Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni
Natijalar va munozaralar
Yüklə 11,09 Mb. Pdf görüntüsü
|
- Bu səhifədəki naviqasiya:
- “Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni”. Samarqand 2019-yil 13-14 dekabr.
- ҚУТБЛАНГАН ЁРУҒЛИКДАН ПАХТАЧИЛИКДА ФОЙДАЛАНИШ
- ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ В ВАРИЗОННОМ ТВЕРДОМ РАСТВОРЕ Si 1-x Ge x (0≤x≤1)
- ҚУЁШ КОНЦЕНТРАТОРИНИ ТАЙЁРЛАШ ВА УНИНГ ИССИҚЛИК ХОССАЛАРИ
- ТЕМПЕРАТУРНАЯ И ПОЛЕВАЯ ЗАВИСИМОСТИ КОЭФФИЦИЕНТА ХОЛЛА МОНОКРИСТАЛЛОВ РЕНИЯ И ЕГО ПОВЕРХНОСТЬ ФЕРМИ
|
Natijalar va munozaralar. Tahlillarimiz asosida, biz ekliptik mintaqada quyosh shamoli massasining oqimiga KMT larning qo'shgan ulushi quyosh sikli minimumida ahamiyatsiz darajada kichik, lekin 23- va 24-quyosh sikllari maksimumida ≈ 5% gacha oshishini aniqladik. Quyosh shamoli massasining oqimiga KMT larning fraktsion ulushi quyosh siklini yaqindan kuzatib borayotganligi ham ta'kidlandi. Yer yaqinidagi ekliptikada, 23- va 24-quyosh siklining turli bosqichlarida o'rtacha quyosh shamoli oqimi KMT oqimi bilan taqqoslanganda nisbatan o’zgarmasdir (1-rasm). “Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni”. Samarqand 2019-yil 13-14 dekabr. 365
Tahlillar shuni ko'rsatadiki, KMT larning sodir bo’lish ko’rsatkichi 23-quyosh sikliga qaraganda 24-quyosh siklida ko'p bo'lishiga qaramasdan, KMT va SKMT larning tezligi 24-quyosh siklida 23- quyosh siklidagiga nisbatan kamroqdir. KMT larning sodir bo'lish ko’rsatkichi (chastotasi), 23-quyosh siklining pasayish fazasidan tashqari, ham amplituda ham fazada 23- va 24-quyosh faolligi siklini kuzatishga intiladi. 24-quyosh siklidagi quyosh dog’lari soni oldingi sikldagi quyosh dog’lari sonining yarmiga teng bo'lsa-da, KMT larning ko’rsatkichi 24-quyosh siklida oldingi 23-quyosh siklining tegishli fazasiga nisbatan bir oz yuqoriroq. Umumiy songa nisbatan solishtirganda, har qanday quyosh kengligidagi massa yo'qotilish ko’rsatkichi 23-quyosh sikliga qaraganda 24-quyosh sikli uchun kamroqdir. Ehtimol, bu tez va massiv KMT lar zaif KMT larga qaraganda quyosh dog’lari soniga kuchli bog'liqligini ko’rsatishi mumkin. 24-quyosh siklidagi KMT lar 23-quyosh siklidagiga nisbatan tor tezlik diapozoniga ega bo’lib, o'rtacha sekinroq bo’lishi qayd etildi. Quyosh aktivligi siklining maksimumida siklning minimumidagiga qaraganda, KMT lar enli va kengliklarda ko’proq bir xil taqsimlangan [3]. KMT larning massa oqimini hisoblash uchun KMT larning tuzilishi, ularning massasi va taqsimlanishlariga nisbatan bir necha taxminiy hisoblashlarni bajardik. KMT lar kengliklarini, ularning markaziy pozitsiya burchagi (Central Position Angle (CPA)) yordamida hisoblashda bizning yondashuvimiz hamma KMT lar uchun mukammal to'g'ri kelmasligi mumkin. Quyosh shamoli massasining oqimiga KMT larning hissasini taxminiy hisoblashda, bunday yondashuvlarning natijalarini baholash uchun qo'shimcha tadqiqotlar talab qilinadi. Foydalanilgan adabiyotlar: 1.
