Tunnel diodlar Tunnel diodi

Tunnel diodlar


Tunnel diodi deb qo‘zg‘otilgan yarim o‘tkazgich asosida loyihalangan yarim o‘tkazgichli asbobga aytiladi. Unda teskari va uncha katta bo‘lmagan to‘g‘ri kuchlanishda tunnel effekti yuzaga keladi va volt–amper xarakteristikada manfiy differensial qarshilikka ega bo‘lgan soha mavjud bo‘ladi.
Tunnel diodlar boshqa turdagi diodlardan sezilarli farq qilmaydi, lekin ularni yasash uchun 10²⁰ sm^-3 kiritmaga ega bo‘lgan yarim o‘tkazgichli materiallar qo‘llaniladi.
VAX nochiziqli bo‘lsa, uning har bir kichik sohasi to‘g‘ri chiziq deb qaraladi va xarakteristikaning bu nuqtasida differensial qarshilik kiritiladi. Agar xarakteristika kamayuvchi bo‘lsa, bu sohada qarshilik R_i manfiy qiymatga ega bo‘ladi.
Tunnel diodi VAX keltirilgan. AV soha manfiy differensial qarshilik bilan xarakterlanadi. Agar tunnel diodi tebranma kontur elektr zanjiriga ulansa, u holda kontur va shu zanjirdagi manfiy qarshilik kattaligi o‘rtasidagi ma’lum nisbatlarda tebranishlar kuchayishi yoki generatsiyalanishi mumkin. Tunnel diodlari asosan 3-30 GGs diapazonda O‘YuCh generatorlar qurishda, hamda maxsus hisob qurilmalari va mantiqiy yuta yuqori tezlikda ishlaydigan sxemalarda qo‘llaniladi.



. Tunelli diod VAX.

Generator diodlaridan biri bo‘lib ko‘chkili–uchma diodlar (KUD) hisoblanadi. Uning VAXsida r-n o‘tishdagi ko‘chkisimon teshilishda yuqori chastotalarda manfiy qarshilikka ega bo‘lgan soha yuzaga keladi. Agar KUD rezonatorga joylashtirilsa, unda chastotasi 100 GGsgacha bo‘lgan so‘nmaydigan tebranishlar yuzaga keladi. Tebranishlarning chiqish quvvati (f=1 GGs bo‘lganda) 10 Vtgacha yetishi mumkin. KUDning FIK 30-50 %ga yetadi.

Generator diodining yana bir turi bo‘lib Gann diodi hisoblanadi, u uzunligi 10^-2-10^-3 smdan iborat (r-n o‘tishsiz) bo‘lgan bir jinsli yarim o‘tkazgich plastinka ko‘rinishida bo‘ladi. Plastinkaning yon qismlariga katod va anod deb ataluvchi metall kontaktlar surtiladi. Gann diodlarini yasash uchun n-turdagi o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan intermetall birlashmalar - GaAs, InSb, InAs va InPlar qo‘llaniladi. Diod tebranma konturga joylashtiriladi. Kontaktlarga o‘zgarmas kuchlanish berilganda Gann diodida kuchlanganligi 3∙10³ V/sm bo‘lgan elektr maydon hosil qiladigan chastotasi 60 GGs bo‘lgan elektr tebranishlar yuzaga keladi. Tebranishlar quvvati 10 – 15 Vtgacha yetishi mumkin, FIK esa 10-12 % ga yetadi.