2-mavzu. Ims tayyorlash texnologiyasi. Ims aktiv va passiv elementlari

Termik oksidlash. Termik oksidlash – kremniy sirtida oksid (SiO₂) qatlam (parda) hosil qilish maqsadida sun’iy yo‘l bilan oksidlashdan iborat jarayon. U yuqori (1000÷1200) ⁰S tempe-raturalarda kechadi.

IMSlar tayyorlashda SiO₂ qatlam bir necha muhim funksiyalarni bajaradi: sirtni himoyalovchi qatlam; niqob vazifasini bajarib, undagi tirqishdan zarur kiritmalar kiritiladi; MDYa – tranzistorlarda zatvor ostidagi yupqa dielektrik qatlam sifatida ishlaydi.

Legirlash. Yarimo‘tkazgich hajmiga kiritmalarni kiritish jarayoni legirlash deb ataladi. IMSlar tayyorlashda legirlash sxemaning aktiv va passiv elementlarini hosil qilish va zarur o‘tkazuvchanlikni ta’minlash uchun kerak. Legirlashning asosiy usullari yuqori temperaturalarda kiritmalar atomlarini diffuziyalash va yuqori energiyali ionlar bilan bombardimon qilish (ionlarni kristall panjaraga kiritish)dan iborat.