Jackson, B. V., Howard, R. A. (1993). A CME mass distribution derived from SOLWIND coronagraph observations. Solar Physics, 148, 359 2. Lamy, P., Floyd, O., Quemerais, E., Boclet, B., Ferron, S. (2017). Coronal mass ejections and solar wind mass fluxes over the heliosphere during solar cycles 23 and 24 (1996-2014). Journal of Geophysical Research (Space Physics), 122, 50 3.
Mishra, W., Srivastava, N., Mirtoshev, Z., Wang, Y. (2018). Solar cycle variation of coronal mass ejections contribution to solar wind mass flux. Proceedings of the International Astronomical Union, 13(S340), 175
Юлдашев Юсуф Тошпулатович, Чирчиқ Олий Танк қўмондон-муҳандислик билим юрти “Табиий-илмий фанлар” кафедраси ўқитувчиси
Ёруғликнинг пахта толасида қутбланиши ва ундан пахтачиликда фойдаланиш муҳим аҳамиятга эга. Шунинг учун қуйида кўриб чиқамиз. Пахта толаси кристалл-аморф тузилишга эга. Толани ташкил этган молекулалар маълум тартибда жойлашган, яъни пахта толаси ўз ўқи атрофида 30° бурчак ташкил қилган винт
ekliptik mintaqadagi 1 a.b. da o'zgarishi ko'rsatilgan. O'ng panelda KMT ning quyosh shamoli massasi oqimiga nisbati ko'rsatilgan.
“Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni”. Samarqand 2019-yil 13-14 dekabr. 366
шаклида жойлашган занжирли бирикмалардан иборат. Агар пахта толасини цилиндр шаклида деб олсак, унинг ўз ўқи атрофида жойлашган винт шаклида жойлашган молекулалари занжири толанинг олдинги ва орқа тарафида қарама-қарши томонга оққан бўлади. Демак, пахта толасининг тузилиши анча мураккаб экан. Пахта толасининг ана шундай мураккаб анизатроп тузилишга эга эканлиги, унинг муҳим оптик хусусиятларини вужудга келтиради. Пахта толаси анизатроп тузилишга эга бўлганлигидан, унда ёруғлик нури иккиланиб синади. Агар пахта толасини найча кўринишда деб олсак, унга тушаётган табиий ёруғлик нури турли хил йўналишда тебранади. Ёруғлик нури пахта толасига тушиши натижасида тола сиртидан қисман қайтиб, бир қисми тола ичига ўтади. Тола ичига ўтган ёруғлик нури икки ташкил этувчига ажралади ва турли хил катталикдаги тезлик билан тарқалади. Бу иккала нур ўзаро бир-бирига тик йўналишлардаги текисликларда қутбланган бўлади. Маълумки, табиий ёруғлик нури электромагнит тўлқиндан иборат бўлганлигидан унда электр ва магнит майдонлари мавжуд. Магнит ва электр майдонлар ўзаро перпендикуляр бўлган ташкил этувчилардан иборат бўлганлиги сабабли пахта толасига бири кўндаланг тушса, бири тола узунлиги бўйлаб йўналган бўлади. Шунинг учун пахта толаси кўндаланг ва бўйлама йўналган электр ва магнит майдон ташкил этувчиларига турлича таъсир қилади, яъни синдириш коэффициенти турлича бўлади. Демак, пахта толасида қутбланган ёруғликнинг тарқалиш тезликлари ҳам турлича бўлади. Пахта толасининг ёруғликни синдириш коэффициенти икки хил бўлар экан, яъни тола ўқи бўйича йўналган тебранишнинг синдириш коэффициента n ‖ =1,58 бўлиб, толага кўндаланг ёки тола ўқига перпендикуляр бўлганда синдириш коэффициенти n ┴ = 1,534 бўлади. Синдириш коэффициентлари қийматидан кўринадики, толага параллел йўналишда тушган тебранишлар, масалан, электр тебранишлари секинроқ, тола ўқига перпендикуляр тушган магнит тебранишлари эса тезроқ тарқалар экан. Энди ёруғликнинг пахта толасидан ўтиши натижасида қутбланиши ва ундан ҳосил бўладиган интерференцияни кўриб чиқамиз. Пахта толасини олиб, уни маълум