Al-xorazmiy nomidagi toshkent axborot texnologiyalari universiteti



Yüklə 447,75 Kb.
səhifə1/2
tarix23.03.2023
ölçüsü447,75 Kb.
#89317
  1   2
Zbekiston respublikasi axborot texnologialari va komunikatsialar



O’ZBEKISTON RESPUBLIKASI AXBOROT TEXNOLOGIALARI VA KOMUNIKATSIALARNI RIVOJLANTIRISH VAZIRLIGI MUHAMMAD AL-XORAZMIY NOMIDAGI TOSHKENT AXBOROT TEXNOLOGIYALARI UNIVERSITETI

Elektronika va Sxematika


Mustaqil Ish



Guruh:CAE003
Bajardi: Elov Ruslan
Tekshirdi: Sattorov Xurshid
Мавзу:
«УМУМИЙ ЭМИТТЕР СХЕМАСИ БЎЙИЧА ЙИҒИЛГАН БИПОЛЯР ТРАНЗИСТОРЛИ КУЧАЙТИРГИЧ КАСКАДИНИ ҲИСОБЛАШ»
Ишнинг мақсади: умумий эмиттер схемаси бўйича йиғилган биполяр транзисторли кучайтиргич каскадларини техник параметрларини ҳисоблаш ва ўлчаш бўйича амалий кўникмаларни мустаҳкамлаш.

Мустақил ининг вазифаси:


Multisim дастури асосида умумий эмиттер (УЭ) схемаси бўйича йиғилган биполяр транзисторли (БТ) кучайтиргич каскадини хисоблаш
(1- расм).




  1. расм. Умумий эмиттер схемаси бўйича йиғилган биполяр транзисторли кучайтиргич каскади

Ишни бажариш тартиби:

    1. Берилган транзисторнинг параметрларини ҳисоблаш.

      1. БТ нинг УЭ схемасига асосан кириш ва чиқиш статик характеристикалар оиласи графигини тузиш.

      2. БТ нинг УЭ схемаси асосида йиғилган вольтампер характеристикаси бўйича транзисторнинг h– параметрларини график усулда аниқлаш.

    2. БТ нинг УЭ бўйича йиғилган кучайтиргич каскади элементлари параметрларини ҳисоблаш.

2.1. Каскаднинг қаршилик элементларини хисоблаш. 2.2.Каскаднинг сиғимли элементларини хисоблаш
2.3. Элементларнинг аниқланган параметрлари бўйича Multisim дастури асосида умумий эмиттер схемаси бўйича йиғилган биполяр транзисторли кучайтиргич каскадининг схемасини йиғинг.

    1. Кучайтиргич каскадини параметрларини аниқлаш.

      1. Кучайтиргич каскадини кириш ва чиқиш қаршилигини аниқлаш.

3.2. Кучланиш, ток ва қувват бўйича кучайтириш коэффициентларини аниқлаш.

    1. УЭ схемаси бўйича берилган транзисторда йиғилган кучайтиргич каскадини амплитуда-частотавий характеристикаси графигини тузиш.

Амплитуда-частотавий характеристикадан кучланиш бўйича кучайтириш коэффициенти 𝐾𝑈𝑚𝑎𝑥 ни ва ўтказиш йўлаги Δf ни максимал қийматини аниқлаш.
Вариантлар ва дастлабки маълумотлар:

Вариантлар


Транзистор тури



База сокин токи
Iбп, мкА

Манба кучланиши Ек, В

Коллектор қаршилиги Rк, Ом

Кучайтиргичнинг қуйи чегаравий частотаси fН, Гц

13

BC549BP

50

5

600

200

1. BC549BP транзисторининг параметрларини ҳисоблаш


1.1 УЭ схемаси асосида BC549BP транзисторининг кириш ва чиқиш статик характеристикаларининг графигини тузиш.
УЭ схемасига асосида BC549BP транзисторининг кириш характеристикалари яъни Uкэ = 0 Вва Uкэ = 10 В бўлганида Iб = f(Uбэ) боғлиқлик оиласи графигини тузиш.
Транзисторнинг параметрларини аниқлаш учун схема йиғилади.
1- расм

1- расм. Транзисторнинг кириш характеристикалари оиласини аниқлаш

Аниқланган IБ ва UБЭ қийматларини 1- жадвалга киритамиз. Бу қийматлар асосида BC549BP транзисторининг кириш характеристикалари оиласи графигини тузамиз.


