Keywords: semiconductors, electricity, laboratory "Semiconductor solar cells",
photoelectric energy, professor G.M.Avakyants
Yarimoʻtkazgichlar - elektr tokini yaxshi oʻtkazuvchi moddalar (oʻtkazgichlar,
asosan, metallar) va elektr tokini amalda oʻtkazmaydigan moddalar (dielektriklar)
orasidagi oraliq vaziyatni egallaydigan moddalar. Mendeleyev davriy sistemasida II,
III, IV, V va VI guruhlarda joylashgan koʻpchilik elementlar. ularning bir qator
birikmalari yarimo'tkazgichlar jumlasiga kiradi. Yarimo'tkazgichlarda ham
metallardagi kabi elektr oʻtkazuvchanlik elektronlarning harakati tufayli yuzaga
keladi.
Biroq
elektronlarning
harakatlanish
sharoitlari
metallar
va
yarimo'tkazgichlarda
turlicha
boʻladi. Yarimo'tkazgichlar quyidagi asosiy
xususiyatlarga ega: yarimo'tkazgichlarning elektr oʻtkazuvchanligi temperatura
koʻtarilishi bilan ortib boradi (masalan, temperatura 1 K ga ortganda
yarimo'tkazgichlarning
solishtirma
oʻtkazuvchanligi 16-17 marta ortadi);
yarimo'tkazgichlarning elektr oʻtkazuvchanligida erkin elektronlardan tashqari atom
bilan bogʻlangan elektronlar ham ishtirok etadi (baʼzi hollarda bogʻlangan elektronlar
asosiy rol oʻynaydi); sof yarimo'tkazgichlarga ozmiqdorda qoʻshilma kiritib, uning
oʻtkazuvchanligini keskin oʻzgartirish mumkin (masalan, 0,01% qoʻshilma
kiritilganda yarimo'tkazgichlarning oʻtkazuvchanligi 10000 marta ortib ketadi). Past
tralarda yarimo'tkazgichlarning solishtirma qarshiligi juda katta boʻladi va amalda
"Science and Education" Scientific Journal
October 2020 / Volume 1 Issue 7
www.openscience.uz
17
ular izolyator hisoblanadi, lekin temperatura ortishi bilan ularda zaryad
tashuvchilarning konsentratsiyasi keskin ortadi. Masalan, sof kremniyda 20° trada
erkin elektronlar konsentratsiyasi ~1017m~3boʻlsa. 700° da 1024 m"3gacha, yaʼni
million
martadan
koʻproq ortadi. Yarimo'tkazgichlarda erkin elektronlar
konsentratsiyasining traga bunday keskin bogʻlikligi oʻtkazuvchanlik elektronlari
issiqlik harakati taʼsirida hosil boʻlishini koʻrsatadi. Yarimoʻtkazgich kristallda
atomlar valent elektronlari yordamida oʻzaro bogʻlangan. Atomlarning issiqlik
tebranishlari vaqtida issiqlik energiyasi valent elektronlar orasida notekis
taqsimlanadi. Ayrim elektronlar oʻz atomi bilan bogʻlanishni uzib, kristallda erkin
koʻchib yurish imkonini beradigan yetarli miqdordagi issiqlik energiyasiga ega boʻlib
qolishi va erkin elektronlarga aylanishi mumkin.
Tashqi elektr maydon boʻlmaganda bu erkin elektronlar tartibsiz harakat qiladi.
Elektr maydon taʼsirida esa maydonga qarshi yoʻnalishda tartiblangan harakatga
kelib, Yarimo'tkazgichlarda tok hosil qiladi. Erkin elektronlar yuzaga keltirgan
oʻtkazuvchanlik elektron yoki p tip oʻtkazuvchanlik deb ataladi.
