi, ayrılan gücün bərabər paylanması və yayılması üçün nəzərdə tutulan nədir ?


A : Çap platası
B : ştamplama;
C : presləmə;
D : məmul;
E : mikrosxem. ANSWER : A


Ötürücü (keçirici) şəkilin yerləşməsi baxımından çap platalari bölünürlər?


A : birtərəfli çap plataları, iki tərəfli çap plataları (İÇP), çoxqatlı çap plataları (ÇÇP), çoxsəviyyəli çap plataları(ÇSÇP)
B : çoxsəviyyəli çap plataları;
C : birtərəfli çap plataları və iki tərəfli çap plataları (İÇP);
D : yalnız çoxqatlı çap plataları (ÇÇP);
E : mikrosxem. ANSWER : A


Dəqiqlik sinifindən asılı olaraq ion-elektron texnikanın (İET) birləşmə çıxışlarında birtərəfli ÇP səthində nöqtələrini yerləşmə sıxlığı neçədir?


A : 0,5-3,0 ədəd/sm2
B : 1,5-3,0 ədəd/sm2
C : 2,5-3,0 ədəd/sm2 ;

Yüklə 0,92 Mb.

Dostları ilə paylaş:
1   ...   39   40   41   42   43   44   45   46   47




Verilənlər bazası müəlliflik hüququ ilə müdafiə olunur ©azkurs.org 2024
rəhbərliyinə müraciət

gir | qeydiyyatdan keç
    Ana səhifə


yükləyin