Cifrlı mikrosxemalardin’ ceriyalari hám markalaw sisteması

Cifrlı mikrosxemalardin’ ceriyalari hám markalaw sisteması.
Joba :
1. Cifrlı mikrosxemalar markaları
2. Mikrosxemalar dárejeleri
Mikrosxemalardin’ oylap tapqanı tómen elektr kernew degi hálsiz elektr ótkezgishligi tásirinde kórinetuǵın bolǵan juqa oksidli plyonkalardin’ qásiyetlerin úyreniwden baslandı. Mashqala sonda, eki metalldıń baylanıs noqatında elektr baylanısı joq edi yamasa ol qutbli ayrıqshalıqlarǵa iye edi. Bul hádiyseni tereń úyreniw diodlar hám keyinirek tranzistorlar hám integral mikrosxemalarni jańalıq ashıwǵa alıp keldi.
Dizayn dárejeleri
• Fizikalıq - bir tranzistordı (yamasa kishi gruppanı ) kristallǵa doping zonaları kórinisinde ámelge asırıw usılları.
• Elektr - tiykarǵı elektr dáwiri (tranzistorlar, kondensatorlar, rezistorlar hám basqalar ).
• Logikalıq - logikalıq sxema (logikalıq invertorlar, elementler OR-NOT, AND-NOT hám basqalar ).
• Óshiriw hám sistema injenerlik dárejesi - elektron hám sistema injenerlik dáwirleri (triggerlar, komparatorlar, kodlovchilar, dekoderlar, ALU hám basqalar ).
• Tapologik - islep shıǵarıw ushın tapologik fotomasklar.
• Programma dárejesi (mikrokontroller hám mikroprotsessorlar ushın ) - programmist ushın jıynaw boyınsha kórsetpeler.
Házirgi waqıtta integral mikrosxemalardin’ kópshiligi SAPR sistemaları járdeminde islep shıǵılǵan bolıp, olar tapologik fotomaskalarni alıw procesin avtomatlastırıw hám tezlestiriwge múmkinshilik beredi.

Klassifikaciyası

Integraciyalasqan mikrosxemalar tolıq, biraq quramalı funkciyalarǵa ıyelewi múmkin - pútkil mikrokompyutergacha (bir chipli mikrokompyuterlar).
Analog dáwirler
• Signal generatorları
• Analog multiplikatorlar
• Analog susaytirgichlar hám ózgeriwshen kúsheytgishler
• Quwat dáregi stabilizatorlari
• Quwat dáreklerin almastırıw ushın ICni basqarıw
• Signal konvertorlari
• Sinxronizatsiya dáwirleri
• Hár qıylı sensorlar (temperatura hám basqalar )
Cifrlı sxemalar
• Logikalıq qapılar
• Bufer konvertorlari
• Yad modulları
• (Mikro) protsessorlar (sonday-aq kompyuter degi protsessor)
• Bir mikrosxemali kompyuterler
• FPGA - programmalastırıwtırılatuǵın logikalıq integral mikrosxemalar
Cifrlı integral mikrosxemalar analoglardan bir qatar artıqmashılıqlarǵa iye:
• Quwat sarpı azayadı cifrlı elektronikada impulsli elektr signallarınan paydalanıw menen baylanıslı. Bunday signallardı qabıllaw hám konvertatsiya qılıwda elektron qurılmalardıń (tranzistorlar ) aktiv elementleri " gilt" rejiminde isleydi, yaǵnıy tranzistor yamasa " ashıq" - bul joqarı dárejedegi signalǵa (1) tuwrı keledi yamasa " jabıq" "- (0), birinshi halda tranzistorda kernew tómenlewi bolmaydı, ekinshiden - ol arqalı aǵıs bolmaydı. Eki jaǵdayda da tranzistorlar kóbinese aralıq (qarsılıq ) jaǵdayında bolǵan analog qurılmalardan ayrıqsha bolıp esaplanıw, quwat sarpı 0 ge jaqın.
• Joqarı shawqım immuniteti cifrlı qurılmalar joqarı (mısalı, 2, 5 - 5 v) hám tómen (0 - 0, 5 v) dárejedegi signallardıń úlken parqı menen baylanıslı. Bunday shawqım menen qashan qáte bolıwı múmkin joqarı dáreje tómen dep qabıl etiledi hám kerisinshe, bul múmkin emes. Bunnan tısqarı, cifrlı qurılmalar qátelerdi ońlaw ushın arnawlı kodlardan paydalanıwları múmkin.
• Joqarı hám tómen dárejedegi signallardıń úlken parqı hám olardıń ruxsat etilgen ózgerisleriniń júdá keń aralıǵı cifrlı úskenelerdi jaratadı bıyparq ajıralmaytuǵın texnologiya daǵı elementlerdiń parametrlerin anıq túrde tarqalıwina, cifrlı qurılmalardı tańlaw hám sazlaw zárúrshiligin joq etedi.
Tek jigirma bes jıl aldın radio-háweskerler hám ǵarrı áwlad qánigeleri sol waqıtta jańa bolǵan qurılmalardı - tranzistorlardı úyreniwleri kerek edi. Olar ádetlenip qalǵan vakuumlı naychalardan waz keship, yarım ótkezgishli ásbaplardıń tıǵız hám ósip baratırǵan " shańaraǵı" ga ótiw ańsat bolmaǵan.
hám endi bul " shańaraq" barǵan sayın kóbirek radiotexnika hám elektronikada óz ornın sońǵı áwlad yarım ótkezgishli qurılmalarına - kóbinese qısqartirilgan IClar dep atalatuǵın integral mikrosxemalarga beriwdi basladı.
Integral elektron ne
Integraciyalasqan mikrosxemalar tranzistorlar, diodlar, rezistorlar hám basqa korpus daǵı basqa aktiv hám passiv elementlerdi óz ishine alǵan miniatyura elektron birligi bolıp, olardıń sanı bir neshe on mıńǵa etiwi múmkin.
Bir mikrosxemalar radio qabıllaǵısh, elektron kompyuter (ECM) hám elektron mashinanıń pútkil birligin almastırıwı múmkin. Mısalı, bilektegi elektron saatlardıń " mexanizmi" tek bir úlkenlew mikrosxema bolıp tabıladı.
Funktsional maqsetine kóre integral mikrosxemalar eki tiykarǵı gruppaǵa bólinedi: analog yamasa sızıqlı impuls hám logikalıq yamasa cifrlı mikrosxemalar.