Bogʻlangan elektronning oʻz atomini "tashlab ketishi" atomning elektr
neytralligini buzadi. unda "ketib qolgan" elektron zaryadiga miqdoran teng musbat
zaryad - teshik vujudga keladi. Tashqi elektr maydon boʻlmaganda elektronlar ham,
teshiklar ham tartibsiz harakatlanadi, tashqi maydon boʻlganda esa elektronlar
maydonga qarshi, teshiklar maydon boʻylab koʻchadi. Teshiklarning koʻchishi bilan
bogliq oʻtkazuvchanlik teshikli yoki rtmp oʻtkazuvchanlik deyiladi. Erkin elektronlar
soni bilan teshiklar soni bir-biriga tengligi tushunarli. Anqlanishicha, ularning
harakatlanish tezligi ham bir xil ekan. Demak, yarimo'tkazgichlardagi tok ayni vaqtda
ham elektron, ham teshikli oʻtkazuvchanlikdan vujudga keladi. Bunday electron
teshikli oʻtkazuvchanlik yarimo'tkazgichlarning xususiy oʻtkazuvchanligi deyiladi.
Xususiy oʻtkazuvchanlik sofda kuzatiladi. Biroq tabiatda sof yarimo'tkazgichlar yoʻq.
Baʼzi qoʻshilmalar yarimo'tkazgichlarni erkin elektronlar bilan boyitsa, boshqa baʼzi
qoʻshilmalar teshiklar bilan boyitadi. Yarimo'tkazgichlarda yuzaga keladigan bunday
oʻtkazuvchanlik qoʻshilmali oʻtkazuvchanlik deb ataladi.
Agar asosiy yarimo'tkazgichlar atomi oʻrniga elementlar davriy sistemasida
undan keyingi guruhda turgan element atomi kiritilsa, bu qoʻshilma atomning bitta
valent elektroni atomlararo bogʻlanishda ishtirok etmaydi va erkin elektronlar safiga
qoʻshiladi, binobarin, itip oʻtkazuvchanlik ortadi. Va, aksincha, undan oldingi oʻrinda
turgan element atomi kiritilsa, atomlararo toʻla bogʻlanishda 1 ta elektron
yetishmaydi, teshik hosil boʻladi. Bunda rtip oʻtkazuvchanlik ortadi. Qoʻshimcha
birinchi holda donor (elektron beruvchi) qoʻshilma, ikkinchi holda esa akseptor
(elektron oluvchi) qoʻshilma deb ataladi.
Shunday qilib, yarimo'tkazgichlarning elektr oʻtkazuvchanligi xususiy va
aralashmali oʻtkazuvchanliklar yigʻindisidan iborat boʻladi. Yuqori tralarda xususiy
"Science and Education" Scientific Journal
October 2020 / Volume 1 Issue 7
www.openscience.uz
18
oʻtkazuvchanlik, past tralarda esa qoʻshilmali oʻtkazuvchanlik asosiy rol oʻynaydi.
O‘tkazgichlarda
erkin
zaryadlar
mavjud
bo‘lganligi
uchun
tashqi
elektrostatik maydon ta’sirida o‘tkazgich sirtining bir qismida musbat ishorali erkin
zaryad, boshqa ikkinchi qismida esa manfiy ishorali zaryad paydo bo‘ladi.
O‘tkazgich ichida hech qanday erkin zaryad bo‘lmagani uchun elektrostatik
maydonham bo‘lmaydi. O‘tkazgichning sirti ekvipotensial sirt bo‘lganiuchun
zaryadlangan o‘tkazgichni potensial bilan harakterlash mumkin. O‘tkazgichning
zaryadi ortgan sari uning potensiali ham ortadi. O‘tkazgichning elektr zaryad to‘plash
xususiyatini ifodalovchi elektr kattalik elektr sig‘imi deyiladi. Miqdor jihatidan
yakkalangan o‘tkazgichning potensialini bir birlikka o‘zgartirish uchun zarur
miqdoriga teng. Elektr sig‘imi o‘tkazgichning o‘lchamlariga, geometrik shakliga va
atrof muhitning dielektrik singdiruvchanligiga bog‘liq. Amalda kondensatorlarni
parallel, ketmaket yoki aralash yo‘li bilan zarur elektr sig‘imi olinadi.
Elektr toki paydo bo‘lishi va doimo paydo bo‘lib turishi uchun:
1) moddada erkin elektr zaryadlari,
2) ularni tartibli harakatga keltiruvchi elektr maydon va
3) zanjir berk bo‘lishi kerak.
