O‘ZBEKISTON RESPUBLIKASI AXBOROT VA KOMMUNIKASION TEXNOLOGIYALARINI RIVOJLANTIRISH VAZIRLIGI
MUXAMMAD AL-XORAZIMIY NOMIDAGI
TOSHKENT AXBOROT TEXNOLOGIYALARI UNIVERSITETI
Elektronika va radiotexnika kafedrasi
“Elektronika va sxemalar 2” fanidan
1- mustaqil ish
Mavzu: «UMUMIY EMITTER SXEMASI BO‘YICHA YIGʻILGAN BIPOLYAR TRANZISTORLI KUCHAYTIRGICH KASKADINI HISOBLASH»
Bajardi: 716-19 guruh talabasi
Haydarov Akbar
Toshkent 2021
Ishning maqsadi: umumiy emitter sxemasi bo‘yicha yig‘ilgan 2N2369A bipolyar tranzistorining kuchaytirgich kaskadlarini texnik parametrlarini hisoblash va o‘lchash bo‘yicha amaliy ko‘nikmalarni mustahkamlash.
Variantlar va dastlabki ma’lumotlar:
Variantlar
|
Tranzistor turi
|
Baza
sokin
toki Ibp, mkA
|
Manba kuchlanishi Ek, V
|
Kollektor qarshiligi Rk, Om
|
Kuchaytirgichning quyi chegaraviy chastotasi fN, Gs
|
24
|
BC548B
|
60
|
15
|
1400
|
300
|
1. BC548B tranzistorining parametrlarini hisoblash
1.1 UE sxemasi asosida BC548B tranzistorining kirish va chiqish statik xarakteristikalarining grafigini tuzish.
UE sxemasiga asosida BC548B tranzistorining kirish xarakteristikalari ya’ni Uke = 0 Vva Uke = 10 V bo‘lganida Ib = f(Ube) bog‘liqlik oilasi grafigini tuzish.
Tranzistorning parametrlarini aniqlash uchun sxema yig‘iladi.
Dostları ilə paylaş: |