Planar epitaksial texnologiya.
Bipolyar va MDYa IMSlar ushbu texnologiyada
yasaladi.
Planar texnologiyada n-p–n tranzistor tuzilmasini
yasashda p–turdagi yarim o‘tkazgichli plastinaning
alohida sohalariga teshiklari mavjud bo‘lgan maxsus
maskalar orqali mahalliy legirlash amalga oshiriladi.
Maska rolini SiO
2
o‘ynaydi. Bu pardada maxsus usullar
(fotolitografiya)
yordamida
teshiklar
shakllanadi.
Kiritmalar kiritish diffuziya yoki ionli legirlash
yordamida amalga oshiriladi.
Ionli legirlashda maxsus manbalardan olingan
kiritma ionlari tezlashadi va elektr maydonda fokuslanib
asosga tushadi va yarim o‘tkazgichning sirt qatlamiga
singadi
.
Planar texnologiyada yasalgan yarim o‘tkazgichli
bipolyar tuzilmali IMS namunasi va uning ekvivalent
elektr sxemasi
Zamonaviy IMSlar qotishmali planar – epitaksial
texnologiyada yasaladi. Bu texnologiyada barcha
elementlar p–turdagi asosda o‘stirilgan n–turdagi kremniy
qatlamida hosil qilinadi. Epitaksiya deb kristall tuzilmasi
asosnikidan bo‘lgan qatlam o‘stirishga aytiladi.
Planar – epitaksial texnologiyada yasalgan
tranzistorlar ancha tejamli, hamda nisbatan yaxshilangan
parametr va xarateristikalarga ega.
Mikrosxema turli elementlarini elektr jihatdan
birlashtirish
uchun
metallizatsiyalash
qo‘llaniladi.
Metallizatsiyalash jarayonida oltin, kumush, xrom yoki
alyuminiydan yupqa metall pardalar hosil qilinadi.
Kremniyli IMSlarda metallizatsiyalash uchun alyuminiydan
keng foydalaniladi.