Yarimo‘tkazgichlar-moddaning ajoyib turi bo‘lib, ular o‘ziga xos xossalari bilan
boshqalardan yaqqol ajralib turadi. Umuman olganda, elektrik o‘tkazuvchanligiga
qarab moddalar uchta katta sinfga: o‘tkazgichlarga (elektrik o‘tkazuvchanligi 10
6
Om/sm dan kat-ta), yarimo‘tkazgichlarga (elektrik o‘tkazuvchanligi 10
-8
10
6
Om/sm
oralig‘ida) va dielektriklarga (elektrik o‘tkazuvchanligi 10
-8
Om/sm dan kichik)
bo‘linadi. Yarimo‘tkazgichlarning elektrik o‘tkazuvchanli-gi juda keng oraliqda
yotishi yuqoridagi ma’lumotlardan ko‘rinib turibdi.
Shu bilan birga yarimo‘tkazgichlarning o‘ziga xos muhim xususi-yatlaridan biri
elektrik o‘tkazuvchanligining ulardagi kirishma-larning turi va konsentratsiyasiga
nihoyatda sezgirligidir. Masa-lan, toza yarimo‘tkazgichga 10
-7
10
-10
miqdorda
kirishma kiritish bilan uning elektrik o‘tkazuvchanligini keskin o‘zgartirish mumkin.
SHu bilan birga yarimo‘tkazgichlarning yana bir muhim xususiyati - ular elektrik
o‘tkazuvchanligining
temperaturaga
o‘tasezgirligidir.
Bunday
bog‘lanishni
quyidagicha ifodalash mumkin:
=V∙exp(-W
a
/ kT)
bu yerda, -berilgan T-temperaturadagi elektrik o‘tkazuvchanlik, V-o‘zgarmas
doimiy, W
a
-zaryad tashuvchilarning faollanish energiyasi, k-Bolsman doimiysi, T-
mutlaq temperatura. Chunonchi, yarimo‘tkaz-gichning temperaturasi 1
0
S ga
o‘zgarganda uning elektrik o‘tkazuv-chanligi 5-6 ga o‘zgarishi mumkin. Juda
ko‘plab yarimo‘tkazgichlarga va ular asosida yasalgan asboblarga yorug‘lik,
ionlovchi nurlar va shu kabilarning ta’sirlari ham elektrik o‘tkazuvchanlikning keskin
o‘z-garishiga olib keladi. Bunga turli yarimo‘tkazgich detektorlarni, yorug‘lik
"Science and Education" Scientific Journal
October 2020 / Volume 1 Issue 7
www.openscience.uz
19
diodlarini, yorug‘lik rezistorlarini va qator boshqa asbob-larni ham misol qilib
ko‘rsatish mumkin. Shuni eslatib o‘tish joizki, yarimo‘tkazuvchanlik xossasi faqat
qattiq jismlargagina xos bo‘lmay, suyuq holatdagi organik birikmalardan iborat
shisha-simon, amorf tuzilishga ega bo‘lgan yarimo‘tkazgichlar ham shunday
xossalarga egadirlar. Ular o‘zlarining bir qator ma’lum kamchilik-lari tufayli
hozircha texnikada keng tatbiq qilinganicha yo‘q. Qattiq jismlardan yarimo‘tkazgich
xossasiga ega bo‘lgan moddalar qato-riga juda ko‘p turli moddalar, masalan,
kremniy, germaniy, bor, olmos, fosfor, oltingugurt, selen, tellur, ko‘pchilik tabiiy
mine-rallar va qator birikmalar: GaAs, GaP, JnSb, SiC, ZnS, CdTe, GaSb va
hokazolar kiradi. Bu yarimo‘tkazgichlar o‘zlarining xilma-xil xossalari bilan bir-
birlaridan ancha farq qiladilar. SHuning uchun ham turli maqsadlar uchun turli
yarimo‘tkazgichlar qo‘llaniladi.
