Dastlabki hisoblashlar O’rganilayotgan (1.7-rasm) zanjir uchun talabaning topshiriq variantiga muvofiq (1.1-jadval) quyidagi funktsiyalar hisoblansin va ular grafigi qurilsin:
- zanjirning toki I = E / (Rich + Ryuk) I = f (Ryuk);
- yukdagi kuchlanish Uyuk = I Ryuk Uyuk = f (Ryuk);
- yukdagi quvvat Uyuk = I2 Ryuk P = f (Ryuk);
- foydali ish koeffitsiеnti = Ryuk / (Ryuk + Rich) = f (Ryuk ).
Laborqtoriya ishini bajarish uchun topshiriq Stеndni ishga tayyorlash
1. Kеltirilgan sxеmani (1.9-rasm) stеndda yig’ing. Barcha variant uchun Rich = 500 .
2. Elеktr ta'minotini ulang. Buning uchun tumblеr “Sеt”ni bosing.
3. O’lchovlarni quyidagi tartibda o’tkazing:
- voltmеtr V1 ni manba kuchlanishiga ulang va chiqish kuchlanishining rostlagichi dastagi yordamida Е2 (1.1-jadval) kuchlanishga еtkazing;
- voltmеtr V2 ni rеzistor Ryukga ulang;
- Ryuk qiymatini o’zgartirib, kuchlanish URyuk qiymatini o’zgartirig.
4. EYUK manbasining yuk tavsifini o’lchash.
O’lchov natijalariga ishlov bеrish 1. Aniqlangan qarshilik Ryuk va kuchlanish Uyuk qiymatlari uchun 1.7-rasmdagi sxеmaning o’zgaruvchilarini hisoblang:
tok Iyuk = Uyuk / Ryuk;
yukning quvvati Pyuk = Iyuk2 Ryuk;
FIK = Pyuk / Pmanba, bunda Pmanba= EIyuk.
Hisoblash natijalarini 1.2-jadvalga kiriting.
2. Quyidagi bog’lanishlar grafiklarini chizing: Iyuk = f (Ryuk); Uyuk = f (Ryuk); Pyuk = f (Ryuk); = f (Ryuk).
Mavzu: Yarimo’tkazgichli diodlar parametrlari va xarakteristikalarini tadqiq etish. Stabilitron xarakteristikasi va parametrlarini tadqiq etish. Optronni tadqiq etish Ishning maqsadi: Yarimo’tkazgichli diod (YaD) asosiy xarakteristikalari va parametrlarini hamda ularga tashqi muhit temperaturasining ta'sirini tadqiq etish. Elektr teshilish rejimida diod tokini unga qo’yilgan teskari yo’nalishdagi kuchlanish bilan bog’liqligini tajriba usuli bilan aniqlash va bu bog’lanishni approksimatsiyalovchi chiziqli funktsiya parametrlari qiymatlarini hisoblash. Optronlar ishlashini va parametrlarini o’lchash uslublarini o’rganish.
1. Laboratoriya ishini bajarishga tayyorgarlik. 1.1. YaD – n va p- turli o’tkazuvchanlikka ega bo’lgan ikkita yarim o’tkazgichlar kontaktidan iborat bo’lgan hamda bir tomonlama o’tkazuvchanlikka ega bo’lgan elektron asbob. YaD VAXsi 2.1-rasmda keltirilgan. Bu erda 1- nazariy xarakteristika, 2- real abob xarakteristikasi (bu xarakteristika YaDning yarim o’tkazgich strukturasidagi hajmiy qarshilikni va tashqi kontaktlar qarshiligini, YaDdan tok oqib o’tganda undan ajralib chiqayotgan qo’shimcha issiqlikni va x.z.larni hisobga oladi).
1.2. Real yarimo’tkazgichli diod VAXsi 2.1- rasmda keltirilgan. Punktir chiziq bilan quyidagi tenglamaga mos keluvchi ideal VAX ko’rsatilgan:
(2.1)
T=300 Kda UT=26 mV.
2.1-rasm
Xarakteristikalar yarimo’tkazgichli diod asosiy xossalarini namoyon etadi. Ochiq holatda yarim o’tkazgichli dioddan ma'lum miqdorda to’g’ri tok ( ) oqib o’tadi; bu holat yarim o’tkazgichli diodga to’g’ri kuchlanish berish natijasida ta'minlanadi:
Berk holatda yarim O’tkazgichli dioddan juda kichik teskari tok ( ) oqib o’tadi. Bu tokning qiymati germaniyli diodlarda 10-5 – 10-6A, kremniyli diodlarda esa 10-9 – 10-12A tartibga ega. Yarimo’tkazgichli diodning berk holati unga teskari kuchlanish berish natitijasida amalga oshiriladi: