1 – laboratoriya ishi Mavzu: ims tayyorlash texnologiyasi va klassifikatsiyasi bilan tanishish. Ishning maqsadi

 Ixtiyoriy zanjirdan avvaldan belgilangan qiymatli tok oqishini ta’minlovchi 
elektron qurilma barqaror tok generatori (BTG) deb ataladi. Yuklamadan oqayotgan 
tokning qiymati kuchlanish manbai, zanjir parametrlari va tem-peratura o’zgarishlariga 
bog’liq bo’lmaydi. 
5.1-rasm. Ideal BTG VAXi. 
BTGning vazifasi kirish kuchlanishi va yuklama qiymati o’zgarganda chiqish 
toki qiymatini o’zgarmas saqlashdan iborat bo’lib, ular turli funktsional vazifalarni 
bajaruvchi analog va raqamli mikrosxemalarda ishlatiladilar. 
O’zgarmas tok qiymatini faqat cheksiz katta dinamik qarshilikka ega bo’lgan ideal tok 
manbai ta’minlashi mumkin. Ideal tok manbai VAXi gorizontal AV to’g’ri chiziqdan iborat 
(5.1-rasm). UB sxemada ulangan BTning chiqish xarakteristikasi ideal tok generatori 
VAXiga yaqin bo’ladi. Demak, UB sxemada ulangan tranzistor amalda tok generatori 
vazifasini bajarishi mumkin. Lekin temperaturaviy barqarorlikni va keng dinamik diapazonni 
ta’minlash uchun amalda ikkita yoki undan ko’p tranzistor ishlatiladi. 
Eng sodda BTG sxemasi 5.2-rasmda ko’rsatilgan. Sxemada I
1
tok zanjiriga 
to’g’ri siljitilgan diod ulanishli, tayanch tranzistor deb ataluvchi VT1 tranzistor 
ulangan. U juda kichik qarshilikka ega. Shuning uchun VT1 kuchlanish generatori 
vazifasini o’taydi. U R
Yu
boshqariluvchi zanjir bilan ketma-ket ulangan VT2 
tranzistorning emitter-baza o’tishini kuchlanish bilan ta’minlaydi. 
VT2 tranzistor emitter-baza kuchlanishi bilan boshqarilgani munosabati bilan 
uning xususiyatlari UB sxemaning xususiyatlariga mos keladi. Ma’lumki, UB ulangan 
sxemada aktiv rejimda kollektor toki kollektordagi kuchlanishga deyarli bog’liq bo’l-

---

maydi (5.2-rasm). Shuning uchun ixtiyoriy R
Yu
dan o’tayotgan tok I
2
tayanch 
kuchlanish U
EB2
bilan aniqlanadi. I
2
= I
1
ekanligini amalda ko’rsatamiz. 
5.2-rasm. Sodda BTG sxemasi. 
I
E1
va I
E2
toklar yuqori aniqlikda 
)
/
exp(
0
Т
БЭ
Э
U
I
I


(5.1) 
ifoda bilan approksimatsiyalanadi, bu erda, I
0
 – teskari silji-tilgan EO’ning to’yinish 
toki. Tranzistorlarning I
E0
 va φ
T 
para-metrlari aynan bir xil bo’lgani uchun U
BE1
= U
BE2
shartdan
2
1
Э
Э
I
I

. (5.2) 
5.1-rasmdan
2
1
1
Б
Э
I
I
I


,
2
2
2
2
Б
Э
K
I
I
I
I



. 
(5.1 ni e’tiborga olgan holda 
2
1
2
2
Б
I
I
I


(5.2) 
yozish mumkin. Baza toki kollektor tokidan 50÷100 marta kichik bo’ladi. Shuning 
uchun hisoblashlarda I
2
= I
1
deb olish mumkin. Bundagi xatolik 1÷2% dan oshmaydi. 
Demak, R
Yu
yuklama zanji-ridagi chiqish toki I
2 
, zanjir qanday bo’lishidan qat’iy 
nazar, ki-rish tokini ham qiymat, ham yo’nalish bo’yicha takrorlaydi. Kirish toki 
qiymatiga kelsak, u etarli aniqlik bilan