3- LABORATOIYa IShI
BTda yasalgan UB kuchaytirgich sxemasini tadqiq etish
Ishning maqsadi: Sxemalarda bipolyar tranzistor (BT) bazasi umumiy (UB) qilib bajarilgan kuchaytirgich kaskadlarini tajribada tahlil qilish; yuklama (omik) qarshiligi qiymatining kuchaytirgich parametrlariga ta’sirini o’rganish.
Sxemalarda signal manbai BT ning baza yoki emitter elektrodiga, yuklama esa kollektor yoki emitter elektrodiga ulanishi mumkin. Bu xollarda BTning uchinchi elektrodi kirish va chiqish zanjirlari uchun umumiy bo’lib qoladi. Sxemalarda tranzistorning qaysi elektrodi signal (o’zgaruvchan tok) bo’yicha umumiyligiga qarab, tranzistor UE, UB, UK ulanishlarga ega deyiladi. Bunday sxemalar umumiy emitter (UE)li, umumiy baza (UB)li, umumiy kollektor (UK)li deb nomlangan (3.1-rasm).
Elektron sxemalarni tahlil qilish uchun BT ning elektrodlari orasidagi tok va kuchlanishlar bir-biri bilan qanday bog’langanligini, ya’ni uning volt-amper xarakteristikasi (VAX)ni bilish zarur.
Kuchaytirgich kaskadlarini tahlil qilishda bizni qo’yidagi parametrlar qiziqtiradi: quvvatni kuchaytirish koeffitsienti Kr, kuchlanish bo’yicha kuchaytirish koeffitsienti KU, tok bo’yicha kuchaytirish koeffitsienti K1, kuchaytirgich kaskadining past chastotalari oralig’idagi kirish qarshiligi RKIR va chiqish qarshiligi RChIQ. Past chastotalarda (kvazistatik rejimda) BTning tok bo’yicha kuchaytirish koeffitsientini va r-n o’tishlar parazit sig’imlarning chastotaviy o’zgarishlari hisobga olinmaydi. S1, S2 va S3 kondensatorlar sig’imlari shu qadar katta (mkF) olinadiki, ishchi chastotalarda ularning qarshiliklarini hisobga olmasa bo’ladi. Bu elektr ta’minlash manbai EK ga ham tegishli chunki Sf kondensator elektr manbai o’zgaruvchan tok bo’yicha shuntlanadi.
3.1-rasmdagi R1 va R2 rezistorlar, RK va RYu rezistorlardek parallel ulangan
3.1 – rasm.UB sxemasidagi kuchaytirgich bosqichi sxemasi.
Dostları ilə paylaş: |