Biroq, hozirgi zamon texnikasida asosan bir necha xil yarim-o‘tkazgichlar keng
ishlatilmoqda. Bularning ichida eng oldingi o‘rinlarda kremniy (Si), germaniy (Ge),
galliy
margimushi
(GaAs)
turadi.
Ayniqsa
kremniy
hozirgi
zamon
mikroelektronikasida o‘zining ko‘p xossalari bilan murakkab texnologik talablarga
javob beranligi sababli asosiy material o‘rnini egallab turibdi.
Elektron texnikasida ishlatiladigan ko‘pchilik yarimo‘tkazgich materiallar
kristall tuzilshga ega. Yarimo‘tkazgichning kristall tu-zilishi naqadar mukammalligi,
unda turli nuqsonlarning bor yoki yo‘qligi va ularning miqdori yarimo‘tkazgichning
asosiy xossalarini belgilab beruvchi omildir. SHu boisdan, qisqa bo‘lsa ham asosiy
yarimo‘tkazgich moddalar - kremniy va germaniyning kristall tuzilishi va uning
asosiy xususiyatlari haqida to‘xtalib o‘tamiz.
Yarimo’tkazgich materiallar quyidagi xossalari bilan boshqa materiallardan
ajralib turadi:
1. Yarimo’tkazgich materialining solishtirma qarshiligi temperatura oshishi
bilan eksponensial qonuniyatga asosan oshadi.
2. Yarimo’tkazgich materiallarning solishtirma qarshiligini kirishma atomlarini
legirlash yo’li bilan o’zgartirish mumkin. Misol uchun 1 kg Si ga 0,001 mg ya’ni Si
dagi atomlar sonidan 10
9
marta kam bo’lgan B, P yoki Sb ni qo’shadigan bo’lsak,
uning solishtirma qarshiligi 10
3
marta oshadi. Demak, xona haroratida Si solishtirma
qarshiligini faqat kirishma atomlar konsentratsiyasi 10
11
÷10
19
sm
-3
ga oshirish
hisobiga uning solishtirma qarshiligi ρ ~ 10
5
Om·sm dan ρ ~ 10
-3
Om·sm ga
o’zgartirish mumkin. Demak, yarimo’tkazgichlarga kirishma elementlari kiritilganda
ularning xususiyatlarini keskin o’zgarishi ham ularning noyob xossaga ega
ekanligidan darak beradi.
3. Yarimo’tkazgich materiallarida metallardan farqli holda 2 xil tok tashuvchilar
ya’ni elektron va kovaklar mavjud. Bu degan so’z bitta yarimo’tkazgich materiali
asosida elektron o’tkazuvchanlikka ega bo’lgan n− tip yoki kovak o’tkazuvchanlikka
"Science and Education" Scientific Journal
October 2020 / Volume 1 Issue 7
www.openscience.uz
20
ega bo’lgan p− tip material olishimiz mumkin. Mana bu xususiyat «Qattiq jismlar
elektronikasi» ga asos bo’lishi diod (p−n) va tranzistorlarning kashf etilishiga va
hozirgi zamon mikro hamda nanoelektronika paydo bo’lishiga va rivojlanishiga asos
bo’ldi. Yarimo’tkazgich materiallarining mana bu o’ta noyob xossasi insoniyat
hayotida texnika yo’nalishi bo’yicha texnika revolyutsiya davrini boshlab berdi.
4. Metallarda umuman mavjud bo’lmagan tushuncha tok tashuvchilar (elektron
va kovaklarning) yashash vaqti va boshqarish yo’llari yarimo’tkazgichlar asosida
umuman yangi turdagi elektron asboblar yaratish imkonini berdi. Bular –lazerlar,
fotoelmentlar va boshqalar. Yarimo’tkazgichlarda tok tashuvchilar yashash vaqti juda
katta oraliqda 10
-3
÷10
-11
sek, o’ta tez ishlaydigan hozirgi zamon hisoblash
mashinalari paydo bo’lishiga olib keldi.
