Teleradioeshittirishda uzatish va qabul qilish qurilmalari

 
Chastotaviy va fazaviy modulyatorlar. 
Hozirgi vaqtda varikap asosidagi 
chastotaviy modulyator keng qo‘llaniladi. Varikap o‘z sig‘imini unga qo‘yilgan 
teskari kuchlanishga proporsional o‘zgartiradigan diod hisoblanadi.
Varikapning volt-farad xarakteristikasi 5.11-rasmda keltirilgan.
Elektrodlarga qo‘yiladigan tashqi kuchlanish bo‘lmaganida 
p-n
-o‘tishda 
potensial to‘siq va ichki elektr maydon mavjud bo‘ladi, uning vujudga kelishi
p
-
tur va 
n
-turdagi yarim o‘tkazgichlar orasidagi potensiallarning kontakt farqiga 
bog‘liq. 
 
5.8- rasm. Varikapning volt-farad xarakteristikasi 
Varikapning normal ishlash rejimi teskari surilishli rejim hisoblanadi. Agar 
diodga teskari kuchlanish qo‘yilsa (ya’ni katod anodga nisbatan musbat 
potensialga ega bo‘lsa), u holda bu potensial to‘siqning balandligi ortadi. 

---

80
Tashqi teskari kuchlanish elektronlarni n-sohaning ichkarisiga suradi, buning 
natijasida siyraklashgan 
p-n
-o‘tish sohasining, ya’ni zaryad tashuvchilardan 
mahrum bo‘lgan va mazmunan dielektrik hisoblanadigan yarim o‘tkazgich 
qatlamining kengayishi bo‘lib o‘tadi. Teskari kuchlanish ortganida siyraklashgan 
qatlamning qalinligi ortadi. Buni tekis kondensator ko‘rinishida tasvirlash 
mumkin, bunda kondensatorning qoplamalari bo‘lib, yarim o‘tkazgichning 
siyraklashmagan zonalari va dielektrikning o‘zgaruvchan qalinlikli qatlami xizat 
qiladi. 
Tekis kondensatorning sig‘imi uchun formulaga muvofiq qoplamalar 
orasidagi masofaning ortishi bilan (teskari kuchlanish qiymatining ortishi keltirib 
chiqaradigan) 
p-n
-o‘tishning sig‘imi kamayadi. Bu kamayish bazaning qalinligi 
orqali cheklangan, siyraklashgan qatlamning qalinligi keyinga orta olmaydi, 
sig‘imning bu minimumiga erishilgandan keyin teskari kuchlanishning ortishi 
bilan sig‘im o‘zgarmaydi. Sig‘imning boshqariladigan kamayishini cheklovchi 
boshqa omil siyraklashgan qatlamning ko‘chkisimon teshilishi hisoblanadi. 
p-n-p
-o‘tishli bipolyar tranzistordagi uchta nuqtali sxema bo‘yicha yig‘ilgan 
LC
-generator signalini chastotaviy modulyatsiyalashni ta’minlaydigan varikapdagi 
modulyator variantlaridan birining prinsipial sxemasi 5.12- rasmda keltirilgan. 
Qaralayotgan sxemada 
LC
-generatorning aktiv elementi 
VT1
tranzistorda 
yig‘ilgan. Bu tranzistor o‘zgarmas tok bo‘yicha umumiy emitterli sxema bo‘yicha, 
o‘zgaruvchan tok bo‘yicha esa umumiy bazali sxema bo‘yicha ulangan, chunki 
bazaning elektrodi korpusning shinasiga 
S2 
kondensator orqali ulangan. 
VT1
tranzistor ishchi nuqtasining holati bo‘lgich qarshiliklarining qiymatlari va 
nisbatlari orqali aniqlanadi. Uning tarkibiga 
R3
va 
R4
rezistorlar kiradi. Bu 
rezistorlar 
R5
rezistor bilan birgalikda ishchi nuqtaning holatini stabillash 
sxemasini tashkil etadi. 

---

81
5.12- rasm. p-n-p-o‘tishli bipolyar tranzistordagi uchta nuqtali sxema bo‘yicha 
yig‘ilgan LC-generator uchun varikapdagi modulyatorning prinsipial sxemasi 
VD1
varikap rezonans kontur tarkibiga kiradigan 
L1
induktiv g‘altakka va 
rostlanadigan 
S5
kondensatorga parallel ulangan. Siljitish kuchlanishi varikapga 
R1
va 
R2
rezistorlar orqali beriladi. Katta sig‘imli 
S1
kondensator 
VD1
varikap va 
VT1
tranzistor kollektorini o‘zgarmas tok bo‘yicha ajratilishini ta’minlaydi. 
Modulyatsiyalovchi 
PCh-signal 
varikapga 
R2
rezistor 
orqali 
beriladi. 
Modulyatsiyalangan signal 
VT1
tranzistorning emitteridan olinadi. 
Uzatkichdagi keyingi kaskad fazaviy modulyator hisoblanadi, unda fazaviy 
modulyatsiyalash kuchaytirish kaskadining konturlarida modulyatsiyalovchi signal 
yordamida uning nosozlanishini boshqarish yo‘li bilan amalga oshiriladi. 
Boshqariladigan reaktiv element sifatida bu yerda varikap ishlatiladi. 
Modulyatsiyalash indeksini oshirish uchun varikaplar kuchaytirgichning barcha 
konturlariga ulangan. Kuchaytirgich konturi rezonans chastotasining o‘zgarishi 
konturdagi 
yuqori 
chastotali 
tebranishlarning 
fazasini 
uning 
fazaviy 
xarakteristikasiga muvofiq o‘zgartiradi. Fazaviy modulyatorning sxemasi 5.13- 
rasmda keltirilgan.