қалинликда икки қутблагич орасига қуямиз. Ёруғлик манбаидан чиқаётган нурлар қутблагич II дан қутбланади, қутбланиш чизма текислигига перпендикуляр бўлган текисликда бўлади. Қутбланган ёруғлик нури пахта толаси Т га тушиб, ўзаро перпендикуляр бўлган текисликларда тебранувчи ёруғлик нурларига ажралади. Иккилантириб синдирувчи жисмларнинг синдириш коэффициенти турли тебранишдаги ёруғлик нурларига турлича таъсир қилади. Шунинг учун нурлар бир хил α- қалинликдаги толалар ичидан ўтиб, ундан маълум йўл фарқи билан чиқадилар. Тола ичидан ўтган нурлар когерент нурлар
эмас, чунки
бу нурлар
интерференцияланмайди, яъни
интерференция ҳодисасини кузаташ мумкин эмас. Шунинг учун бу икки нурлар йўлига анализатор А қўйиладики, у фақат чизма текислигига перпендикуляр бўлган нурларни ўтказади, холос. Анализатор А дан ўтган нурлар ўзаро когерент бўлганлиги туфайли улардан интерференция вужудга келади. Улар анализатордан ўтганидан кейин, йўл фарқларига қараб, бир-бирини кучайтириши ёки сусайтириши мумкин (1-расм). “Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni”. Samarqand 2019-yil 13-14 dekabr. 367
Агар йўл фарқи тушаётган тўлқинлар узунлигининг бутун сонларига тенг бўлса, бу нурлар бир-бирини кучайтиради; агар йўл фарқи тушаётган ярим тўлқин узунликларининг тоқ сонига тенг бўлса, бу нурлар бир-бирини сусайтиради. Интерференцияли манзараларнинг ранги пахта толасига боғлиқ. Пахта толасининг пишиқлиги толадаги молекулаларнинг жойлашишига боғлиқ. Демак, интерференция ранги пахта толасига боғлиқ бўлар экан. Ана шу боғлиқликдан фойдаланиб, қутбланган ёруғлик ёрдамида пахта толасининг навини аниқлаш мумкин экан.
А.С.Саидов*, А.Б.Каршиев*, Ш.Холмуродов**. *Физико-технический институт НПО «Физика-Солнце» АН РУз. **Гулистанский государственный университет
За последнее десятилетие одним из интереснейших новых эффектов был эффект возникновение ЭДС при однородном нагреве материалов на основе моносульфида самария SmS [1-3]. В последнее время появилась работа [4], в которой сообщается о наблюдении подобного же эффекта возникновения термоЭДС при однородном нагревании оксида цинка ZnO, неоднородно легированного примесями с переменной валентностью. Сходные эффекты для совершенно других материалов в последние годы наблюдались в ФТИ АН РУз. В работах [5-6] сообщалось о возникновении ЭДС и тока при однородном нагреве образцов с простыми омическими контактами, изготовленных из поликристаллического кремния, полученного многократной переплавкой технического кремния на открытом воздухе в солнечной печи. Варизонный твердый раствор Si 1-x
Ge x (0≤x≤1) выращивался из ограниченного объема раствора-расплава Sn-Si-Ge методом жидкофазной эпитаксии на кремниевых подложках n-типа проводимости с ориентацией <111> в температурном диапазоне 1000÷750 0 С. Из полученных материалов были изготовлены образцы с размерами: длина – 8mm; ширина – 5 mm. Пленки твердого раствора, выращенные на подложках с ориентацией <111>, имели монокристаллический характер. Для исследования зависимости термоэлектрического эффекта в варизонных твердых растворах Si 1-x Ge
(0≤x≤1) был проведен косой шлиф пленки, что дало возможность иметь доступ к материалу с различным содержанием германия (см. рис.1.), для чего были сделаны соответствующие омические контакты из серебра. Омичность контактов проверялась путем снятия ВАХ.
