Rvama fakulteti dekani: X

Qiyinlik darajasi – 1

……… jarayoni asos sirtida uning kristall tuzilishini takrorlovchi yupqa monokristal ishchi qatlamlar hosil qilish uchun ishlatiladi.

epitaksiya

zonali eritish

Choxralskiy

termik oksidlash

№ 46.

Manba: 1. Aripov X.K., Abdullayev A.M., Alimova N.B., Maxsudov J.T., Tulyaganov A.A., Toshmatov Sh.T. Elektronika va sxemotexnika. Darslik. T.: Aloqachi, 2017. 376 b.
2. Aripov X.K., Abdullayev A.M., Alimova N.B., Bustanov X.X., Obyedkov YE.V., Toshmatov Sh.T. Elektronika. Darslik. T.: Fan va texnologiya nashriyoti, 2011. 426 b.
Qiyinlik darajasi – 1

…… kremniy sirtida oksid (SiO2) qatlam (parda) hosil qilish maqsadida sun’iy yo’l bilan oksidlashdan iborat jarayon.

termik oksidlash

Choxralskiy

zonali eritish

epitaksiya

№ 47.

Manba: 1. Aripov X.K., Abdullayev A.M., Alimova N.B., Maxsudov J.T., Tulyaganov A.A., Toshmatov Sh.T. Elektronika va sxemotexnika. Darslik. T.: Aloqachi, 2017. 376 b.
2. Aripov X.K., Abdullayev A.M., Alimova N.B., Bustanov X.X., Obyedkov YE.V., Toshmatov Sh.T. Elektronika. Darslik. T.: Fan va texnologiya nashriyoti, 2011. 426 b.
Qiyinlik darajasi – 3

Yarimo’tkazgich hajmiga kiritmalarni kiritish jarayoni ………… deb ataladi.

legirlash

epitaksiya

termik oksidlash

zonali eritish

№ 48.

Manba: 1. Aripov X.K., Abdullayev A.M., Alimova N.B., Maxsudov J.T., Tulyaganov A.A., Toshmatov Sh.T. Elektronika va sxemotexnika. Darslik. T.: Aloqachi, 2017. 376 b.
2. Aripov X.K., Abdullayev A.M., Alimova N.B., Bustanov X.X., Obyedkov YE.V., Toshmatov Sh.T. Elektronika. Darslik. T.: Fan va texnologiya nashriyoti, 2011. 426 b.