3-laborotoriya ishi Mavzu: mt da bajarilgan kalit sxemasi. Ims optronlarni tadqiq etish Ishning maqsadi



Yüklə 93,96 Kb.
səhifə1/2
tarix05.06.2023
ölçüsü93,96 Kb.
#125022
  1   2
3-laboratoriya


3-laborotoriya ishi
Mavzu: MT da bajarilgan kalit sxemasi. IMS optronlarni tadqiq etish


Ishning maqsadi: Optronlar ishlashini va parametrlarini o‘lchash uslublarini o‘rganish.
1. Laboratoriya ishini bajarishga tayyorgarlik ko‘rish:
Optronlar – funksional elektronikaning zamonaviy yo‘nalishlaridan biri – optoelektronikaning asosiy struktura elementi hisoblanadi.
Eng sodda diodli optron (15.1. a – rasm) uchta elementdan tashkil topgan: fotonurlatgich 1, nur o‘tkazgich 2 va foto qabul qilgich 3 bo‘lib, yorug‘lik nuri tushmaydigan germetik korpusga joylashtirilgan. Kirishga elektr signali berilsa fotonurlatgich qo‘zg‘otiladi. Yorug‘lik nuri nur o‘tkazgich orqali foto qabul qilgichga tushadi va unda chiqish elektr signali yuzaga keladi. Optronning asosiy xususiyati shundaki, undagi elementlar o‘zaro nur orqali bog‘langan bo‘lib, kirish bilan chiqishlar esa elektr jihatdan bir – biridan ajratilgan. SHu xususiyatidan kelib chiqqan holda, YUqori kuchlanishli va past kuchlanishli zanjirlar bir – biri bilan oson muvofiqlashtiriladi. Diodli optronning shartli belgisi 15.1. b – rasmda, uning konstruksiyasi esa 15.1. v – rasmda keltirilgan.





a)

b)



v)

15.1-rasm. Diodli optron (a), uning shartli belgisi (b) va


konstruksiyasi (v).
bu erda 1,2 – fotodiodning r va n sohalari; 3,4 – yorug‘lik diodining n va r sohalari; 5 – selen shisha asosidagi nur o‘tkazgich; 6,7 – yorug‘lik diodi kontaktlari; 8,9 – fotodiod kontaktlari.



Yorug‘lik signallarini elektr signaliga aylantirishda asosan fotodiodlar qo‘llaniladi (xuddi shunday fotorezistorlar, fototranzistorlar va fototiristorlar ham).
Fotodiod oddiy n-r o‘tish bo‘lib, ko‘p xollarda kremniy yoki germaniydan yasaladi. Undagi teskari tok yorug‘lik nuri tushishi natijasida yuzaga kelayotgan zaryad tashuvchilar generatsiyasi tezligi bilan aniqlanadi. Bu hodisa ichki fotoeffekt deb yuritiladi.
Fotodiodni qo‘llash bo‘yicha ikkita rejim mavjud: tashqi manbasiz – ventilli yoki fotovoltaik va tashqi manbali – fotodiodili rejim. Tashqi manbasiz yorug‘lik nurini elektr energiyasiga aylantiruvchi fotodiodlar ventilli fotoelementlar deb ataladi. Foto elektr YUrituvchi kuch Uf ning yuzaga kelishi yorug‘lik bilan generatsiyalangan elektron – kovak juftlarining n-r o‘tish orqali ajratilishi bilan bog‘liq. Foto EYUK Uf kattaligi optik signal darajasi RF va yuklama qarshiligi qiymatiga bog‘liq bo‘ladi. Ventilli fotoelementning chiqish xarakteristikasi 15.2 – rasmda keltirilgan.


15.2-rasm. Fotoelement yuklama VAXi.



15.3-rasm. Berilgan yuklama qarshiligi qiymatida signal kuchlanishi Uf ning fotodiod (1) va ventil element (2) uchun optik nurlanish quvvati Rf ga bog‘liqliklari.

