Axborot texnalogiyalari va kommunikatsiyalarni rivojlantirish vazirligi muhammad al xorazmiy nomidagi toshkent axborot

Sodda barqaror tok generatori sxemasi 
Ixtiyoriy zanjirdan avvaldan belgilangan qiymatli tok oqishini ta’minlovchi 
elektron qurilma 
barqaror tok generatori
(
BTG
) deb ataladi. Yuklamadan 
oqayotgan tokning qiymati kuchlanish manbai, zanjir parametrlari va temperatura 
o‘zgarishlariga bog‘liq bo‘lmaydi. 

---

3.6-rasm. Ideal BTG VAXi. 
BTGning vazifasi kirish kuchlanishi va yuklama qiymati o‘zgarganda chiqish 
toki qiymatini o‘zgarmas saqlashdan iborat bo‘lib, ular turli funksional vazifalarni 
bajaruvchi analog va raqamli mikrosxemalarda ishlatiladi. 
O‘zgarmas tok qiymatini faqat cheksiz katta dinamik qarshilikka ega bo‘lgan ideal 
tok manbai ta’minlashi mumkin. Ideal tokmanbai VAXi gorizontal AV to‘g‘ri chiziqdan 
iborat (3.6-rasm). UB sxemada ulangan Btning chiqish xarakteristikasi ideal tok generatori 
VAXiga yaqin bo‘ladi. Demak, UB sxemada ulangan tranzistor amalda tok generatori 
vazifasini bajarishi mumkin. Lekin temperaturaviy barqarorlikni va keng dinamik 
diapazonni ta’minlash uchun amalda ikkita yoki undan ko‘p tranzistor ishlatiladi. 
Eng sodda BTG sxemasi 3.7-rasmda ko‘rsatilgan. Sxemada 
I
1 
tok zanjiriga 
to‘g‘ri siljitilgan diod ulanishli, tayanch tranzistor deb ataluvchi VT1 tranzistor 
ulangan. U juda kichik qarshilikka ega. Shuning uchun VT1 kuchlanish generatori 
va zifasini o‘taydi. U
R
Yu 
boshqariluvchi zanjir bilan ketma-ket ulangan VT2 
tranzistorning emitter-baza o‘tishini kuchlanish bilan ta’minlaydi. 
VT2 tranzistor emitter-baza kuchlanishi bilan boshqarilgani munosabati bilan 
uning xususiyatlari UB sxemaning xususiyatlariga mos keladi. Ma’lumki, UB 
ulangan sxemada aktiv rejimda kollektor toki kollektordagi kuchlanishga deyarli 
bog‘liq bo‘lmaydi (3.7-rasm). Shuning uchun ixtiyoriy 
R
Yu
dan o‘tayotgan tok 
I
2 
tayanch kuchlanish 
U
EB2 
bilan aniqlanadi. 
I
2
=
 I
1 
ekanligini amalda ko‘rsatamiz. 

---

3.7-rasm.Sodda BTG sxemasi. 
 
I
E1 
va 
I
E2 
toklar yuqori aniqlikda 
(3.1) 
Ifoda bilan approksimatsiyalanadi, bu yerda,
I
0
– teskari siljitilgan EO‘ning to‘yinish 
toki. Tranzistorlarning 
I
E0 
va 
φ
T 
parametrlari aynan bir xil bo‘lgani uchun 
U
BE1
= 
U
BE2 
shartdan 
. (3.2) 
3.7-rasmdan 
,
. 
(3.2)ni e’tiborga olgan holda 
(3.3) 
yozish mumkin.