5. Metallarga qaraganda yarimo’tkazgich materiallari elektrik, optik, magnit
xossalari tashqi ta’sirga (magnit maydon, radiatsiya, bosim, yorug’lik va h. k. ) o’ta
sezgirdir. Mana bu noyob xossa− tubdan yangi –fotoelementlar, fotopryomniklar
yaratilishiga olib keldi. Bu esa hozirgi zamon hisoblash texnikasi, robotatexnika va
diagnostika sohalarini o’ta yuqori darajada rivojlanishiga asos bo’ldi.
6. Yarimo’tkazgich materiallarni metallardan yana bir alohida xususiyati bu tok
tashuvchilar harakatchanligi nafaqat o’ta yuqori qiymatlarga va balki, harorat hamda
nuqsonlarga o’ta bog’liqdir.
Element va kristall panjara tuzilishiga ko’ra yarimo’tkazgichlar oltita guruhga
bo’linadilar:
1. Elementar yarimo’tkazgichlar;
Si, Ge va Sn.
2. Birikmali yarimo’tkazgichlar A
III
B
V
; AlAs, AlP, GaAs, GaP, InAs va InP.
3. Birikmali yarimo’tkazgichlar A
II
B
VI
; CdS, CdSe, CdTe va ZnS.
4. Birikmali yarimo’tkazgichlar A
IV
B
IV
; SiC. SiGe.
5. Birikmali yarimo’tkazgichlar A
VI
B
VI
; PbS, PbSe va PbTe .
6. Murakkab yarimo’tkazgichlar materiallar; Zn
x
Ga
1-x
As, Zn
x
Hg
1-x
Te.
Umuman barcha elementar yarimo’tkazgichlar hamda ko’pgina birikmali
yarimo’tkazgichlar (A
III
B
V
va A
II
B
VI
), va shuningdek ba’zi bir murakkab
yarimo’tkazgich materiallar olmos yoki rux obmanka kristall panjarasiga mansub
tetraedrik fazada, ya’ni har bir atomni bir xil masofada to’rtta atom o’rab turishi
orqali bog’langan. Bir - biriga qo’shni yaqin atomlarni bog’lab turish spinlari qarama
- qarshi tomonga yo’nalgan elektron juftlik orqali izohlanadi. Shuning uchun
elementar yarimo’tkazgichlarda kimyoviy bog’lanishni 100% kovalent bog’lanish
hosil qiladi deb qarash mumkin. Birikmali yarimo’tkazgichlar A
III
B
V
da bog’lanish
ion – kovalent ko’rinishida bo’ladi. Birikmali yarimo’tkazgichlar A
II
B
VI
bog’lanishlarning bir qismini ion bog’lanish tashkil etadi.
"Yarim o'tkazgichli quyosh elementlari" laboratoriyasi 1975 yildan beri GaAs
va Si asosidagi yarim o'tkazgichli fotoelektrik hodisalar va quyosh elementlarini
"Science and Education" Scientific Journal
October 2020 / Volume 1 Issue 7
www.openscience.uz
21
ishlab chiqarish texnologiyasini rivojlantirish, ilmiy va amaliy tadqiqot ishlari bilan
shug’ullanadi. Hozirgi vaqtga qadar, samaradorligi 22% gacha bo’lgan GaAs
asosidagi quyosh elementlarini tayyorlash texnologiyasi ishlab chiqilgan. 2-150 Vt
quvvatga ega fotovoltaik batareyalarni ishlab chiqarish texnologiyasi ishlab chiqildi
va fotovoltaik tizimlar ishlab chiqarish uchun buyurtmalar qabul qilindi.
Fotoelektirik qurilmalar laboratoriyada electron blok boshqarish va nazorat
qilish tizimi (akkumulyasiyalovchi tizim, inverter va kontrollerlar) bilan birgalikda
komplekt holda yig’ib tayyorlanmoqda. Yarim o'tkazgichli quyosh elementlari
laboratoriyasida quyidagi uskuna va qurilmalar keng ishlab chiqarishga joriy etish
maqsadida hamda ilmiy islanishlarda foydalanish uchun ishlab chiqilgan va sinovdan
o’tkazilgan:
- 18% bir samaradorligini bilan 1-100 AM 1,5 va Si quyosh nurlanish2 -50 vatt
quvvatga ega mobil telefonlar, noutbuklar va kommunikatsion uskunalarni zaryad
qilish uchun quyosh batareyasi.