BC549BP транзисторнинг УЭ схемасига мос равишда Uкэ = 0 В ва Uкэ = 10 В бўлганда Iб = f(Uбэ) кириш характеристикалари оиласи



UКЭ=0В

UКЭ=10В

IБ, мкА

UБЭ, мВ

IБ, мкА

UБЭ, мВ

25

605

25

696

50

626

50

720

75

638

75

735

100

647

100

747

125

654

125

757

150

659

150

766

175

664

175

774

200

668

200

781

250

675

250

793

300

680

300

804

350

684

350

814

400

688

400

823




(2- расм). BC549BP транзисторининг Iб = f(Uбэ) кириш характеристикалари оиласи графиги
УЭ схемасига асосан BC549BP транзисторининг чиқиш характеристикалари, яъни Iб = const бўлганида Iк = f(Uкэ) боғлиқлик оиласи графигини тузиш.

Транзистор параметрларини аниқлаш учун 2 схема йиғилади (3- расм)
База токининг Iб = 25 мкА; Iб = 50 мкА; Iб = 75 мкА; Iб = 100 мкА; Iб = 125 мкА; Iб = 150 мкА қийматларида транзисторнинг коллектор токи Iк ва коллектор ва эмиттер орасидаги кучланиш Uкэ олинган қийматларини 2-жадвалга киритамиз. Бу қийматлар асосида BC549BP транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласи Iб = const бўлганда Iк = f(Uкэ) графиги тузилади.

BC549BP транзисторининг чиқиш характеристикалари оиласи


Iк = f(Uкэ)

UКЭ

IБ=25 мкА бўлганда
IК

IБ=50мкА бўлганда
IК



IБ=75 мкА бўлганда
IК

IБ=100мкА бўлганда
IК

IБ=125 мкА бўлганда
IК

IБ=150мкА бўлганда
IК

0

0.29779

0.74952

1.24589

1.7585

2.27378

2.7842

0,5

7.314

14.441

21.092

27.324

33.198

38.766

1,0

7.363

14.536

21.232

27.506

33.419

39.025

2,0

7.459

14.729

21.513

27.869

33.861

39.541

3,0

7.556

14.92

22.793

28.233

34.304

40.058

4,0

7.653

15.112

22.074

28.597

34.746

40.574

5,0

7.751

15.305

22.355

28.961

35.189

41.092

6,0

7.846

15.496

22.634

29.325

35.632

41.608

7,0

7.946

15.688

22.915

29.687

36.072

42.125

8,0

8.041

15.88

23.197

30.0.52

36.516

42.641

9,0

8.139

16.071

23.476

30.417

36.955

43.157

10

8.237

16.264

23.759

30.781

37.399

43.675

15

8.72

17.222

25.16

32.598

39.611

46.256

20

9.205

18.186

26.56

34.415

41.823

48.839

Транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласи Iк = f(Uкэ) графигини тузамиз (4-расм).

4-расм. BC549BP транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласи
Iк = f(Uкэ) графиги

1.2 BC549BP транзисторининг умумий эмиттер схемаси учун олинган вольтампер характеристикасидан график усулда h– параметрини аниқлаш.


