180. 27. Umimiy baza sxemasi uchun α = 0,96. Umumiy emitter sxemasi uchun uzatish koeffitsientni aniqlang.
181. 28. Umumiy emitter sxemasi bo’yicha ulangan KT 315 A tranzistorning baza to’ki 0,1mA ga o’zgargan. Baza to’kini uzatish koeffitsient h21b= 0,975. Emitter to’kining o’zgarishini aniqlang.
182. 29.1.7. – rasmda umumiy emitter sxemasi bo’yicha ulangan KT 339A tranzistorning chiqish tavsiflari keltirilgan. A ishchi nuqta uchun Ib baza to’kini, Uk kollektor kuchlanishini aniqlang. A nuqtada Ik=6 mA, kollektorda tarqaluvchi quvvat Pk =72mVt.
1 .7. – rasm
183. 30.1.8-rasmda KП103Л maydon tranzistorini chiqish tavsiflari keltirilgan. Usi=10V va U3=1,5V bo’lgan xolat uchun tiklik S aniqlansin.
1 84. 31. KПO13И maydon tranzistorini chiqish tavsiflaridan (1.9-rasm) foydalanib Usi=10V uchun Ic=f (Uzi) tavsifi qurilsin.
1.8 - rasm
IS, mA UZI=0 V
1.9. –rasm
185. 32. KП103И maydon tranzistori uchun (1.9. – rasm) Usi=10V va Uzi=0,5; 1,0; 1,5V uchun o’zgarmas tokga qarshilik R0 aniqlansin.
186. 33. KП103И maydon tranzistorini stok-zatvor tavsifidan (1.10.-rasm) Uzi=1.5; 1; 0.5V uchun tiklik S aniqlansin. S=f (Uzi) tavsifi qurilsin.
IS, mA КП103 ЗИ
UZI, V
1.10. -rasm
187. 34. KП103И tranzistorini stok-zatvor tavsifidan (1.10.-rasm) Usi=10V va Uzi=1.5V uchun tiklik S aniqlansin.
To’g’irlagichlar 188. 1. Bitta yarim davrli to’g’rilagich (2.1. – rasm) sxemasida diod orqali I0=75mA tok oqib o’tadi. Transformatorning ikkilamchi cho’lg’amidagi kuchlanishning amplitudasi U2m=200V RH yuklamaning qarshiligi aniqlansin.