Elektronika va sxemotexnika

4.3. Yarim o„tazgichli IMSlar  
 
Tranzistorning ishlatilish turiga ko‗ra yarim o‗tkazgichli IMSlarni  bipolyar 
va  MDYa  IMS  larga  ajratish  qabul  qilingan.  Bundan  tashqari,  oxirgi  vaqtlarda 
boshqariluvchi  o‗tishli  maydoniy  tranzistorlar  yasalgan  IMSlardan  foydalanish 
katta ahamiyat kasb etmoqda. Bu sinfga galliy arsenidida yasalgan IMSlar, zatvori 
Shottki diodi ko‗rinishida bajarilgan maydoniy tranzistorlar kiradi. Hozirgi kunda 
bir vaqtning o‗zida ham bipolyar, ham maydoniy tranzistorlar  qo‗llanilgan IMSlar 
yaratish tendensiyasi belgilanmoqda. 
Ikkala  sinfga  mansub  yarim  o‗tkazgichli  ISlar  texnologiyasi  yarim 
o‗tkazgich  kristallini  galma  –  gal  donor  va  akseptor  kiritmalar  bilan    legirlash 
(kiritish)ga  asoslangan.  Natijada  sirt  ostida  turli  o‗tkazuvchanlikka  ega  bo‗lgan 
yupqa qatlamlar, ya‘ni n–p–n yoki  p–n–p  tuzilmali tranzistorlar hosil bo‗ladi. Bir 
tranzistorning  o‗lchamlari  enigi  bir  necha  mikrometrlarni  tashkil  etadi.  Alohida 
elementlarning  izolyatsiyasi  yoki  r-n  o‗tish  yordamida,  yoki  dielektrik  parda 
yordamida  amalga  oshirilishi  mumkin.  Tranzistorli  tuzilma  faqat  tranzistorlarni 
emas, balki boshqa  elementlar  (diodlar, rezistorlar, kondensatorlar)  yasashda ham 
qo‗llaniladi. 
Mikroelektronikada bipolyar tranzistorlardan tashqari ko‗p emitterli va ko‗p 
kollektorli tranzistorlar ham qo‗llaniladi. 
Ko‗p emitterli tranzistorlar (KET) umumiy baza qatlami bilan birlashtirilgan 
bir kollektor va bir necha (8-10 gacha va ko‗p) emitterdan tashkil topgan.     Ular 
tranzistor – tranzistorli mantiq (TTM) sxemalarni yaratishda qo‗llaniladi. 

---

 
 
69 
69 
Ko‗p kollektorli tranzistor tuzilmasi ham, KET tuzilmasiga o‗xshash bo‗ladi, 
lekin  integral  –  injeksion  mantiq  (I
2
M)  deb  ataluvchi  injeksion  manbali  mantiqiy 
sxemalar yasashda qo‗llaniladi. 
Diodlar. Diodlar bitta p-n o‗tishga ega. Lekin bipolyar tranzistorli IMSlarda 
asosiy  tuzilma  sifatida  tranzistor  tanlangan,  shuning  uchun  diodlar  tranzistorning 
diod  ulanishi  yordamida  hosil  qilinadi.  Bunday  ulanishlarning  beshta  varianti 
mavjud.  Agar diod yasash uchun emitter – baza o‗tishdagi p-n o‗tish qo‗llanilsa, u 
holda kollektor – baza o‗tishdagi p-n o‗tish uziq bo‗lishi kerak. 
Rezistorlar.  Bipolyar  tranzistorli  IMSlarda  rezistor  hosil  qilish  uchun 
bipolyar  tranzistor  tuzilmasining  biror  sohasi:  emitter,  kollektor  yoki  baza 
qo‗llaniladi.  Emitter  sohalari  asosida  kichik  qarshilikka  ega  bo‗lgan  rezistorlar 
hosil qilinadi. Baza qatlami asosida bajarilgan rezistorlarda ancha katta qarshiliklar 
olinadi.