Analog mikrosxemalar túrli chastotalardaǵı elektr terbelislerin kúsheytiw, payda etiw hám konversiyalash ushın mólsherlengen, mısalı, qabıl etiwshiler, kúsheytgishler hám logikalıq mikrosxemalar avtomatizatsiya qurılmalarında, cifrlı waqıtqa iye qurılmalarda, kompyuterlerde paydalanıwǵa mólsherlengen.
Bul seminar úskene menen tanısıw, islew principi hám eń ápiwayı analog hám logikalıq integral mikrosxemalarni qóllawǵa arnalǵan.
Analog mikrosxemada
Analogdin’ úlken " shańaraǵı" den eń ápiwayıları K118 ceriyasiga kiritilgen egiz " K118 UN1 A (K1 US181 A) hám K118 UN1 B (K1 US181 B) mikrosxemalar bolıp tabıladı.
Olardıń hár biri óz ishine alǵan kúsheytgish bolıp tabıladı... Biraq, elektron " plomba" haqqında keyin sóylesiw jaqsılaw bolıp tabıladı. Qolaversa, biz olardı " qara qutilar" dep bilamiz, olarǵa jalǵanıw dárekleri, qosımsha bólimler, kirisiw hám shıǵıw shınjırları jalǵanadı.
Olardıń arasındaǵı parq tek tómen chastotalı terbelislerdiń kúshaytiruvchi faktorlarında jatadı : K118 UN1 A mikrosxemasidin’ 12 kHz chastotada kúsheytiw koefficiyenti 250 ge, K118 UN1 B mikrosxemasi 400 ge teń.
Joqarı chastotalarda bul mikrosxemalardin’ jetiskenligi birdey - shama menen 50 ge teń. Sol sebepli olardıń hár qandayınan da tómen, da joqarı chastotalı terbelislerdi kúsheytiw ushın paydalanıw múmkin hám sol sebepli biziń tájiriybelerimiz ushın. Sırtqı kórinis hám bul kúsheytgish mikrosxemalaridin’ qurılmalardıń sxematik diagrammalaridagi ramziy belgisi forma. 88.
Olar tórtmuyushler plastik kassaǵa iye. Denediń joqarı bóleginde pin nomerleri ushın uyqas jazıwlar noqatı retinde xızmet etetuǵın belgi bar. Mikrosxemalar 7, 3 (+ Usup) terminalları hám 6, 3 v turaqlı derekten quwat alıw ushın mólsherlengen. 14 (— Ol Pit).
Quwat dáregi ózgeriwshen shıǵıwı ózgeriwshen tok dáregi yamasa tórtew 334 hám 343 xujayralardan shólkemlesken akkumulyator bolıwı múmkin.
K118 UN1 A (yamasa K118 UN1 B) mikrosxemasi menen birinshi tájiriybe suwretde kórsetilgen sxema boyınsha ámelge asırıldı. 89. Elektron platalar ushın shama menen 50 X40 mm ólshem degi karton plastinadan paydalanıń.
Juwmaq menen chip 1, 7, 8 hám 14 kartondagi tesiklerden ótken shtapellarga lehim. Olardıń barlıǵı mikrosxemani taxtada ustap turatuǵın tokchalar hám pinlardin’ qawısları retinde isleydi 7. hám 14, bunnan tısqarı, kontaktlarni akkumulyator menen jalǵaw GB1 (yamasa AC adapteri).
Olardıń ortasında, mikrosxemadin’ eki tárepinde, qosımsha bólimler ushın aralıq bolatuǵın taǵı eki yamasa ush kontaktni bekkemlang. Kondensatorlardı taxtga ornatıp qoyıng C1 (K50-6 yamasa K50-3 túri) hám C2 (KYAS, BM, MBM), minigarniturani mikrosxemadin’ shıǵıwına jalǵań 2-de.
Mikroto'lqindin’ kirisiw bólegine jalǵań (kondansatör arqalı ) C1) elektrodinamik mikrofon 1 de DEM-4 m hár qanday túrdegi yamasa telefon kapsulasi, quwattı qosıń hám telefonlardı qulaǵıngizga jaqınlaw etip, mikrofonni qálem menen azǵantay urib qoyıng. Eger redaktorlawda qáteler bolmasa, telefonlar barabanni basıw sıyaqlı dawıslardı esitiwi kerek.
Dosingizdan mikrofon aldında qandayda bir zat aytiwinı so'rang - telefonda onıń dawısın esitesiz. Mikrofon ornına siz radioeshittirish (abonent) gernayın sáykes keletuǵın transformator menen mikrosxemadin’ kirisiw bólegine jalǵawıńız múmkin. Effekt shama menen birdey boladı.
Bir háreketli telefon apparatı menen tájiriybeni dawam ettirip, elektr shınjırınıń ulıwma (teris) ótkeruvchisi hám terminal ortasında uladin’ 12 mikrosxemali elektrolitik kondansatör SZ, kesilgen sızıqlar menen diagrammada kórsetilgen. Bunday halda, telefonlarda dawıs biyikligi asıwı kerek.
Tap sol kondansatör shıǵıw dáwirine kiritilgen bolsa, telefonlar jáne de biyiklew esitiledi 5 (89 -suwretde - kondansatör C4). Biraq eger bir waqtıniń ózinde kúsheytgish tınıshsızlanıwlansa, ol halda 5-10 mF quwatqa iye elektrolitik kondansatkichni ulıwma sım hám pin 11 ortasında qosıw kerek boladı. nominal kernew 10 v
Taǵı bir tájiriybe: juwmaqlar arasında 10 hám 3 5-10 mıń pikofarad kólemli keramik yamasa qaǵaz kondansatör mikrosxemalari. Ne boldı? Endi telefonlarda tınımsız orta tonna dawısı bar. Bul kondansatördin’ quwatı asıwı menen telefonlarda dawıs tonusi tómenlewi hám azayıwı menen artpaqtası kerek. Bunı tekseriń.
hám endi biz bul " qara quti" ni ochamiz jáne onıń " toltırılıwıni" kórip shıǵamız (90 -súwret). Awa, bul onıń tranzistorları ortasında tuwrıdan-tuwrı baylanısqan eki basqıshlı kúsheytgish. Silikon tranzistorlar, n strukturalar -R-n. Mikrofon tárepinen jaratılǵan tómen chastotalı signal (C1 kondansatörü arqalı ) mikrosxemadin’ kirisiw bólegine (pin 3) beriledi.