Рис.1. Схема исследуемой пленки p-Si 1-x Ge x (0≤x≤1). 1,2,3 – контакты из серебра, причем у контакта 1 – в твердом растворе почти 100% Ge, у контакта 2 –55% Ge, а у контакта 3 –20% Ge. 1 2 3 Ag p-Si 1-x Ge x n-Si “Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni”. Samarqand 2019-yil 13-14 dekabr. 368
Проводилось однородное нагревание исследуемой структуры в вакууме при различном
сочетании контактов – либо 1-3, либо 1-2. Результаты появлявшихся при этом термостимулированных токов и напряжений представлены на рис. 2 а и в и 3 а и в. Из рис. 2 и 3 видно, что величина генерируемых при однородном нагревании токов и напряжений, сильно зависит от положения контактов, т.е. от состава пленки по толщине образца. 0 5 0 1 0 0 1 5 0
2 0 0 2 5 0
- 2 0 2 4 6 8 1 0 1 2
1 4 1 6
1 8 T O C I( n A )
5 0 1 0 0
1 5 0 2 0 0
2 5 0 0 1 2 3 4 5 6 7 T O C I( n A )
a) b) Рис.2. Температурные зависимости токов, возникающих в варизонной пленке p-Si 1- x
x (0≤x≤1) с простыми омическими контактами: 1-3 (a) и 1-2 (b).
0
1 0 0 1 5 0
2 0 0 2 5 0
- 0 , 2 0 , 0
0 , 2 0 , 4
0 , 6 0 , 8
1 , 0 1 , 2
1 , 4 1 , 6
1 , 8 T O C U (m V )
0 5 0
1 0 0 1 5 0
2 0 0 2 5 0
0 , 0 0 , 1
0 , 2 0 , 3
0 , 4 0 , 5
0 , 6 0 , 7
0 , 8 T O C U (m V )
a) b)
Рис.3. Температурные зависимости напряжений, возникающих в варизонной пленке p-Si
1-x Ge x (0≤x≤1) с простыми омическими контактами: 1-3 (a) и 1-2 (b). Проведенные исследования показывают, что в косой пленке твердого раствора Si 1- x
x (0≤x≤1) с простыми омическими контактами при однородном нагреве генерируются ток и напряжение, причём их величина тем больше, чем больше варизонность пленки. Такие пленки могут быть использованы для фотоэлектрического преобразования солнечной энергии, поскольку при правильно выбранном воздействии на них солнечного света исследуемый термоэлектрический эффект может усилить влияние солнечного света. Список литературы 1. Казанин М.М., Каминский В.В., Соловьев С.М.// Письма в ЖТФ. 2000.Т.70.В.5.с. 136-138. 2. Каминский В.В., Соловьев С.М.// ФТТ. 2001.Т.43.В.3.с. 423-426. 3. Каминский В.В., Казанин М.М.//Письма в ЖТФ. 2008.Т.34.В.8.с. 92-94. 4. Пронин И.А., Аверин И.А., Божинова А.С., Георгиева А.Ц., Димитров Д.Ц., Карманов А.А., Мошников В.А., Папазова К.И., Теруков Е.И., Якушова Н.Д. //Письма в ЖТФ. 2015.Т.41.В.19.с. 23-29.
“Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni”. Samarqand 2019-yil 13-14 dekabr. 369
5. Саидов А.С.// Альтернативная энергетика и экология (International Scientific Journal for Alternative Energy and Ecology) 2010.В.3(83).с.22-25. 6. Саидов А.С., Лейдерман А.Ю., Маншуров Ш.Т.// Альтернативная энергетика и экология (International Scientific Journal for Alternative Energy and Ecology) 2011.В.5(97).с.27-33.
