Zbekiston respublikasi

G a l l i y a r s e n i d i (GaAs) – margimush va galliyni qo‘shilishidan hosil bo‘ladi va monokristalli yarim o‘tkazgich hisoblanadi. Yuqori darajada elektron va teshiklarning xarakatchan bo‘lishi galliy arsenidining xarakterli xususiyati hisoblanadi. Uning bu xususiyatidan katta chastota va yuqori haroratlarda ishlay oladigan galliy arsenidi asosida tayyorlangan priborlarni yaratish imkonini beradi. n-p-o‘tish uchun ishchi harorat 300—400°C gacha ruxsat berilgan, ya’ni bu germaniy va kremniy asosida tayyorlangan yarim utkazgichlarnikidan yuqori qiymatlarda bo‘ladi. Shu bilan birgalikda galliy arsenididan yarim o‘tkazgichli mikrosxemalarning asosini tayyorlash maqsadida ham foydalaniladi.

20°C haroratda galliy arsenidining asosiy xarakteristikalari quyidagiga teng: zichligi 5400 kg/m³; ρ=10⁴÷10⁹ Om·sm; ε=11,2. Erish harorati 1237°C.

Namlik va radiatsion nurlanishlar ko‘rinishidagi tashqi ta’sirlar kuchli darajada yarim o‘tkazgichli elementlarni xarakteristikalarini pasaytiradi, shuning uchun tashqi ta’sirdan himoyalanish maqsadida ularni germetik (metall, keramik yoki plastmassali) korpuslarga joylashtiriladi.

II bob Yarim o’tkazgichli elektronika elementlarini tayyorlash texnologiyasi va ularni o‘stirish usullari