Elektronika va sxemotexnika

Maydoniy 
tranzistorlarda 
yasalgan 
kuchaytirgichlar. 
Maydoniy 
tranzistorlardan  kuchaytirgich  yasashda  umumiy  istok  (UI)  sxemada  ulangan 
maydoniy tranzistorlar keng qo‗llaniladi.  39 –rasmda n – kanalli p–n o‗tish bilan 
boshqariladigan maydoniy tranzistorda yasalgan kuchaytirgich bosqichi keltirilgan. 
p–n  o‗tish  bilan  boshqariladigan  maydoniy  tranzistorda  stok  va  zatvorga 
berilayotgan kuchlanish ishoralari (qutblari) bir - biriga teskari bo‗lishi kerak. Shu 
sababli o‗zgarmas tok bo‗yicha rejim hosil qilish uchun  R
I
  rezistor  kiritiladi  va  u 
ketma-ket MTAni hosil qiladi. Bundan tashqari, kuchaytirgich parallel kirishlariga 
R
SIL
  rezistor  ulanadi  va  u  zatvorni  umumiy  shina  bilan  galvanik  aloqasini 
ta‘minlaydi va kuchaytirgich kirish qarshiligini barqarorlaydi. 
Berilgan  I
S0
  sokinlik  toki  uchun  R
I
  kattaligi  maydoniy  tranzistor  stok  – 
zatvor  VAXsidan  aniqlanadi.  VAXdan  U
ZI0 
ni  aniqlab  R
I
  ni  quyidagi  ifodadan 
qiynalmas aniqlash mumkin: 
 
И
С
ЗИ
R
I
U
0
0


 
 

---

 
 
62 
62 
 
 
39 – rasm. 
 
Kirishga  o‗zgaruvchan  signalning  musbat  yarim  davri  U
KIR
  berilganda 
chiqishda  teskari  fazadagi  signal  U
ChIQ
  hosil  bo‗ladi,  ya‘ni  UI  sxemadagi 
kuchaytirgich  bosqichi  kirish  signalini  inverslaydi.  Kuchlanish  bo‗yicha 
kuchaytirish koeffisienti quyidagiga teng 
 
C
C
C
n
C
C
C
C
ЗИ
СИ
КИР
ЧИК
U
R
r
R
R
r
R
Sr
U
U
U
U
K















 
 
―Manfiy‖  ishora  UIli  sxema  signalni  inverslashini  bildiradi.  Amaliyotda 
C
C
R
r

,  shu  sababli  kuchaytirish  koeffisientini  quyidagi  ko‗rinishda  ifodalash 
mumkin 
C
U
R
S
K



 
UI sxemadagi real kuchaytirgich bosqichlarida Ku=3

’50, R
KIR
 

 R
SIL
,  R
ChIQ
 

  R
S
.