Ózbekstan respublikasí sanlí texnologiyalar ministrligi muhammed

Ri dıń ma`nisi ádetde 100 kOm÷1 MOm, R bolsa 1÷2 kOm boladı. Sol sebepli signal uzatıw koefficiyenti birge jaqın boladı.
Kúsheytirgishlerdiń shıǵıw kaskadlari (CHK) júklemede
0, 01÷1000 Vt bolǵan jetkiliklishe úlken quwattı támiyinlewi zárúr. CHKlari kernew dáreginiń tiykarǵı quwatın paydalanadı. Sol sebepli, FJKtin asırıw maqsetinde tınıshlıq rejiminde (yaǵnıy signal bolmaǵan jaǵdayda) kaskadtıń nolge jaqın bolıwı maqul.
Emitter qaytarǵısh túrdegi bir taktli CHKlar A klass rejiminde hám FJKtiń kishiligi sebepli shıǵıw quwatınıń kishi mánislerde isleydi.
Shıǵıw quwatı úlken CHKlarda tek ǵana eki taktli kúsheytirgish kaskadlar isletiledi. Bunday kúsheytgishler V hám AV klass rejimlerinde tranzistorlardıń izbe-iz islewi menen támiyinlenedi.

2. 
   súwret.V klasına tiyisli eki taktli kúsheytirgish sxeması
   

Sxemada absolyut mánisleri teń + Yem hám - Yem eki polyuslı kernew derekleri isletilgen.Tınıshlıq rejiminde EO'larda kernew nolge teń bolǵanı ushın eki tranzistor tuyıq bolıp, kernew dereginen energiya sarıplanbaydı.
Kiriwge U_KIR dıń oń yarım dáwiri berilgende VT1 ashıladı hám júkleme arqalı I_E1 tok aǵıp ótedi. Teris yarım dáwirde VT2 ashıladı hám I_E2 tok júklemeden qarsı jóneliste aǵıp ótedi.
Quwat kúsheytirgishti tek tok kúsheytirgishi esabına ámelge asırıp, emitter hám baza tokları qatnasına teń, yaǵnıy β+1 boladı. Kúsheytirgishtiń maksimal FJK η = 78,5 % ti quraydı.

3. 
   súwret. V klass kúsheytirgishlerdegi sızıqlı emes ózgerisler
   

4. 
   súwret.AV klasına tiyisli eki taktlı kúsheytirgish sxeması VT1 hám VT2 shıǵıw tranzistorların basqarıwshı kernewdi
   

payda etiw ushın kúsheytirgishte VT3 tiykarındaǵı qosımsha kaskad isletilingen. Ol UE sxemaǵa jalǵanǵan.
Rezistor R shıǵıw tokı boyınsha izbe-iz MTA shınjırın payda etedi. Ol kaskad jumıs rejimin turaqlılaydı. Bunnan tısqarı, VT3 tranzistor pútkil CHK kúsheytiw koefficiyentin asıradı. R qarsılıq mánisi sonday saylap alamız, A noqat potensialı, tınıshlıq rejiminde nolge teń bolsın. VD1 hám VD2 diodlar VT1 hám VT2 tranzistorlar parametrleri birdey bolǵanı ushın V noqat potensialı (tınıshlıq rejiminde kaskadtıń CHK kernewi)hám de nolge teń boladı.
VT1 hám VT2 tranzistorlar eki taktli tok kúsheytirgishtiń jelkelerin quraydı. Kirisiw kernewiniń hár bir yarım dáwirinde júkleme toǵı kúsheytirgishtiń óz jelkesi menen payda boldı.
VT4 hám VT5 tranzistorlar VT1 hám VT2 tranzistorlardı oǵada júkleniwden saqlaw ushın xızmet etedi. VD1 hám VD2 diodlar BTG menen birgelikte AV klass jumıs rejimin támiyinlew ushın jıljıtıw shınjırların payda etedi. Jıljıtıw shınjırları VT1 hám VT2 tranzistorlarǵa emitter - baza kernewlerdi beriw ushın xızmet etedi.
^{BTG toǵı}