Rezistor boylap kernew tómenlewi R6 tranzistordıń emitent máwsiminde v2, rezistorlar arqalı R4 hám R5 tranzistor bazasına beriledi vI jáne onı ashadı. Qarsılıq R1 — bul tranzistordıń yuki. Odan alınǵan kúshaytirilgan signal tranzistor bazasına ótedi v2 qosımsha bekkemlew ushın.
Transistorli júk menen tájiriybe kúsheytgishinde v2 onıń kollektor sxemasına jalǵanǵan minigarnituralar bar edi, olar tómen chastotalı signaldı dawısqa aylantırdılar.
Biraq onıń yuki qarsılıq bolıwı múmkin R5 mikrosxemalar, eger siz pimlarni bir-birine ulasangiz 10 hám 9. Bunday halda, telefonlar ulıwma simni hám olardıń birlespe noqatı ortasında bir neshe mikrofarad quwatqa iye elektrolitik kondansatör arqalı (mikrosxemaga unamlı plastinka menen) jalǵanıwı kerek.
Kondensatordı ulıwma sım hám shıǵıw ortasında qosılǵanda 12 mikrosxemadin’ dawıs biyikligi asdı, nege? Sebebi ol qarsılıqtı chetlab ótpekte R6 mikrosirkulyatsiya, ol jaǵdayda isleytuǵın unamsız ózgeriwshen teris baylanıstı zaiflashtirdi.
Transistordin’ tiykarǵı shınjırına ekinshi kondensatordı kirgizgenińizda unamsız teris baylanıs jáne de zaiflashdi v1. hám ulıwma sım hám shıǵıw ortasında baylanısqan úshinshi kondansatör 11, qarsılıq menen payda bolǵan R7 kúsheytgishni qızıwına tosqınlıq etetuǵın mikrosxemani ajıratıw filtri.
Kondensator terminallar ortasında qosılǵanda ne boldı 10 hám 5? Ol kúsheytgishtiń shıǵıwı hám kiritiliwi ortasında unamlı teris baylanıs jarattı, bul onı audio chastotalı osilatorga aylantırdı.
Sonday etip, siz kórip turǵanıńız siyaqlı, K118 UN1 B (yamasa K118 UN1 A) mikrosxemasi tómen chastotalı yamasa joqarı chastotalı, mısalı, qabıllaǵıshda bolıwı múmkin bolǵan kúsheytgish bolıp tabıladı. Biraq ol da tómen, da joqarı chastotalı elektr terbelisleriniń generatorına aylanıwı múmkin.
Radio qabıllaǵısh daǵı mikrosxem
Biz bul mikrosxemani qabıl etiwshiniń joqarı chastotalı jolında sınap kóriwdi usınıs etemiz, mısalı, forma. 91. Bunday qabıl etiwshiniń magnit antennasidin’ kirisiw dáwiri spiral arqalı payda boladı L1 hám ózgeriwshen kondansatör C1. Sxema baylanıs lasanasi arqalı dúzilgen radiostansiyadin’ joqarı chastotalı signalı L2 hám kondansatkichni ajıratıw C2 kirisiw (shıǵıw ) ga keledi 3) mikrosxemalar L1.
Mikrosxemadin’ shıǵıwınan (shıǵıw 10, pinga jalǵanǵan 9 ) kúshaytirilgan signal kondansatör arqalı beriledi C4 detektorda, diodalarda vI hám v2 kernewdi kóbeytiw dáwiri hám oǵan telefonlar tárepinen ajıratılǵan tómen chastotalı signal boyınsha qosılǵan 1 de dawısqa aylantırildi. Qabıllaǵısh batareyadan isleydi GB1, tórtew element 332, 316 yamasa besew D-01 batareyalarınan ibarat.
Kóplegen tranzistorlı qabıl etiwshilerde joqarı chastotalı joldıń kúshaytiruvchisi tranzistorlar tárepinen payda etinadi hám bunda - mikrosxem. Bul olardıń arasındaǵı birden-bir parq. Aldınǵı ustaxonalar tájiriybesine kóre, siz ǵárezsiz túrde ornatıwıńız hám G bunday qabıllaǵıshnı ornatıw hám hátte, eger qálesangiz, onı biyik dawıs menen esitiletuǵın radio qabıllaw ushın bas kúsheytgish menen toltırıw.
Logikalıq chipda Kóplegen cifrlı integral mikrosxemalardin’ ajıralmaytuǵın bólegi bul ramzni siz suwretde kórgen AND-NOT logikalıq elementi bolıp tabıladı. 92, lekin. Onıń belgisi " &", tórtmuyush ishine jaylastırılǵan, ádetde joqarı shep múyeshda, anglichan tilinde " AND" sózin almastıradı. Shep tárepte eki yamasa odan artıq kiriw jayı, oń tárepte bir shıǵıs jayi bar.
Shıǵıw signalınıń baylanıs liniyasini baslaytuǵın kishi sheńber, mikrosxemadin’ shıǵıwında logikalıq " YO'Q" degen mánisti ańlatadı. Cifrlı texnologiyalar tilinde " YO'Q" degeni, AND-NOT elementi invertor, yaǵnıy shıǵıw parametrleri kirgiziwge keri bolǵan qurılma.
Logikalıq elementtiń elektr jaǵdayı hám islewi onıń kirisiw hám shıǵıwı daǵı signal dárejeleri menen xarakterlenedi. Dárejesi 0, 3 - 0, 4 v den aspaytuǵın kishi (yamasa nol ) kernewli signal qabıl etiledi (ekilik sanaq sistemasına muwapıq ) logikalıq nol (0) hám odan joqarı signal kernew (logikalıq 0 menen salıstırıwlaganda), onıń dárejesi 2, 5 - 3, 5 v bolıwı múmkin,- logikalıq birlik (1).
Mısalı, olar: " elementtiń shıǵıwı logikalıq 1". Bul sonı ańlatadıki, házirgi waqıtta element shıǵıwda signal payda boldı, onıń kernewi 1-logikalıq dárejege tuwrı keledi.
NAND elementiniń texnologiyası hám apparatı menen tanısmaslik ushın biz onı " qara quti" dep esaplaymiz, ol jaǵdayda eki signal hám bir elektr signal ushın shıǵıw bar.