B C549BP транзисторининг кириш характеристикалари оиласи Iб = f(Uбэ) дан, h11э ни аниқлаймиз. Транзисторнинг статик режимини аниқловчи Uкэ=10 В га мос келувчи берилган база сокин токи Iбп=50 мкА қиймати ёрдамида “А” ишчи нуқтани аниқлаймиз.
“А” нуқтанинг координаталри: Iбп=50 мкА, Uбэп=716 мВ.
“А” ишчи нуқта яқинида бир хил масофада иккита ёрдамчи нуқталар аниқлаб оламиз ва оралиқ база токи ΔIб ва оралиқ кучланиш ΔUбэқийматини аниқлаб, қуйидаги ифода ёрдамида дифференциал қаршиликни топамиз::
5- расмдан Iб1=25 мкА, Iб2=75 мкА, Uбэ1=696 мВ, Uбэ2=735мВ қийматларни оламиз. У ҳолда h11эқуйидагича аниқланилади:


5- расм.h11э параметрини график усулда аниқлаш
2N2369A транзисторининг кириш характеристикалари оиласи
Iб = f(Uбэ) дан, h12э ни аниқлаймиз. Бунинг учун Uкэ=0В холатида олнган характеристикани кесишувчи “А” нуқтадан горизантал чизиқ ўтказиб оламиз.2N2369A транзисторининг эмиттер ва коллектор орасида кучланиш орттирмаси қуйидаги ифода ёрдамида аниқланади:
ΔUкэ= Uкэ2 – Uкэ1=10В – 0В=10В
ΔUкэ қийматига асосан транзисторнинг эмиттер ва базаси орасидаги кучланиши орттирмасини аниқлаймиз:
ΔUбэ= Uбэп4 – Uбэ3=720-626=94



6-расм.h12э параметрни график усулда аниқлаш
h12э параметрини қуйидаги ифода ёрдамида аниқлиймиз:

BC549BP транзситорининг чиқиш характеристикалари оиласи Iк = f(Uкэ)(Iб = const) дан h21э параметрини аниқлаймиз. Iбп = 50 мкА учун ВАХ ни чиқиш шахобчаси билан юкламаннг чизиқли кесишмаси (Ек = 5В, Rк = 600 Ом) сифатида тарнзисторнинг чиқиш характеристикасида “А” ишчи нуқтани аниқлаймиз
Iк токи ўқи бўйича Ек/ Rк = 8,33 мА қийматини ажратиб оламиз.
Uкэ кучланиши ўқи бўйича Ек = 5В қийматини ажратиб оламиз.

7-расм.h21э параметрини гарфик усулда аниқлаш
“А” ишчи нуқтаси учун қуйидаги координаталарни оламиз: Iкп =5,5 мА, Uкэ=1,6В. Iб1 = 25 мкА ва Iб3 = 75 мкА бўлганидаги ВАХ ни шахобчалари билан кесишгунига қаар ишчи нуқтадан тўғри верткал чизиқ ўтказамиз.
Берилган Iбпбаза токи қийматига яқин қийматда олиган ΔIб база токи орттирмасини қуйидаги ифода ёрдамида аниқлиймиз:

ΔIб = Iб3 – Iб1=75 мкА – 25 мкА=50мкА


Қуйидаги ифода ёрдамида аниқланадиган коллектор токининг орттирмаси, ΔIб база токи орттирмасига мос келади:
ΔIк = Iк2 – Iк1=8,4 мА – 2,4 мА = 6 мА
h21э параметри қуйидаги ифода ёрдамида аниқланади:

2N2369A транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласи Iб = 50 мкА бўлганида Iк = f(Uкэ) боғлиқликдан h22э параметрни аниқлаймиз. Бунинг учун Iбп = 50 мкА бўлганда характеристика шахобчасида “А” ишчи нуқта яқинида иккита бир хил масофалардаги ёрдамчи нуқталар танлаймиз ва транзисторнинг эмиттер ва коллектори орасидаги кучланишни орттирмасини аниқлаймиз:

8-расм. h22э параметрини график усулда аниқлаш

ΔUкэ= Uкэ2 – Uкэ1= 2,84В – 0,84В = 2 В


Бу Uкэ эса коллектор токини орттирмасини келтириб чиқаради:


ΔIк=Iк4 – Iк3=5,5мА – 5,45мА = 0,05 мА

У ҳолда h22э параметри қуйидагига тенг:





1.3. BC549BP транзисторининг кириш ва чиқиш қаршилигини қуйидаги ифода ёрдамида аниқлаймиз:


1.4. BC549BP транзисторининг ток бўйича узатиш коэффициенти β ни аниқлаймиз:

2. УЭ уланишга эга кучайтиргич каскадини элементларини параметрларни хисоблаш.