Файзиев Шахобиддин Шавкатович БухДУ физика кафедраси мудири, физика-математика фанлари бўйича фалсафа доктори. Темиров Соҳиб Амонович БухДУ физика кафедраси 2-босқич магистранти
Муқобил энергия манбаларидан кенг фойдаланиш ҳар бир мамлакатнинг устувор мақсадлари ҳамда энергетика ҳавфсизлиги вазифаларига мувофиқ келади ва энергетика соҳасининг жадал ривожланаётган йўналишларидан ҳисобланади. Республикамизда қайта тикланувчан энергия манбаларини ривожлантириш борасида маълум ишлар амалга оширилмоқда. Бухорода қуёш энергиясидан самарали фойдаланиш борасида кўпгина изланиш амалга оширилмоқда. Бу изланишлар бизга ананавий энергия манбалари кўмир, ўтин, нефт маҳсулотлари ва табиий газ каби табиий ёқилғи манбалари тежаб қолишга ёрдам беради. Дунёдаги глобал экологик муаммо ҳисобланиб тоза энергиядан фойдаланишни халқ хўжалигида ишлатиш ҳозирги кунда дунё олимларининг диққат марказида бўлиб қолди. Қуёш, шамол, геотермал энергиялари, дарё сувларининг потенциал энергияси ва океан сувларининг кўтарилиб тушиш энергиялари каби муқобил энергия манбаларидан кенг фойданиш усулларини яратиш ва қўллаш юқорида келтирилган муаммолар ечимининг мавжуд бўлиши қатор адабиётларда ўз аксини топган [1]. Ер юзидаги инсониятнинг кўпайиши айниқса, сўнгги ўн йилликда жамиятнинг улкан ривожланиши энергия сарфини ортишига олиб келмоқда. Бу талабни қондиришнинг экологияни бузмайдиган, зарарсиз йўлларини излаб топиш фан ва техниканинг асосий долзарб масалаларидан бири бўлиб ҳисобланади. Энергияга бўлган талабнинг кескин ортиши алтернатив ноананавий энергия манбаларидан зудлик билан фойдаланишга олиб келади. Қуёш энергиясидан халқ хўжалиги соҳаларида, жумладан, қишлоқ хўжалигида кенг миқёсда фойдаланишнинг самарали йўлларини излаб топиш шулар жумласидандир. Уй рўзғор ишлари учун мўлжалланган айниқса сувни қайнатиш ёки кўп сонли бўлмаган оилага овқат тайёрлашга мўлжалланган қуёш ўчоқлари асосидаги ошхоналарда фойдаланилиши мумкин бўлган параболик концентратор ҳақида маълумотлар келтирилган. Ушбу қурилма параболоид шаклдаги концентратордан иборат бўлиб, у кўп сонли кўзгуларлардан ташкил топган. Фокус масофаси 0,9 м, асосининг текислиги юзаси 0,635 м2 га тенг. Юзаси 0,05х0,05 м ўлчамдаги жами 256 та майда кўзгу-ойналар билан қопланган. Бу кўзгуларга тушаётган қуёш нури, ҳар бир кўзгудан қайтиб, концентратор фокус масофасида жойлашган нур қабул қилгичда йиғилади. Нур қабул қилгичларда ҳарорат 400 0 C гача кўтарилиши қайд қилинган. Қуёш нурини фокал нуқтада самарали йиғилиши ва Қуёш нури силжишини кузатиб бориш учун тайёрланган концентратор механик бошқариладиган ғилдиракларга ўрнатилди. Ишлаб чиқилган ва тайёрланган мазкур қурилмани тайёрлашда маҳаллий, арзон ва бизнинг маҳаллий шароитда кенг ишлаб чиқарилаётган материаллардан фойдаланилди. Қуёш нурлари қурилманинг юзасига тўлиқ тушиши учун концентратор қуёш ҳаракати ва тушиш бурагига қараб, мос равишда ҳолати ўзгартирилиб турилди. Ушбу жараён тагликка ўрнатилган ғилдираклар ёрдамида амалга оширилди. Қурилманинг параболоид қисмини горизонтга
“Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni”. Samarqand 2019-yil 13-14 dekabr. 370
нисбатан талаб этиладиган бурчакка оғдириш қулай бўлиши учун махсус бурчак ўзгартиргич ҳам ўрнатилди. Олинган натижалар шуни кўрсатдики, оғзи ёпиқ идишдаги сув термодинамик қонунларга мос равишда очиғига нисбатан тезроқ қайнаши тажрибада олинди. Маълумки суюқлик таркибида ҳар қандай ҳолатда ҳам унда эриган газлар мавжуд бўлади, улар эса идишнинг туби ва деворларига ҳамда суюқлик ичида муаллақ сузиб юрган чанг зарраларида майда пуфакчаларни ҳосил қилади. Температура кўтарилиб борган сари пуфакчалардаги тўйинган буғ миқдори ва босими орта боради. Итариб чиқарувчи Архимед кучи таъсирида пуфакчалар юқорига қалқиб чиқади.