Elementtiń logikası sonnan ibarat, onıń kiritilishlaridan birine logikalıq O, ekinshi kiriwge logikalıq 1 qollanganda, shıǵıwda logikalıq 1 signal payda boladı, ol logikalıq 1 ge sáykes keletuǵın signallar ekewine de qollanılǵanda joǵaladı. kirisiw.
Elementtiń bul ózgeshelikin yadta ornatatuǵın tájiriybeler ushın sizge eń keń tarqalǵan K155 LAZ mikrosxemasi, turaqlı voltmetr, jańa 3336 L batareyası hám 1... 1, 2 kOm qarsılıqqa iye eki rezistor kerek boladı.
K155 LAZ mikrosxemasi tórtew 2 I-NOT elementinen ibarat (92-súwret, b), bir 5 v turaqlı qala dáregi menen isleydi, biraq olardıń hár biri ǵárezsiz logikalıq qurılma retinde isleydi. Mikrosxemadin’ atındaǵı 2 nomeri onıń elementlerinde eki kirisiw bar ekenin ańlatadı.
Sırtqı hám sistemalı túrde, ol K155 ceriyasidagi barlıq mikrosxemalar sıyaqlı siz ushın qashannan berli tanıs bolǵan K118 UN1 analog mikrosxemasidan parq etpeydi, tek elektr támiynatı jalǵanıwınıń polyarlanıwı basqasha. Sol sebepli siz ilgeri jasaǵan karton taxta bul mikrosxemada tájiriybeler ótkeriwge sáykes keledi. Elektr dáregi jalǵanǵan : +5 v - pin 7 " — 5 B - juwmaq qılıw ushın 14.
Biraq bul juwmaqlardı mikrosxemadin’ sxematik diagramması menen belgilew ádet emes. Bul tiykarda ekenligi menen anıqlama bernedi elektr diagrammaları mikrosxemani quraytuǵın elementler bólek suwretlengen, mısalı, forma. 92, v. Tájiriybeler ushın siz onıń tórtew elementinen qálegeninen paydalanıwıńız múmkin.
1-terminallı chip, 7, 8 hám 14 karton taxta daǵı sım ústinlerine lehim (89 -suwretdegi sıyaqlı ). Onıń hár qanday elementlerin kirgiziw pimlaridan biri, mısalı, pimlari bolǵan element 1 — 3, qarsılıq menen 1... 1, 2 kOm qarsılıq menen terminal menen jalǵań 14, ekinshi kirisiwdiń shıǵıwı tuwrıdan-tuwrı quwat shınjırınıń ulıwma (" tapraklanmış") ótkizgishine tuwrı keledi hám turaqlı voltmetrdi elementtiń shıǵıwına jalǵań (93-súwret, lekin).
Quwattı qosıń. voltmetr neni kórsetedi? Shama menen 3 v. kernew. Bul kernew elementtiń shıǵıwı daǵı logikalıq 1 signalına tuwrı keledi. Birinshi kirisiw terminalındaǵı kernewdi ólshew ushın birdey voltmetrden paydalanıń, jáne bul erda, siz kórip turǵanıńız siyaqlı, logikalıq da 1. Sol sebepli elementtiń kirisiw bólimlerinen biri logikalıq 1, ekinshisi bolsa 0 bolsa, shıǵıw logikalıq boladı 1.
Endi ekinshi kirisiwdiń shıǵıwın shıǵıw menen 1... 1, 2 kOm qarsılıq arqalı jalǵań 14 hám usınıń menen birge sımlı ótiw úskenesi menen - formada kórsetilgen sıyaqlı, ulıwma ótkizgish menen.
Bunday halda, birinshi tájiriybede bolǵanı sıyaqlı, shıǵıw logikalıq boladı 1. Keyin voltmetrdiń o'qini gúzetip, ekinshi kirisiw ushın logikalıq 1 ge sáykes keletuǵın signaldı jiberiw ushın sımlı ótiw úskenesin shıǵarıp alın.
voltmetr neni jazadı? Elementtiń shıǵıwı daǵı signal logikaqa aylantırildi 0. Bul sonday bolıwı kerek! hám eger qandayda bir kirisiw waqtı -waqtı menen ulıwma simga qısqa tutasǵan bolsa hám usınıń menen oǵan logikalıq 0 jetkizip beriwdi simulyatsiya qilsa, ol halda elementtiń shıǵıwında tap sol chastotada aǵıs impulslari payda boladı, bul dalgalanmalardin’ dálilleri voltmetr iynesi. Bunı empirik tárzde tekseriń.
AND-NOT elementiniń kirisiw basqarıw signalları tásirinde jaǵdayın ózgertiw ózgesheligi hár qıylı cifrlı esaplaw qurılmalarında keń qollanıladı. Radio amatörlar, ásirese jańa baslanuvchilar, kóbinese inverter retinde logikalıq elementti isletediler - shıǵıw signalı kirisiw signalına keri bolǵan qurılma.
Tómendegi tájiriybe elementtiń bul ózgeshelikin tastıyıqlawı múmkin. Elementtiń eki kirisiw úshlerin hám 1... 1, 2 kOm qarsılıq qarsılıǵı arqalı jalǵań, olardı shıǵıwǵa jalǵań 14 (súwret 93, ishinde).
Sonday etip siz Voltajni voltmetr menen ólshew múmkin bolǵan elementtiń ulıwma kiritiliwine logikalıq 1 ge sáykes keletuǵın signal jiberesiz. Bunıń nátiyjesi qanday?
Oǵan jalǵanǵan voltmetrdiń o'qi shkalanıń nol belgisinen azmaz shetke shıqtı. Sol sebepli bul erda kutilganidek signal logikalıq 0 ge tuwrı keledi.
Keyin, qarsılıqtı pindan ajratmasdan 14 mikrosxemalar, izbe-iz bir neshe ret elementti ulıwma ótkizgishge sımlı ótiw úskenesi menen jabadı (93-suwretde, jılda oqlar menen kesilgen sızıq menen kórsetilgen) hám usınıń menen birge voltmetrdiń oǵına ámel etiń. Sonday etip, inverterdin’ kiritiliwi logikalıq 0 bolsa, bul waqıtta shıǵıw logikalıq 1 hám kerisinshe, kirisiw logikalıq 1 bolǵanda - shıǵıw logikalıq 0 ekenligine isenim payda etesiz.
