Ózbekstan respublikasí sanlí texnologiyalar ministrligi muhammed

^I0 ^{signal ámelde bolmaǵanda, diodlardaǵı kernew} páseyiwi kishi bolatuǵın etip saylanadı, VT1 hám VT2 hám de VT4 hám VT5 tranzistorlar derlik tuyıq jaǵdayda boladı.
Kaskadtıń shıǵıw qarsılıǵı ámelde VT2 yamasa VT1 tranzistorlardıń tuwrı jıljıǵan EO'lari qarsılıǵına teń, yaǵnıy júdá kishi boladı.
VT4 hám VT5 tranzistorlardıń qorǵawshı funksiyaları tómendegishe ámelge asadı. Normal jumıs rejiminde olar tuyıq boladı. Úlken signalda yamasa shıǵıw kútilmegende kernew dereginiń elektrodlarınan birine qısqa tutasqanda VT4 hám VT5 tranzistorlardan biri ashıladı hám nátiyjede qorǵawshı VT1 yamasa VT2 tranzistorlar baza toǵınıń bir bólegine aǵadı hám usınıń menen VT1 hám VT2 tranzistorlardıń emitter - baza ótiwi shuntlanadi. Bul olardı oǵada kóp júkleniwden saqlaydı.
Paydalanılǵan ádebiyatlar:

1. 
   И.С. Андреев, Х.К. Арипов, Ж.Т. Махсудов, Ш.Б. Рахматов. Полупроводниковые приборы многослойной структуры. Транзисторы и тиристоры. Част 1: Учебное пособие. — Т.: ТЭИС, 1994. 164 с.
   
2. 
   X.K. Aripov, A.M. Abdullayev, H.B. Alimova. Elektronika: O'quv qo‘llanma. - Т.: TATU, 2009. - 136 b.