Azərbaycan respublikasi əlyazma hüququnda

Şəkil 2. GaS monokristalında məxsusi udulma oblastında 
fotocəryanın (hν
max
=2,5 eV) elektrodlar arası elektrik sahəsindən 
asıllığı: 1. U
n
<0 2.U
n
>0 (d=0,1 mm; U~1÷100V) 
E
xar
>10
2
V/sm 
qiymətlərində 
isə 
udulma 
zolağında 
fotokeçiriciliyin xarici elektrik sahəsindən asılı olaraq artması 
müşahidə olunur. İşıq fotonunun enerjisinin udulma zolağına uyğun 
qiymətlərində səthyanı oblasda yaranan fotoyükdaşıyıcıların kristalın 
səthində olan struktur defektləri (akseptor və donor tipli) ilə 

---

15 
mübadiləsinin dəyişməsi səthdə energetik zonanın əyilməsinə səbəb 
olur. Şəkil 2-dən görünür ki, E
xar
>0 olan hal (əyri-2) səthin 
yükdaşıyıcılarla 
doyma 
halına, 
yəni 
udulma 
zolağında 
fotokeçiriciliyin artmasına və E
xar
<0 isə səthin yükdaşıyıcılarla 
kasıblanmasına, yəni fotokeçiriciliyin azalma halına uyğun gəlir. 
Müşahidə olunan təcrübi faktların mexanizmini vermək üçün səth 
parametrlərinin hesablanması (S-səth rekombinasiya sürəti, D
n(p)- 
yükdaşıyıcıların diffuziya əmsalı, L-yükdaşıyıcıların qaçış yolu) 
vacibdir. 
Tədqiqatların nəticəsinə əsasən deyə bilərik ki, kristalın 
qızdırılması zamanı müxtəlif temperaturlarda termolüminessensiya 
əyrilərin də intensiv maksimumlar müşahidə olunur. Kristalı 
qızdırdıqda elektronlar tələləri tərk etmək üçün kifayət qədər enerjiyə 
malik olur və tələləri tərk edən elektronlar lümenessensiya mərkəzinə 
qayıdır və rekombinasiya edir. Tələlər dərin olduqda isə göstərildiyi 
kimi TL spektrlərində maksimumlar müxtəlif temperaturlarda 
müşahidə olunur. Çünki dərin tələlərdən elektronların boşalması 
üçün daha çox enerjiyə ehtiyac duyulur. Tədqiqatların analizindən 
görə bilərik ki, TL spektrlərində bir neçə maksimum müşahidə 
olunur. Bu onu göstərir ki, tələlər qadağan olunmuş zonada müxtəlif 
dərinlikdə paylanmışlar və hər bir maksimum bir tələ səviyyəsinə 
uyğun gəlir.