Naǵız ózi inverter isleydi, bul ásirese radio amatörlar tárepinen olar islep shıǵaratuǵın impuls qurılmalarında tez-tez isletiledi.
Bunday qurılmanıń úlgisi - formada kórsetilgen sxema boyınsha jıynalǵan impuls generatorı. 94. Siz onıń islew qábiletine házirshe ıseniwińiz múmkin, buǵan tek bir neshe minuta sarplagansiz.
D1. 1 elementiniń shıǵıwın elementtiń kirisiw bólimlerine jalǵań D. 1. 2 birdey mikrosxemadin’ shıǵıwı onıń element elementleri menen boladı Dj. 3, hám bul elementtiń shıǵıwı (shıǵıw 8) - element kirgiziw menen D. 1. 1 ózgeriwshen qarsılıq R1 arqalı. Elementtiń shıǵıwına D. 1. 3 (shıǵıw ortasında 8 hám ulıwma ótkizgish) minigarniturani jalǵań B1, D1. 1 hám elementlerine parallel D. 1. 2 elektrolitik kondansatör C1.
Ózgeriwshen qarsılıq dvigatelin ońǵa (diagramma boyınsha ) jaǵdayına ornatıń hám quwattı qosıń - telefonlarda siz dawıstı ózgeriwshen qarsılıq menen ózgertiwi múmkin bolǵan dawıstı esitesiz.
Bul tájiriybede elementler D. 1. 1, D. 1. 2 vaD. 1. 3, úsh basqıshlı kúsheytgishtiń tranzistorları sıyaqlı izbe-iz jalǵanǵan, multivibrator - tórtmuyushler elektr impuls generatorın payda etgen.
Kondensator hám qarsılıq sebepli mikrosxem generatorǵa aylandı, bul elementlerdiń shıǵıwı hám kiritiliwi ortasında chastotaǵa baylanıslı bolǵan qayta baylanıs dáwirlerin jarattı. Ózgeriwshen qarsılıq menen multivibrator tárepinen islep shiǵarılatuǵın impulslardin’ chastotası shama menen 300 Gts den 10 kHz ge shekem ózgeriwi múmkin.
Bunday impuls apparatı qanday ámeliy programmanı tabıwı múmkin? Bul, mısalı, kvartiradin’ gúńgirtog'i, qabıllaǵısh hám bas kúsheytgish basqıshlarınıń islewin tekseriw ushın zond, telegraf álippesin tıńlawdı úyretiw ushın generator bolıwı múmkin.
Mikrosxemada úy qurılatuǵın oyın avtomatı
Bunday qurılmanı qızıl yamasa jasıl rangga aylandırıw múmkinbe? Slot mashinası. Bunday impuls apparatınıń diagramması forma. 95. Mine elementler D. 1. 1, D. 1. 2, D. 1. 3 birdey (yamasa birdey) K155 LAZ mikrosxemasi hám kondansatör C1 soǵan uqsas multivibrator payda etedi, onıń impulslari tranzistorlardı basqaradi vI hám v2, ulıwma emitent menen sxema boyınsha jalǵanǵan.
Element D. 1. 4 inverter sıyaqlı isleydi. Onıń járdemi menen multivibrator pulslari antifazada tranzistorlar bazalarına etip baradı hám olardı Birma -bir ashadı. Mısalı, invertordin’ kirisiw dárejesi 1 logikalıq bolsa, shıǵıwda logikalıq 0 dárejesi bolsa, ol halda tranzistor 1 de ashıq hám lampochka Sálem onıń kollektor máwsiminde janadı hám tranzistor v2 jabıq jáne onıń lampochkasi H2 yonmaydi.
Keyingi impulsda inverter óz jaǵdayın ózgertiredi. Endi tranzistor ashıladı v2 hám shıra janadı H2, hám tranzistor vI hám jaqtılıq jabıladı H1 shıǵıp ketedi.
Biraq multivibrator tárepinen islep shıǵarılǵan impulslardin’ chastotası salıstırǵanda joqarı (keminde 15 kHz) hám lampochkalar, álbette, hár bir impulsga juwap bere almaydı.
Sol sebepli, olar gúńgirt porlaydilar. Kondensatordı onıń kontaktlari menen qısqa tutasuvi ushın S1 tuymechasini basıw kerek C1 hám usınıń menen multivibratordin’ jaratılıwın buzadı, usınıń menen tranzistorlar chirog'i jaqtı janadı, sol waqtıniń ózinde logikalıq 1 ge sáykes keletuǵın kernew payda boladı hám basqa shıra óshadi tolıq.
Tuymeni basqannan keyin lampalardıń qay-qaysısı janıp ketiwin aldınan aytıw múmkin emes - tek shama qılıw múmkin. Bul oyındıń mánisi.
Oyın mashinası akkumulyator menen birge (3336 L yamasa izbe-iz jalǵanǵan ush kletka 343) kishi qutiga, mısalı, " qalta" qabıl etiwshine jaylastırılıwı múmkin.
Akkor lampalar Sálem hám H2 (MH2. 5-0. 068 yamasa MH2. 5-0. 15) korpustıń old diywalındaǵı tesikler astına qoyıng hám olardı qızıl hám jasıl organikalıq shıysheden jasalǵan qaqpaqlar yamasa plitalar menen yoping. Quwat tuymechasini (televizor -1 tuymechasini) hám tuymechali tuymesheni bul erga ornatıń. § bir (P2 K yamasa KM-N túri) multivibratorni toqtatıw.
Oyın avtomatın jaratıw qarsılıqtı qıyqımlıq menen tańlawdan ibarat R1. Onıń qarsılıǵı sonday bolıwı kerek, tuyme menen multivibrator toqtatilganda S1 keminde 80 nen 100 ret, hár bir lampochkadin’ janıwı sanı shama menen birdey edi.
Aldın multivibratordin’ islewin tekseriń. Onıń ushın kondensatorǵa parallel túrde C1, sıyımlılıqı 0, 1... 0, 5 mF bolıwı múmkin bolǵan e, quwatı 20... 30 mF bolǵan elektrolitik kondensatordı jalǵań hám multivibrator shıǵıwına telefonlarda tómen dawıs esitiliwi kerek.
