317
MA’RUZALARNING QISQACHA MAZMUNI BİLDİRİ ÖZETLERİ KİTABI
ограниченного горизонтально расположенными подложками GaAs.
Изучен состав и однородность твердого раствора.
Приведены некоторые
электрофизические параметры. Исследована влияние гамма-облучения
на вольтамперные характеристики nGaAs-p(GaAs)
1-x
(ZnSe)
x
структур.
Показано, что при дозах облучения до
10
4
рад
вольтамперная характеристика
исследованных
структур улучшается, которое объясняется уменьшением
концентрации активно работающих рекомбинационных
центров за счет
возникновения дефект-примесных комплексов.
Ключевые слова:
эпитаксия, твердый раствор, галлий, селен,синтез,
жыдкая фаза,концентраци
UMUMTAʼLIM MAKTABLARI VA AKADEMIK LITSEYLARDA
INTERDISIPLINAR
Dostları ilə paylaş: