13-laboratoriya jumısı mt statikalıq xarakteristikaların izertlew Jumıstıń maqseti

2. Laboratoriya jumısın orınlaw ushın tapsırma :
2. 1. 4- suwretde keltirilgen sxema, ólshew ásbapları ólshenerlik KP 103 maydanlıq tranzistor pasport kórsetpeleri menen tanısıp shıǵıń. (5- qosımshaǵa qarań)
Sokol suwretin sızıp alın hám izertlew atırǵan tranzistordıń shegaralıq parametrleri U_SI.SHEG, I_S.SHEG, P_SHEG bahaların jazıp alın. 4 - suwretde keltirilgen sxemanı jiynań.

4-súwret.p - n ótiw menen basqarılatuǵın MT ni statikalıq VAX in ólshew sxeması

2.2. Stok kernewiniń U_SI =1/3U_SI.SHEG hám 2/3 U_SI.SHEG bahaları ushın eki basqarıw xarakteristikasın ólsheń ( U_SI.SHEG ma`nisi pasport kórsetpelerinen alınadı ). Ólshew nátiyjelerin 6. 1 - kestege kiritiń hám odan paydalanıp basqarıw xarakteristikasın quring. Tájiriybede U<sub>ZI</sub> kernew ma`nisin 0 den bosaǵalıq kernew U_BOS ge shekem ózgertiriń.

2.3. Zatvordagi kernewdiń ush ma`nisinde ( U_ZI =0; 0, 25 U_BOS; 0, 5 U_BOS) shıǵıw xarakteristikalar shańaraǵı I_S=f(U_SI) ni ólsheń.
Tájiriybe ótkeriwden aldın I_S - U_SI koordinatalar sistemasında tranzistordıń ruxsat etilgen jumısshı rejimi tarawların belgilep alın. (5- súwret)
1-keste

UZI, V	IS, mА
	USI=1/3 USI.SHEG	USI=2/3 USI.SHEG

Túsindirme: R_S.SHEG sızıǵın qurıw ushın U_SI kernewiniń 0 den U_SI.SHEG bahaları aralıǵinda qálegen bir neshe bahaları saylanadı hám sol noqatlarda stok tokı I_S = R_S.SHEG / U_SI esaplanadı.
Tájiriybede alınǵan noqatlardı 2- kestege kiritiń hám tayarlanǵan grafikda olardı belgileń (5- súwret). Bunda tranzistor ushın islew ruxsat etilgen tarawdan shıǵıp ketpewge itibar beriń.

4- súwret. MT ni stok -istok xarakteristikasın shegaralıq quwatı

2- keste

USI, V	IS, mА
	UZI=0	UZI=0,25UBOS	UZI=0,5UBOS

2. 4. Tranzistor stok tokına temperaturanıń tásirin izertlew. Izertlew atırǵan tranzistordı termostatqa jaylastırıń hám tiyisli temperatura ma`nisin ornatıń, stok kernewdiń U<sub>SI</sub> =1/3 U<sub>SI. SHEG</sub> ma`nisinde hám T=40 ⁰ C hám 80 ⁰ C temperaturalarda eki basqarıw xarakteristikası I_S =f ( U_ZI) ni ólsheń.

Ólshew nátiyjelerin 6. 3- kestege kiritiń hám olardan paydalanıp T=40 0 C hám 80 0 C temperaturalardaǵı eki basqarıw xarakteristikası I_S =f ( U_ZI) ni quriń.

3- keste

UZI, V	IS, mА
	T=40 ^0С	T=80^0С

3. Tájiriybede alınǵan nátiyjelerdi islew.
3.1.13.2. Joqari banded ólshengen basqarıw xarakteriskalarin 6.1-ańlatpa járdeminde approksimatsiyalań. Approksimatsiya nátiyjelerin Qurılǵan I_S=f(U_ZI)) grafigida sáwlelendiriń.
3. 2. Basqarıw xarakteristikalarınan paydalanıp, tranzistor tikligin U_SI=1/3 U_SI.SHEG jumısshı noqatda anıqlań

S ma`nisin tap sol noqat ushın 13. 2 - formula járdeminde de anıqlań.
3.3.2.3 – bándde ólshengen shıǵıw xarakteristikalar shańaraǵında U_{SI TOY} =U_ZI – U_BOS aralıqqa uyqas keliwshi, sızıqlı rejim menen toyınıw rejimi arasındaǵı shegaranı kórsetiń.
3. 4. Shıǵıw xarakteristikalar shańaraǵınan paydalanıp, tómendegi jumısshı noqatlar ushın tranzistor shıǵıw qarsılıgın anıqlań :
- toyınıw rejiminde (U_SI=1/3U_{SI SHEG}, U_ZI=0,25U_SHEG);
- sızıqlı rejimde U_SI=0 hám zatvor kernewiniń ush ma`nisinde (U_ZI=0; 0,25U_BOS; 0,5U_BOS).
Esaplawlar nátiyjelerin 4 - kestege kiritiń hám olardan paydalanıp sızıqlı rejim ushın r_shıq dıń U_ZI ga baylanıslılıq grafigin quriń.
4 – keste

UZI,V	Rshıq, kОм
	USI=1/3Usi.sheg	USI=0
UZI=0
UZI=0,25Usheg
UZI=0,5Usheg

3.5.13.4 – bándde ólshengen basqarıw xarakteristikalarında, túrli temperaturalarda ólshengen basqarıw xarakteristikaları kesiwetuǵın termo turaqlı noqattıń I_ST hám U_ZIT koordinatalarınıń anıqlań.
4. Esabat mazmunı.
1) izertlew atırǵan tranzistor pasport kórsetpeleri;
2) ólshew sxeması ;
3) ólshengen baylanıslılıqlar keste hám grafikları ;
4) basqarıw xarakteristikasınıń approksimatsiya, esaplanǵan tranzistor xarakteristikasınıń tikligi S hám shıǵıw xarakteristikaları r_SHIQ nátiyjeleri.
5. Qadaǵalaw sorawları.
1. Zatvori p-n ótiw menen basqarılatuǵın maydanlıq tranzistordı suwretlań hám islew mexanizmin túsindiriń.
2. Maydanlıq tranzistor jumıs rejimlerin aytıp beriń. Hár qaysı rejimde tranzistor zatvori hám stoki arasındaǵı kernew qatnasıqları qanday boladı?
3. Maydanlıq tranzistorlarda qanday differentsial parametrler sisteması qollanıladı hám ne sebepli?
4. Zatvori p-n ótiw menen basqarılatuǵın maydanlıq tranzistor uzatıw xarakteristikasın suwretleń hám túsintirip beriń.
5. Zatvori p-n ótiw menen basqarılatuǵın maydanlıq tranzistor shıǵıw xarakteristikalar shańaraǵın suwretleń hám túsintirip beriń.
6. Túrli temperaturalarda ólshengen zatvori p-n ótiw menen basqarılatuǵın maydanlıq tranzistor uzatıw xarakteristikasın suwretleń. Bul xarakteristikalarda temperaturaǵa turaqlı noqatlardıń bar ekenligi ne menen tusintiriledi?