Bul dawıs multivibrator islep atirǵanlıgınan dárek beredi. Keyin elektrolitik kondansatör, qarsılıqtı alıp taslang R1 qarsılıǵı 1, 2... 1, 3 kOm bolǵan hám terminallar arasındaǵı trim rezistor menen almastırıń 8 hám 11 element DI. 3 hám D. 1. 4 qala voltmetrin qosıń. Tazalaw qarsılıǵınıń qarsılıǵın ózgertirip, sonday jaǵdayǵa kelingki, voltmetr mikrosxemadin’ bul elementleri shıǵıwı arasındaǵı nol kernewdi kórsetsin.
Oyınshılar sanı hár qanday bolıwı múmkin. Hár biri óz gezeginde multivibratorni toqtatıw tuymechasini basadı. Jeńimpaz, teń muǵdardaǵı háreketler menen, mısalı, tuymesheni jigirma ret basqan halda, multivibratorni toqtatgandan keyin shıralardıń reńlerin kóbirek shama etetuǵın kisi.
Ókiniw menen aytamız, bul erda suwretlengen eń ápiwayı oyın mashinasınıń multivibrator chastotası batareyanıń zaryadsızlanishi sebepli azmaz ózgerip turadı, bul, álbette, hár túrlı lampochkalardin’ yoritilish qábiletine tásir etedi, sol sebepli onı 5 v stabillashtirilgan kernewden quwatlantırıw jaqsılaw bolıp tabıladı derek.
Ádebiyat : Barisov v. G. Baslanǵısh radio háweskerdiń ámeliy jumısları. 2-baspa, Qayta islengen. hám áskerg.- M.: DOSAAF, 1984. 144 b., Ill. 55 k.
Sol jıllarda bul usınıslardı ámelge asırıw texnologiyanıń etarli dárejede rawajlanbaǵanlıǵı sebepli ámelge asıwı múmkin emes edi.
1958 jıl aqırı hám 1959 jıldıń birinshi yarımında yarım ótkezgish sanaatında úlken tabıs júz berdi. Amerikanıń ush menshikli korporatsiyasidin’ wákili bolǵan úsh kisi integral mikrosxemalar rawajlanıwına ırkinish beretuǵın ush tiykarǵı mashqalalardi sheshiwdi. Jek Kilbi Texas Instruments birlestiriw principin patentladi, birinshi, nomukammal, prototiplarni jarattı hám olardı ǵalabalıq óndiriske alıp keldi. Kurt Legovets Sprague Electric kompaniyası bir yarım ótkezgish kristalında payda bolǵan komponentlerdi elektr izolyatsiyasi usılın oylap tabıw etdi (p-n-birikpe izolyatsiyasi (ing.) P - n birikpesin ajıratıw )). Robert Noys Fairchild Semiconductor IC komponentlerin elektr menen jalǵaw usılın oylap tabıw etdi (alyuminiy metallizatsiyasi) hám Jan Erni tárepinen islep shıǵarılǵan eń jańa tegislik texnologiyası tiykarında komponent izolyatsiyasidin’ rawajlanıwlastırılgan versiyasın usınıs etdi (ing. Jan Xerni). 1960 jıl 27 sentyabrde Jey Last toparı (ing.) Jey aqırǵı ) jaratılǵan Fairchild Semiconductor birinshi isleytuǵın yarım ótkizgish Noys hám Erni ideyalarına tiykarlanǵan IS. Texas Instruments Kilbidin’ oylap tapqanına patent iyesi bolıp, 1966 jılda texnologiyalardı óz-ara litsenziyalaw boyınsha shártlesiw menen juwmaqlanǵan básekishilerge qarsı patent urısın basladı.
Kórsetilgen ceriyadagi dáslepki logikalıq IClar shın mániste qurılǵan standart ólshemleri hám konfiguratsiyalari texnologiyalıq process tárepinen belgilenetuǵın komponentler. Arnawlı bir shańaraqtıń logikalıq IC-larini islep shıqqan elektron dizaynerlar birdey tipik diodlar hám tranzistorlar menen islediler. 1961-1962 jıllarda. dizayn paradigması etakchi islep shıǵıwshı tárepinen buzılǵan Silvaniya Úshek Longo, birinshi ret hár qıylılardan paydalanıp atır tranzistorlardıń sxema daǵı funkciyalarına qaray konfiguratsiyasi. 1962 jıl aqırında. Silvaniya Longo tárepinen islep shıǵılǵan birinshi tranzistor -tranzistorlı logika shańaraǵın (TTL) jumısqa túsirdi - tariyxıy tárepten uzaq waqıt dawamında bazarda óz ornın tabıwǵa muvaffaq bolǵan integral logikanıń birinshi túri. Analog elektronlarda bul dárejedegi tabıs 1964-1965 jıllarda operatsion kúsheytgishlerdi óndiriwshisi tárepinen ámelge asırıldı Fairchild Bap vidlar.
Birinshi jergilikli mikrosxema 1961 jılda L. N. Kolesov basshılıǵında TRTI (Taganrog radiotexnika institutı ) de jaratılǵan. Bul ilaj mámleket ilimiy jámiyetshiligi itibarın tartdı hám TRTI joqarı isenimliligi joqarı mikroelektronik úskeneler jaratıw jáne onı islep shıǵarıwdı avtomatlastırıw mashqalası boyınsha Joqarı bilimlendiriw Ministirligi sistemasınıń basshısı retinde tastıyıqlandi. LN Kolesovdin’ ózi bul mashqala boyınsha Muwapıqlastırıwshı keńes baslıǵı etip tayınlandi.
SSSRdagi birinshi gibrid qalıń film integral mikrosxema (201 " Trail" ceriyasi) 1963-65 jıllarda Názik Texnologiya Ilimiy Institutında (" Angstrem") islep shıǵılǵan, ǵalabalıq islep shıǵarıw 1965 jıldan beri. Islep shıǵıwda NIEM (házirgi " Argon" NII) qánigeleri qatnastı.
