“Raqamli qurilmalarni loyihalashga kirish”

Hozirgi kunlarda tayorlash usuli va bunda hosil bo'ladigan tuzilmasiga ko‘ra IMS larni bir-biridan prinsipial farqlanuvchi uch turga ajratiladi: yarim o‘tkazgich, pardali va gibrid. IMSlarning har turi, mikrosxem a tarkibiga kiruvchi elementlar va komponentlar sonini ifodalovchi, integratsiya darajasi va konstruksiyasi bilan farq qiladi.

• Hozirgi kunlarda tayorlash usuli va bunda hosil bo'ladigan tuzilmasiga ko‘ra IMS larni bir-biridan prinsipial farqlanuvchi uch turga ajratiladi: yarim o‘tkazgich, pardali va gibrid. IMSlarning har turi, mikrosxem a tarkibiga kiruvchi elementlar va komponentlar sonini ifodalovchi, integratsiya darajasi va konstruksiyasi bilan farq qiladi.

Element deb , konstruksiyasi bo‘yicha kristali yoki asosidan ajralmaydigan, ERE funksiyasini bajaruvchi IMSning qismiga aytiladi. IMS komponenti deb , diskret element funksiyasini bajaruvchi, lekin montajdan awal mustaqil mahsulot bolgan IMSning bo‘lagiga aytiladi. Yig‘ish, montaj qilish operatsiyalarini bajarishda komponentlar mikrosxema asosiga o‘rnatiladi. Qobiqsiz diod va tranzistorlar, k odensatorlarning maxsus turlari, kichik o‘lchamli induktivlik kutubxonasi g‘altaklari va boshqalar sodda komponentlarga , murakkab komponentlarga esa — bir nechta elementdan tashkil topgan, m asalan, diod yoki tranzistorlar yig'm alari kiradi.

• Element deb , konstruksiyasi bo‘yicha kristali yoki asosidan ajralmaydigan, ERE funksiyasini bajaruvchi IMSning qismiga aytiladi. IMS komponenti deb , diskret element funksiyasini bajaruvchi, lekin montajdan awal mustaqil mahsulot bolgan IMSning bo‘lagiga aytiladi. Yig‘ish, montaj qilish operatsiyalarini bajarishda komponentlar mikrosxema asosiga o‘rnatiladi. Qobiqsiz diod va tranzistorlar, k odensatorlarning maxsus turlari, kichik o‘lchamli induktivlik kutubxonasi g‘altaklari va boshqalar sodda komponentlarga , murakkab komponentlarga esa — bir nechta elementdan tashkil topgan, m asalan, diod yoki tranzistorlar yig'm alari kiradi.

E lem entlari yarim o‘tkazgich asosning sirtiga yaqin qatlam da hosil qilingan mikrosxem alar yarim o‘tkazgich IM S deb ataladi. Elem entlari dielektrik asos sirtida parda ko‘rinishida hosil qilingan m ikrosxem alar pardali IMS deb ataladi.