- Fotoelektrik tizim asosida shahar va qishloqlarning ko'chalari va maydonlarini
hamda ob'ektlarni yoritish.
- 100 metrgacha chuqurlikdagi quduqlardan suv olish uchun fotoelektrik tizim.
- 60 °C haroratgacha soatiga 20 litr issiq suv va elektr energiyasi olish imkonini
beradigan quvvati 50-150 vatt bo’lgan fotoissiqlik o’sgartirgich tizimi.
- Issiqxona uchun fotoelektrik energiya ta'minoti tizimi. Favqulodda
vaziyatlarda favqulodda vaziyatlarni keltirib chiqaradigan avtonom ko'p funksiyali
mobil fotovoltaik tizim.
Hozirgi vaqtda laboratoriya Markaziy Osiyodagi respublikalarning issiq
iqlimida samarali ishlash uchun fotovoltaik kameralar, batareyalar va inshootlarni
rivojlantirish bo'yicha tadqiqotlar olib boradi.
Fizika-texnika instituti bazasida kremniy fotoelektr batareyalarini ishlab
chiqarish uchun eksperimental tarmoq mavjud. Ishlanmalar asosida fotoelektrik
elementlarni yaratish, barcha texnologiyasi mamlakat viloyatlari sharoitiga (harorat,
chang) moslashishini inobatga olgan holda yaratiladi. Mahsulotlar fotoelektrik
batareya va fotoelektrik qurilmalar ko’rinishida (quvvati 2-10000 Vt) invertor,
akkumulyatorlar bilan ta’minlangan holda ishlab chiqarilmoqda. Narxlarni
minimallashtirish uchun fotovoltaik qurilmalarni loyihalash va ishlab chiqarish
xaridorlar tomonidan taqdim etilgan maxsus texnik talablarni hisobga olgan holda
amalga oshiriladi.
1960-yili
fizika
fakultetining
nazariy
fizika
kafedrasi
bazasida
yarimo`tkazgichlar va dielektriklar fizikasi ilmiy yo`nalishi va mutaxassisligining
poydevoriga dastlabki qadamni ushbu kafedra va uning qoshidagi yarimo`tkazgichlar
muammolari
laboratoriyasi
mudiri,
professor
G.M.Avakyants
qo`ydi
va
yarimo`tkazgichlar fizikasi bo`yicha dastlabki mutaxassislar tayyorlana boshlandi.
"Science and Education" Scientific Journal
October 2020 / Volume 1 Issue 7
www.openscience.uz
22
Ushbu sohaning ilk mutaxassislaridan dotsent A.T.Teshaboev yarimo`tkazgichlar
muammolari laboratoriyasining va ixtisoslikning rahbari etib tayinlandi va 1966-
1981- yillarda bu ilmiy yo`nalish va ixtisoslikka ko`plab iqtidorli yoshlar jalb etildi.
Ilmiy tadqiqot ishlarining salmog`i, ularning ilmiy va amaliy ahamiyati,
mutaxassislar tayyorlash sohasidagi yutuqlar 1970-yili respublikada birinchi
Yarimo`tkazgichlar va dielektriklar fizikasi kafedrasining tashkil topishiga asos
bo`ldi. Kafedraning tashkilotchisi va birinchi mudiri professor A.T.Teshaboev (1970-
1981- yillar) bo`ldi. 1981-1996-yillari ushbu lavozimda professor S.Z.Zaynobidinov
faoliyat ko`rsatgan bo`lsa, 1996-yildan 2012-yilgacha professor S.I.Vlasov mudirlik
qildi.