Қурилманинг умумий кўриниши. Агар суюқликнинг юқори қатламлари температураси пастроқ бўлса, кўтарилаётган пуфакчалардаги босим тез камаяди ва юқоригача етиб бормайди. Пуфакчалар ичидаги тўйинган буғ босими суюқлик босимига тенглашгач пуфакчалар юқори қатламга етиб боради ва қайнаш жараёни бошланади. Оғзи ёпиқ идишда юқори қатламдаги иссиқлик сақланиб қолади ва қайнаш жараёни тезроқ амалга ошади. Адабиётлар рўйхати 1. Duffie J., Beckman W. Solar engineering of thermal processes. New York. Wiley, 1991. -919p. 2. Захидов Р.А. Зеркальный системы концентрации лучистой энергии. Ташкент: Фан. 1986. -176 3. Zahidov R.A. Technology and testing of solar energy concentrating systems. Tashkent: 1978. 184 P.184.
МОНОКРИСТАЛЛОВ РЕНИЯ И ЕГО ПОВЕРХНОСТЬ ФЕРМИ
О.К.Кувандиков, Н.С.Хамраев, У.Т.Усаров Самаркандский государственный университет, Самарканд 140104, Университетский бульвар 15, e-mail: quvandiqov@rambler.ru .
Исследование температурной и полевой зависимостей коэффициента Холла монокристаллических металлов в зависимости от направления приложенного магнитного поля относительно гексагональной оси симметрии может дать ценные информации о топологии поверхности Ферми изучаемого металла и об изменениях последнего под действием температуры и поля. В данной работе исследована температурная и полевая зависимость коэффициента Холла в двух образцах монокристаллического рения в интервале температур 77-1000 К. Измерения температурной зависимости коэффициента Холла проводились методом переменного тока и переменного магнитного поля разных частот. Частота тока и магнитного поля составляли 50 Гц и 71 Гц соответственно. Полевая зависимость эффекта Холла на монокристалле рения проводились в магнитных полях до 80 кЭ. Для исследования использовали
“Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni”. Samarqand 2019-yil 13-14 dekabr. 371
монокристаллический слиток рения, чистота и совершенства которого характеризовались отношением электросопротивлений RRR=20000. Образцы изготовлялись в виде пластинок размерами 0,4Х2,5Х7,0 мм таким образом, что в первом из них гексагональная ось симметрии была направлена перпендикулярна к плоскости пластинки а во втором параллельна. Таким образом в первом образце внешнее магнитное поле параллельно к оси симметрии кристалла и соответствующего коэффициента Холла обозначаем как 𝑅 ∥ , во втором образце магнитное поле перпендикулярно к оси симметрии и для этого образца коэффициента Холла обозначаем как 𝑅 ⊥
данными [1]. Результаты полевых зависимостей приведены на рис.2. Рений в твердом состоянии имеет гексагональную кристаллическую структуру, температура Дебая 430 К. В работе [1] изучалось анизотропия коэффициента Холла в монокристаллах рения с чистотой, соответствующей отношению ρ 293 /ρ
=5270-3800 в интервале температур 4,2–273 К. По данным этой работы компоненты R ꓕ и R
‖‖ , положительны и имеют заметное различие, но качественно одинаковую температурную зависимость. При температурах 25-80 К значения R ꓕ и R ‖‖ резко
увеличиваются, а выше 100 К слабое уменьшение. В работе [2] изучался коэффициент Холла поликристаллического рения при температурах 77-350 К. Как видно из рисунка коэффициенты Холла 𝑅 ∥ и 𝑅 ⊥ во всем изученном нами интервале температур (77 - 1000 К) имеют положительный знак и их значение при комнатной температуре составляют соответственно R ‖‖ = 23,4х10 -11 м
3 /Кл и R
ꓕ = 29,5х10 -11 м
3 /Кл. В
области перекрытия температур наши данные качественно согласуются с данными [1]. С увеличением температуры до 1000 К коэффициенты Холла 𝑅 ∥
𝑅 ⊥ уменьшаются сложным образом и анизотропия коэффициента Холла тоже уменьшается. Отметим, что выше 273 К температурная зависимость анизотропии коэффициента Холла получена впервые нами.