Fotodiod rejimida tashqi kuchlanish manbai hisobiga fototok if ventil elementning qisqa tutashuv tokiga taxminan teng bo‘ladi, fototok hisobiga biror yuklama qarshiligida sodir bo‘ladigan kuchlanish pasayishi Uf esa katta bo‘ladi. Bir xil yuklama qarshiligi qiymatida signal kuchlanishi Uf ning fotodiod (1) va ventil element (2) uchun optik nurlanish quvvati Rf ga bog‘liqliklari 15.3 – rasmda keltirilgan. Fotoelektr o‘zgartishlar samaradorligi volt – vatt SU=Uf/Rf hamda amper – vatt Si=If/Rf (sezgirlik) bilan ifodalanadi.
Fotodiodlarning afzalligi yana shundaki, yorug‘lik xarakteristikalari If, Uf=f(Rf) chiziqli ko‘rinishga ega, bu esa ularni optik aloqa liniyalarida qo‘llash imkoniyatini yaratadi. Ventil elementlar asosan energiya o‘zgartgichlar (quyosh batareyalari) sifatida ishlatiladi.
Yorug‘lik nuri orqali tokni boshqarishni bipolyar tranzistorlar yordamida ham amalga oshirish mumkin. Ularda baza tokining kuchayishi tufayli, fotodiodlarga nisbatan sezgirlik yuqori bo‘ladi. Fototranzistor bazasidagi zaryad tashuvchilarning optik generatsiyasi bazaga tashqi manbadan zaryad tashuvchilar kiritilishiga ekvivalentdir. Natijada, tranzistor fototoki fotodiodga nisbatan martaga kuchaytiriladi. Bu erda  -fotortranzistor baza tokining statik kuchaytirish koeffitsienti.

15.4-rasm. Chiqish signali vaqt diagrammasi.
Optron inersionligi yorug‘lik diodi va nur qabul qilgichdagi jarayonlar bilan bog‘liq bo‘lib, yordamida aniqlanadi (15.4 - rasm).
Diodli optronning quyidagi asosiy parametrlarini ko‘rsatish mumkin:
maksimal kirish toki IKIR max;
maksimal kirish kuchlanishi Ukir max;
maksimal chiqish teskari kuchlanish UCHIK.tesk. max;
berilgan tokka mos keluvchi o‘zgarmas kirish kuchlanishi UKIR;
chiqishdagi teskari qorong‘ulik toki ICHIK tesk. k;
chiqish signalining ortib borish tort. va kamayib borish tkam. vaqtlari (berilgan diodli optron chiqishidagi signal o‘zining maksimal qiymatidan 0.1-0.9 va 0.9-0.1 oraliqlarda o‘zgaradi) (15.4 - rasm);
tok bo‘yicha uzatish koeffitsienti KI – chiqish toki o‘zgarishining kirish tokiga nisbati KI = (ICHIK-ICHIK.tesk.q.)/IKIR.
Laboratoriyada o‘lchanadigan diodli optron chegaraviy qiymatlari va chiqishlarining joylashishi ilovada keltirilgan.
2. Laboratoriya ishini bajarish uchun topshiriq:
Tadqiq etilayotgan optron prinsipial sxemasini va chegaraviy qiymatlarini yozib oling.
2.1. Diodli optron xarakteristikasini tadqiq etish.
2.1.1. 15.5 – rasmda keltirilgan sxemani yig‘ing. Manbadan berilayotgan chegaraviy tok qiymatini optron chegaraviy qiymatlariga mos ravishda o‘rnating.
2.1.2. E1 ni o‘zgartirib borib, optronning kirish xarakteristikasi IKIR=f(UKIR) ni o‘lchang. Yorug‘lik diodi kirishidagi qarshilik R1 dan ancha kichik bo‘lganligi sababli, kirish qarshiligini IKIR= E1/R1deb oling.

15.5-rasm. Diodli optron statik xarakteristikasini o‘lchash sxemasi.
O‘lchash natijalarini 15.1 – jadvalga kiriting.
15.1 – jadval


Yüklə 93,96 Kb.

Dostları ilə paylaş:
  1   2




Verilənlər bazası müəlliflik hüququ ilə müdafiə olunur ©azkurs.org 2024
rəhbərliyinə müraciət

gir | qeydiyyatdan keç
    Ana səhifə


yükləyin