Azərbaycan respublikasi əlyazma hüququnda

Cədvəl. GaS və GaS:Yb nümunələrinin TO fononunun 
yarımeninin (

1/2
(TO) 
sm
-1
) dəmləmə temperaturundan 
asıllıqları 
№ 
Nümunə 

1/2
(TO) 
sm
-1 
1 
GaS 
- 
2 
GaS T=100

C 
52 
3 
GaS T=150

C 
50 
4 
GaS T=200

C 
53,5 
5 
GaS T=250

C 
50 
6 
GaS:Yb 
64,5 
7 
GaS:Yb T=100

C 
62 
8 
GaS:Yb T=150

C 
53 
9 
GaS:Yb T=200

C 
58 
10 GaS:Yb T=250

C 
56 
Qamma-kvantlarla şüalanmaya məruz qalmış GaS və GaS:Yb 
monokristallarının səth relyefi atom-qüvvə mikroskopu (AQM) və 
Furye-İQ-spektroskopiya metodları ilə tədqiq olunaraq müəyyən 
edilmişdir ki, GaS kristalları üçün müxtəlif hündürlüklü 

(30-40 nm) 
və 

16 nm periodiklikli qeyri-bircins paylanma xarakterikdir. Kristalı 
Yb atomları ilə aşqarladıqda kristalın səthindəki kələkötürlülük, 
hündürlük 

25 nm və periodiklik 

13 nm azalır. Yb atomları ilə 
aşqarlanmış GaS monokristalının D


140 
krad 
doza 
ilə 
şüalandırılması defektlərin yenidən paylanmasına gətirib çıxarır ki, 
nəticədə vahid həcmdə yarımenin azalması baş verir, D


140 krad 
dozadan yuxarıda isə əksinə artma baş verir. 
Furye-İQ spektrlərdə qamma-şüalanmanın dozasından asılı 
olaraq (D

=30-200 krad) GaS və GaS:Yb monokristallarının səthində 
əksolma əmsallarının dəyişməsi müşahidə olunur, bu dəyişmələr 
əsasında müəyyən olunmuşdur ki, aşqarlanmış monokristallar 
radiasiyaya daha davamlıdır. Laylı kristalların səth xarakteristikaları 

---

18 
qismində relyef əmələ gətirən konusun orta vahid həcmi istifadə 
olunmuşdur. V=A
*
e
kx
eksponensial formada ifadə olunan relyef 
əmələgətirən konusun orta vahid həcminin şüalanmanın dərəcəsinin 
təsirindən reqression asılılığı verilmişdir.