Рис.1. Температурная зависимость коэффициентов Холла 𝑅 ∥ и 𝑅 ⊥
монокристаллического рения. На рис.2. представлена зависимость ЭДС Холла (рассчитанная на единицу плотности тока) от величины магнитного поля Н для трех ориентаций магнитного поля относителтно гексагональной оси кристалла (0 0 , 45
0 , 90
0 ) в плоскости [10ī0]. В этой же плоскости был направлен вектор плотности тока J. На графиках ɛ = f (H) в полях порядка 20 кЭ наблюдался излом, причем, когда φ = 0 0 (φ – угол между гексагональной осью и направлением магнитного поля), отклонение от прямой имеет наибольшую величину, затем постепенно уменьшается и для φ = 90 0 излом исчезает. Если магнитное поле направлено перпендикульярно оси с вдоль [10ī0], на прямых ɛ(H) наблюдается небольшой излом. Обнаруженный излом в сильных магнитных полях может быть результатом магнитного пробоя, на возможность чего ранее указывалось в [3]. Рений в твердом состоянии имеет гексагональную кристаллическую структуру. По данным Маттхейса [3] поверхность Ферми рения состоит из замкнутых дырочных поверхностей в 5, 6 и 7-й зонах и замкнутой электронной поверхности в 9-й зоне.
“Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni”. Samarqand 2019-yil 13-14 dekabr. 372
Электронная поверхность Ферми в 8-й зоне в модели Маттхейса по форме подобна цилиндру, параллельному оси [0001].
Рис. 2. Зависимость поля Холла рения (на единицу плотности тока) от внешнего магнитного поля Н: 1- H c (магнитное поле направлено вдоль [1010]), 2- H c (магнитное поле направлено вдоль [1120]), 3- φ=45°, 4- Н||с Положительный знак коэффициентов Холла рения 𝑅 ∥
𝑅 ⊥ можно связать с преобладающим вкладом дырочных листов поверхности Ферми по сравнению с электронными листами. С увеличением температуры сечение электронных и дырочных листов изменяются не пропорционально, что отразиться в уменьшении в значениях 𝑅 ∥ и 𝑅 ⊥ а также анизотропии коэффициента Холла монокристалла рения. Список литературы 1. Волькенштейн Н.В., Дякина В.П. и др. Влияние анизотропии межлистного рассеяния электронов и анизотропии поверхности Ферми на гальваномагнитные свойства рения. ФТТ, 1981,т.7, № 9, 1147-1155. 2. Волков Д.И., Козлова Т.М., Прудников В.Н., Козис Е.И. Температурная зависимость эффекта Холла и парамагнитной восприимчивости циркония и рения. ЖЭТФ. 1968. Т. 55. № 6. С. 2103- 2107. 3. А.Крэкнелл, К.Уонг. Поверхность Ферми. Москва, Атомиздат, 1978 Yüklə 11,09 Mb. Dostları ilə paylaş:
|