15-Ma’ruza. Maydoniy (unipolyar) tranzistorlar. Reja

MTlar qo'llanilish sohalari. O‘YuCh MDYa tranzistor chastota va quvvat bo'yicha cheklanishlari.

Hozirgi kunda metall – yarimo‘tkazgich (MYa) turli yuqori chastotali maydoniy tranzistor yoki arsenid galliy asosidagi Shottki barerli MTlarning O‘YuCh diapazonda qo‘llanilishi BTlarga nisbatan ortib bormoqda.

MYa – tranzistorning ishlash prinsipi p-n o‘tish bilan boshqariladigan MTning ishlash prinsipiga o‘xshaydi. Shottki bareri yarimo‘tkazgichning kimyoviy tozza sirtiga o‘ta toza metall purkash bilan hosil qilinadi. Barer balandligi n - Ga As - Ag tuzilmada 0,88eV, n-GaAs-Al tuzilmada 0,80eV, n-GaAs-Rt tuzilmada 0,84eV ni tashkil etadi.
MYa – tranzistorlar tuzilmasi. O‘YuCh diapazon uchun yaratiladigan barcha MYa – tranzistorlar legirlanmagan galliy arsenid asosida yaratiladi (11-rasm).
Taqiqlangan zonasi katta bo‘lgani uchun asosning solishtirma qarshiligi yuqori (10⁷ ÷ 10⁸ Om·sm) bo‘lib, amalda dielektrikdir.
Asos sirti yaqinida ion legirlash usuli bilan n⁺ - turli istok 2 va stok 8 sohalari hamda yupqa (0,1  0,2 mkm) kanal qatlami 6 hosil qilinadi. Sirtda zatvorning metall elektrodi 4 (masalan, Ti/W, yoki Au kompozitsiya) hosil qilinadi. Metall elektrod qatlam 6 bilan to‘g‘rilovchi kontakt (Shottki bareri) hosil qiladi. L uzunlikdagi o‘tkazuvchi kanal asos 1 va zatvor – kanal kontaktning kambag‘allashgan qatlami 5 orasida hosil qili-nadi. 3 va 7 metall elektrodlar (masalan, AuGe/Au kompozitsiya) istok 2 va stok 8 sohalarga omik kontakt beradi. Istok va stok sohalari orasidagi masofa 23 mkmni, zatvor 4 uzunligi 0,52 mkmni tashkil etadi. Istok va stok omik kontaktlar asbobning ishonchliligi va xarakteristikalariga katta ta’sir ko‘rsatgani sa-babli amalda stok teshilish kuchlanishini oshirishga va kontaktlar qarshiligini kamaytirishga yo‘naltirilgan, istok va stok hosil qilishda boshqa usullar ham qo‘llaniladi.

11-rasm. Metall – yarimo‘tkazgich turli MT tuzilmasi ko‘rinishi.