9-расм.УЭ уланишга эга кучайтиргич каскади схемаси

2.1.Каскаднинг қаршиликларини хисоблаш.


Сокинлик режимида ток бўлувчини аниқлаш



Сокинлик режимини берувчи қаршиликлар йиғиндисин аниқлаш



Rэ қаршилигдаги кучланишни аниқлаш





Қаршилик элементларини қийматини аниқлаш (Е24 қаршилик номиналлари қатори бўйича).



Е24 қаршиликлар қийматлари қаторига мос равишда қуйидагиларни оламиз:








Е24 қаршиликлар қийматлари қаторига мос равишда:

2.2.Каскаднинг сиғимли элементларини хисоблаш


Ўзгарувчи ток бўйича Rэ қаршилик шунтловчи конденсатор сиғимини аниқлаш.



Е24 қийматлари қаторига мос равишда Сэ = 24 мкФ ни оламиз.


Ажратувчи конденсаторлар сиғимини аниқлаш



Е24 қийматлари қаторига мос равишда Ср1 = Ср2 = 4.5 мкФ деб оламиз.


2.3. Аниқланган элемент параметрларини қўллаб, умумий эмиттер схемаси бўйича бажарилган BC549BP биполяр транзисторли кучайтиргич каскадини схемасини чизамиз.


R1 қаршилигини 2·R1=13,6 кОм га тенг номинал қаршилиги билан алмаштирамиз, Е24 қаршиликлар қийматлари қаторига мос равишда 2·R1=13 кОм деб оламиз.
R 1 ўзгарувчи резистор қаршилигини ўзгартириб, сокинлик режимига эришамиз ( , Uбэп) ва Uкир = 0 ўрнатамиз (кириш сигнали мавжуд бўлмаган шарти).

Вариантлар


Транзистор тури



База сокин токи
Iбп, мкА

Манба кучланиши Ек, В

Коллектор қаршилиги Rк, Ом

Кучайтиргичнинг қуйи чегаравий частотаси fН, Гц

44

BC549BP

50

5

600

200

10-расм. Сокинлик режимида умумий эмиттер схемаси бўйича йиғилган BC549BP биполяр транзисторли кучайтиргич каскади схемаси


Сокинлик режимда ва Uбэп= 713 мВ. Берилган қийматига яқин қийматларига эга бўламиз.


R1=3,445 кОм ўрнатилган қиймат.
3. Кучайтиргич каскадини параметрларини аниқлаш.
УЭ схемаси асосида йиғилган BC549BP биполяр транзисторли кучайтиргич каскадини кириш қаршилигини ўлчаймиз. Бунинг учун киришга 5 мВ, fўр=10 кГц сигнал берамиз ва Uкирва Uчиқ кучланишларини қийматларини оламиз (4-схема). Бунда вольтметрларни ўзгарувчи кучланишларни ўлчаш режими (АС) га ўтказиб оламиз.

11-расм. Салт юриш режимида умумий эмиттер бўйича йиғилган BC549BP биполяр транзисторли кучайтиргич каскади семаси

Кучайтиргич каскадини кириш кучланиши:Uкир=2,599 мВ


Кучайтиргич каскадини чиқиш кучланиши:Uчиқ=164 мВ

Yüklə 447,75 Kb.

Dostları ilə paylaş:
  1   2




Verilənlər bazası müəlliflik hüququ ilə müdafiə olunur ©azkurs.org 2024
rəhbərliyinə müraciət

gir | qeydiyyatdan keç
    Ana səhifə


yükləyin