Diod—elektr tokini bir tomonlama o'tkazish xususiyatiga ega bo'lgan elektron asbobdir. Diodlar ikki xil: vakuumli (shisha ballonga joylashtirilgan ikki elektrodli elektron lampa) va yarim o'tkazgichli (asosi — germaniy va kremniy kristallari) bo'ladi. Diod quyidagicha tuzilishga ega (1- rasm): germaniy monokristalidan yasalgan plastinka (a) dan iborat bo'lib, uning bir tomoniga bir tomchi indiy (b) payvandlangan. Bir-biridan chegara bilan ajralib turadigan elektron (n)va teshikli (p) o'tkazuvchanlikka ega bo'lgan ikkita soha hosil qilingan. Bu soha elektr tokini bir tomonlama o'tkazish xususiyatiga ega.
Germaniy plastinkasi metall korpus (g) asosiga qalay (q) bilan kavsharlangan va u manfiy qutb hisoblanadi. Ikkinchi kontakt (d) indiy tomchisiga ulangan va u musbat qutb hisoblanadi. U shisha (f) izolator orqali korpusdan izolatsiyalangan.
Germaniy plastinkasi metall korpus (g) asosiga qalay (q) bilan kavsharlangan va u manfiy qutb hisoblanadi. Ikkinchi kontakt (d) indiy tomchisiga ulangan va u musbat qutb hisoblanadi. U shisha (f) izolator orqali korpusdan izolatsiyalangan.
1 - rasm. Diod
Diodning uchlari paneldagi «musbat» va «manfiy» ishoralar bilan belgilangan ikkita qisqichga ulangan. Tashqi elektr maydon bo'lmagan hoi uchun elektronli va teshikli yarim o'tkazgichlarning yondosh sohasida elektr maydon hosil bo'lishini qarab chiqamiz. Elektronlarning issiqlik energiyasi eng kichik holatiga mos keluvchi energiyadagi harakati tufayli elektronlar teshikli yarim o'tkazgich bilan chegaradosh qatlamda to'planadi, teshiklar esa teshikli yarim o'tkazgichga qo'shni elektronli yarim o'tkazgich qatlamida to'planadi. Shuning uchun elektronli yarim o'tkazgich 2 bilan chegaradosh bo'lgan teshikli yarim o'tkazgich 1 qatlam manfiy potensialga ega bo'ladi (2 - rasm).
Diodning uchlari paneldagi «musbat» va «manfiy» ishoralar bilan belgilangan ikkita qisqichga ulangan. Tashqi elektr maydon bo'lmagan hoi uchun elektronli va teshikli yarim o'tkazgichlarning yondosh sohasida elektr maydon hosil bo'lishini qarab chiqamiz. Elektronlarning issiqlik energiyasi eng kichik holatiga mos keluvchi energiyadagi harakati tufayli elektronlar teshikli yarim o'tkazgich bilan chegaradosh qatlamda to'planadi, teshiklar esa teshikli yarim o'tkazgichga qo'shni elektronli yarim o'tkazgich qatlamida to'planadi. Shuning uchun elektronli yarim o'tkazgich 2 bilan chegaradosh bo'lgan teshikli yarim o'tkazgich 1 qatlam manfiy potensialga ega bo'ladi (2 - rasm).