SSSRda birinshi yarım ótkezgishli integral mikrosxema 1960 jıl basında NII-35 (keyinirek NII Pulsar dep ózgertirilgen) de islep shıǵarılǵan planar texnologiya tiykarında jaratıldı, keyinirek NIIME (Mikron) ga ótkerildi. Birinshi jergilikli kremniyni jaratıw integral mikrosxema TS-100 (37 element - tándardıń elektron quramalılıǵınıń ekvivalenti, Amerika IC ceriyasidin’ analogi) integral silikon dáwirlerin áskeriy qabıllaw menen islep shıǵıw hám óndiriske jóneltirilgen. SN-51 firma Texas Instruments). Kóbeytiw ushın prototip úlgileri hám kremniy integral mikrosxemalaridin’ islep shıǵarıw úlgileri AQShdan alınǵan. Jumıs NII-35 (direktor Trutko) hám Fryazinskiy yarım ótkezgish zavodında (direktor Kolmogorov) ballıstik raketalardı basqarıw sisteması ushın avtonom altimetrde paydalanıw ushın qorǵaw buyırtpası boyınsha ámelge asırıldı. Islep shıǵıwǵa TS-100 ceriyasidagi altı tipik integral silikon planar sxemalar kiritilgen hám ushqısh islep shıǵarıwdı shólkemlestiriw menen NII-35 de úsh jıl dawam etken (1962 jıldan 1965 jılǵa shekem). Taǵı eki jıl Fryazinoda áskeriy qabıl menen zavod islep shıǵarıwdı ózlestiriwge sarplandi (1967).
Buǵan parallel túrde, voronej yarım ótkezgishli qurılmalar zavodındaǵı oraylıq konstruktorlıq byurosında integral mikrosxemani islep shıǵıw jumısları alıp barıldı (házir -). 1965 jılda elektron sanaat ministri A. I. Shokindin’ vZPP-ga saparı dawamında zavodqa kremniy monolitik sxemasın jaratıw boyınsha ilimiy-izertlew jumısların aparıw - " Titan" ilimiy-izertlew jumısları alıp barılıwı tapsırildi (ministrliktiń 16. 08. 1965 jıldaǵı buyrıǵı, № 92), bıyılǵı jılı aqırına shekem múddetinen aldın orınlanǵan. Tema Mámleket komissiyasına tabıslı tapsırildi hám diod-tranzistorlı logikanıń 104 mikrosxemalari ceriyali qattı mikroelektronika salasındaǵı birinshi anıq tabıs boldı, bul Ekonomikalıq rawajlanıw hám sawda ministrliginiń buyrıǵında hákis etdi. 30. 12. 1965 № 403.
Dizayn dárejeleri
Házirgi waqıtta (2014) integral mikrosxemalardin’ kópshiligi islep shıǵarıw processlerin avtomatlastırıw hám tezlestiriwge múmkinshilik beretuǵın qánigelestirilgen SAPR sistemaları járdeminde islep shıǵılǵan, mısalı, tapologik fotomaskalarni alıw.
Klassifikaciyası
Integraciya dárejesi
Integraciya dárejesine qaray, integral mikrosxemalardin’ tómendegi atları isletiledi:
• kichik integral mikrosxema (MIS) - kristallda 100 dane element,
• o'rta integral mikrosxemasi (SIC) - kristallda 1000 danege shekem element,
• katta integral mikrosxema (LSI) - kristallda 10 mıńǵasha element,
• juda úlken integral mikrosxema (vLSI) - kristall quramındaǵı 10 mińnen aslam element.
Ilgeri, gónergen atlar da isletilingen: ultra keń kólemli integral mikrosxemalar (UBIS) - kristal daǵı 1-10 millionnan 1 milliardǵa shekem elementler hám geyde gigabaytli integral mikrosxemalar (GBIS) - 1 milliarddan artıq elementler kristall. Házirgi waqıtta, 2010 -jıllarda " UBIS" hám " GBIS" atları ámelde qollanilmaydi hám 10 mińnen aslam elementlerge iye bolǵan barlıq mikrosxemalar vLSI dep klassifikaciyalanadı.
Islep shıǵarıw texnologiyası
STK403-090 gibrid mikromassasi isten shıǵarıldı
• Yarım ótkezgishli mikrosxem - barlıq elementler hám elementleraro jalǵanıwlar bir yarım ótkezgish kristalında (mısalı, kremniy, germaniy, galyum arsenidi) ámelge asıriladı.
• Filmdiń integral sxeması - barlıq elementler hám elementleraro jalǵanıwlar filmler kórinisinde ámelge asıriladı :
o qalin plyonkali integral mikrosxema;
o yupqa plyonkali integral mikrosxema.
• Gibrid IC (tez-tez shaqırıladı ) mikro jıynaw ) quramında bir neshe chipsiz diodlar, chipsiz tranzistorlar hám (yamasa ) basqa elektron aktiv komponentler bar. Bunnan tısqarı, mikro jıynaw chipsiz integral mikrosxemalarni óz ishine alıwı múmkin. Passiv mikro jıynaw komponentleri (rezistorlar, kondensatorlar, induktorlar) ádetde ulıwma, ádetde keramika, gibrid mikrosxemalar substratida juqa plyonka yamasa qalıń plyonka texnologiyaları járdeminde islep shiǵarıladı. Barlıq substrat hám strukturalıq bólimler bir mórlengen qáwipsizlikte jaylasqan.
• Aralas mikrosxem - yarım ótkezgish kristalınan tısqarı quramında kristall maydanında jaylasqan jińishke qatlamlı (qalıń plyonka) passiv elementler bar.
Qayta islengen signal túri
• Analog-cifrlı.
Islep shıǵarıw texnologiyası
Analog mikrosxemalardin’ tiykarǵı elementi tranzistorlar bolıp tabıladı (bipolyar yamasa maydan effekti). Transistorlar islep shıǵarıw texnologiyasınıń parqı mikrosxemalardin’ qásiyetlerine sezilerli tásir etedi. Sol sebepli, kóbinese mikrosxemadin’ xarakteristikaında islep shıǵarıw texnologiyası usınıń menen aytılıwı kerek ulıwma ayrıqshalıqlar mikrosxemadin’ qásiyetleri hám múmkinshilikleri. Zamanagóy texnologiyalar bipolyar hám atız effektli tranzistorlar mikrosxemalardin’ islewin jaqsılaw.
• Bir qutbli (atız) tranzistorlardaǵı mikrosxemalar eń qolaylı (ámeldegi tutınıw boyınsha ):
o MOS logikası (metall oksidi yarım ótkezgishli logika ) - mikrosxemalar atız effektli tranzistorlardan payda boladı. n-MOS yamasa p-MOS túri;
o CMOS mantig'i (qosımsha MOS mantig'i) - mikrosxemadin’ hár bir logikalıq elementi bir-birin tolıqlawısh (tolıqlawısh ) atız effektli tranzistorlardan ibarat ( n-MOS hám p-MOS).
