YARIMKEÇİRİCİ KVANTTƏBƏQƏLƏRİNDƏİŞIĞIN
İKİFOTONLU UDULMASI
Rəşid ŞƏRIFOV
Bakı Dövlət Universiteti
reshadet.sherifli@gmail.com
AZƏRBAYCAN
Aşağı ölçülü nanostrukturlarda işığın ikifotonlu udulması məsələsi həm fundamental tədqiqatlar həm də tətbiq
nöqteyi nəzərindən əhəmiyyət kəsb edir. İkifotonlu udulma (İFU) belə strukturlarda həcmi həyəcanlaşma yaratmağa imkan
verir. Eləcə də ikifotonlu doldurmanın köməyi ilə asanlıqla yükdaşıyıcıların invers paylanmasını yaratmaq olar ki, bu da
lazer effektlərin alınması üçün əsas şərtdir. Bundan əlavə dipol keçidləri eyni simmetriyalı səviyyələr arasında baş verdiyi
üçün birfotonlu udulmada üzə çıxmayan enerji səviyyələrini “görmək” olar.
Şəkildən də göründüyü kimi həcmi yarımkeçirici keçirici elektronların keçirici zonasından, deşiklərin valent
zonasından və valent zonasını keçirici zonadan ayıran qadağan olunmuş zonadan ibarətdir. Mütləq sıfır temperaturunda
| 