2012- yilda yarimo`tkazgichlar va dielektriklar fizikasi va Polimerlar fizikasi
kafedralarini birlashtirish natijasida uning nomi Yarimo`tkazgichlar va polimerlar
fizikasiga aylandi. Ushbu kafedraga 2012- yildan 2017- yilgacha dotsent D.E.Nazirov
mudirlik qildi. 2018- yilning yanvar oyidan boshlab kafedraga dots. A.A.Nasirov
mudirlik qilmoqda. Kafedrada Fizika yo`nalishidagi bakalavriaturada Mexanika,
Molekulyar fizika , Elektr va magnetizm, Fizikaviy elektronika va Kondensirlangan
holatlar
fizikasi
kurslaridan,
ikkita
magistratura
mutaxassisliklari:
Kondensatsiyalangan muhitlar fizikasi (turlari bo`yicha) (5A140204) va Geliofizika
va quyosh energiyasidan foydalanish (5A140203) yo`nalishlarida 24 ta maxsus
kurslar bo`yicha o`quv jarayoni olib boriladi. Kafedra tarkibida Mexanika,
Molekulyar fizika, Elektr va magnitizm va Yarimo`tkazgichlar fizikasi o`quv
laboratoriyalari xamda Yarimo`tkazgichlar va mikroelektronika (rahbar -
Sh.B.Utamuradova) ilmiy laboratoriyasi mavjud.
Hozirgi zamon elektron texnikasida fotoelektrik va elektrooptik signallarni
o‘zgartirish prinsiplariga asoslangan yarimo‘tkazuvchi asboblar keng qo‘llaniladi. Bu
prinsiplardan birinchisi unda yorug‘lik energiyasini (yorug‘lik kvantlari) yutish
natijasida moddalarning elektrofizik xususiyatlarini o‘zgarishiga olib kelishi. Bunda
moddaning o‘tkazuvchanligi o‘zgaradi yoki elektr yurutuvchi kuch (EYUK)
paydobo‘ladi, bu esa fotosezgirlik element ulangan zanjirdagi tokning o‘zgarishiga
olib keladi. Ikkinchi prinsip moddada nurlanish generatsiyasi bilan bog‘liq bo‘lib,
unga berilgan kuchlanish va yorug‘ilk chiqaruvchi element orqali oqadigan tok bilan
belgilangan. Ko‘rsatilgan prinsiplar optoelektronikani ilmiy asoslarini tashkil qiladi –
bu yangi ilmiy-texnik yo‘nalish bo‘lib, bunda ma’lumotlarni uzatish, qayta ishlash va
saqlash uchun ham elektrik, ham optik vositalar va usullar ishlatiladi.
Yarimo`tkazgichli asboblar vujudga kelishi radiotexnikada inqilobiy burilish
yasadi. Ularning soddaligi va kichikligi, mikromodullar sifatida uzluksiz ravishda
bosib chiqarish usuli bilan tayyorlash imkonini yaratdi. Mikromodullar yupqa
varaqlardek bo`lib, ularda diodlar, triodlar, qarshiliklar va radiosxemaning boshqa
elementlari zarb qilinadi. Mikromodullarning turli kombinatsiyalarini tuzib oldindan
"Science and Education" Scientific Journal
October 2020 / Volume 1 Issue 7
www.openscience.uz
23
belgilangan parametrli radioqurilmalarni yasash mumkin. Hozirgi paytda
yarimotkazgichli diodlar, triodlar, rezistorlar ishlatilmaydigan asboblarning ozi
mavjud emas. Yarimo`tkazgichli termistor yordamida temperaturani o`lchovchi
detektor, elementar zarralarni qayd etuvchi, fotorezistor-yorug`lik energiyasini qayd
etuvchi va ko`plab boshqa asboblarni misol qilib keltirish mumkin. Kosmik
kemalarning barchasi quyosh energiyasini elektr energiyasiga aylantirib beruvchi
yarimo`tkazgichli quyosh batareyalari bilan jihozlangan bo`lsa, tibbiyot insonning
nozik organlariga kirib uning faoliyatidan ma’lumot beruvchi datchiqlar (qayd
etuvchilar)
bilan
jihozlangandir.
Garchi,
ushbu
dalillarning
o`zi
ham
yarimo`tkazgichli asboblarning foydalanish sohasi kengligini ko`rsatib tursada hali
ularning ishlatilish istiqbollari juda keng. Bu sohadagi izlanishlar tugamagan bo`lib,
insoniyat yarimo`tkazgichlar fizikasidan ko`plab yangiliklarni kutmoqda .
Dostları ilə paylaş: |