• Bipolyar tranzistorlar boyınsha chiplar:
o RTL - rezistor-tranzistorlı logika (gónergen, TTL menen almastırılǵan );
o DTL - diod-tranzistorlı logika (gónergen, TTL menen almastırılǵan );
o TTL - tranzistor -tranzistorlı logika - mikrosxemalar kirisiw bóleginde kóp emitrli tranzistorlı bipolyar tranzistorlardan tayarlanadı ;
o TTLSh - Schottky diodli tranzistor -tranzistorlı logika - rawajlanıwlastırılgan TTL, bul erda Schottky effektine iye bipolyar tranzistorlardan paydalanıladı ;
o ESL - emitent menen baylanısqan logika - jumıs tezligi toyınǵanlıq rejimine kirmewi ushın saylanǵan bipolyar tranzistorlarda, bul tezlikti sezilerli dárejede asıradı ;
o IIL - In'ektsiya ushın integral logika.
• Da atız effektli, de bipolyar tranzistorlardan paydalanatuǵın mikrosxemalar:
Tap sol túrdegi tranzistor járdeminde mikrosxemalar túrli metodologiyalar járdeminde jaratılıwı múmkin, mısalı, statikalıq yamasa dinamikalıq.
CMOS hám TTL (TTLSh) texnologiyaları eń keń tarqalǵan mikrosxemalar mantig'i bolıp tabıladı. Ámeldegi tutınıwdı tejew zárúr bolǵan orında, tezligi áhmiyetlilew bolǵan hám energiya sarpı talap etińbeytuǵın CMOS texnologiyasınan paydalanıladı, TTL texnologiyasınan paydalanıladı. CMOS mikrosxemalaridin’ hálsiz tárepi statikalıq elektr energiyasına salıstırǵanda hálsizlik bolıp tabıladı - mikrosxemadin’ shıǵıwına qolıńız menen tegizish jetkilikli etedi jáne onıń pútinligi endi kepilliklanmaydi. TTL hám CMOS texnologiyalarınıń rawajlanıwı menen mikrosxemalar parametrleri boyınsha jaqınlasıp atır hám nátiyjede, mısalı, 1564 ceriyali mikrosxemalar CMOS texnologiyasınan paydalanǵan halda islep shıǵarılǵan hám ishdagi jaylasıwı TTLnikiga uqsas bolıp tabıladı. texnologiya.
ESL texnologiyasınan paydalanǵan halda islep shıǵarılǵan mikrosxemalar eń operativ, biraq usı waqıtta eń kóp energiya sarplaytuǵın hám eń zárúrli parametr esaplaw tezligi bolǵan jaǵdaylarda kompyuter texnologiyasın óndiriste isletilingen. SSSRda EC106 x tipidagi eń nátiyjeli kompyuterler ESL mikrosxemalarida islep shıǵarılǵan. Bul texnologiya házir júdá kem qollanıladı.
Mikrosxemalar óndiriste fotolitografiya usılı (proyeksiya, baylanıs hám basqalar ) qollanıladı, shınjır bolsa kremniy bir kristallarini almaz diskları menen jińishke gofretlarga kesip alıw nátiyjesinde alınǵan substratda (ádetde kremniy) payda boladı. Mikrosxemalar elementleriniń sızıqlı ólshemleri kishiligi sebepli, tásirlanganda kórinetuǵın jaqtılıq hám hátte ultrafioletoviy nurlanıwına jaqın paydalanıwdan waz keshildi.
Tómendegi protsessorlar Uv nurları járdeminde islep shıǵarılǵan (ArF eksimer lazeri, tolqın uzınlıǵı 193 nm). Ortasha tarawdıń basshıları ITRS rejesine qaray hár 2 jılda jańa texnologiyalıq processlerdi engiziwdi, usınıń menen birlik maydanına tuwrı keletuǵın tranzistorlar sanı eki ese kóbeydi: 45 nm (2007), 32 nm (2009 ), 22 nm (2011), 14 nm islep shıǵarıw baslandı 2014 jılda, shama menen 2018 jılda 10 nm processlerdiń rawajlanıwı kútilip atır.
2015 jılda jańa texnikalıq processlerdiń kiritiliwi páseytiwedi degen shamalar bar edi.
Sapa qadaǵalawı
Integral mikrosxemalar sapasın basqarıw ushın sınaq strukturaları dep atalatuǵın usıllardan keń paydalanıladı.
Analog integral (mikro) sxema (AIS, Maqsetler) bul integral mikrosxema, onıń kirisiw hám shıǵıw signalları úzliksiz funkciya nızamına kóre ózgeredi (yaǵnıy olar analog signallar ).
Analog IC dıń laboratoriya prototipi 1958 jılda AQShda Texas Instruments tárepinen jaratılǵan. Bul fazanı almastırıw generatorı edi. 1962 jılda analog mikrosxemalardin’ birinshi ceriyasi payda boldı - SN52. Onıń quramına kem quwatlı tómen chastotalı kúsheytgish, isleytuǵın kúsheytgish hám video kúsheytgish kiritilgen.
SSSRda 1970 jıl aqırına shekem analog integral mikrosxemalardin’ úlken assortimenti qolǵa kirgizildi. Olardan paydalanıw qurılmalardıń isenimliligin asırıwǵa, úskenelerdi sazlawdı ápiwayılastırıwǵa hám hátte jumıs waqtında texnikalıq xızmetke mútajlikti joq etiwge múmkinshilik berdi.
Tómende analog IClar tárepinen orınlawǵa bolatuǵın bolǵan qurılmalardıń tolıq bolmaǵan dizimi keltirilgen. Kóbinese, bir mikrosxem bir neshesin bır jola almastıradı (mısalı, K174 XA42 superheterodin FM radiosidin’ barlıq túyinlerin óz ishine aladı ).
• Filtrler (sonday-aq piezo filtrleri).
• Analog multiplikatorlar.
• Analog susaytirgichlar hám ózgeriwshen kúsheytgishler.
• Elektr támiynatı stabilizatorlari: kernew hám aǵıs stabilizatorlari.
• Kommutatsiya quwat dárekleriniń mikrosxemalarini basqarıw.
• Signal konvertorlari.
• Hár qıylı sensorlar.
Analog mikrosxemalar dawıstı kúsheytiw hám dawıstı kóbeytiw úskenelerinde, video jazıwchida, televizorda, baylanıs úskenelerinde, ólshew ásbaplarında, analog kompyuterlerde hám basqalarda qollanıladı.