Gənc təDQİqatçI, 2020, VI cild, №1


  PACS: 71.20.Nr, 61.72.U-



Yüklə 9,76 Kb.
Pdf görüntüsü
səhifə5/175
tarix25.12.2023
ölçüsü9,76 Kb.
#196118
1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   175
Genc Tedqiqatci N1 2020 (1)

 

PACS: 71.20.Nr, 61.72.U- 
 
ВЛИЯНИЕ ГАММА ОБЛУЧЕНИЙ НА ВОЛЬТ-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ 
КРИСТАЛЛА TlGaTe

 
Н.М. Мехтиев
1,2
, А.А. Бабаева
1
1
Институт Радиационных Проблем НАНА 
2
Azerbaijan State Oil and İndustry University 
nizami-mehdiev@rambler.ru, arzubabayeva2402@gmail.com
 
В данной работе исследованы вольт-амперных характеристик (ВАХ) кристаллов 
TlGaTe
2
до и после облучения гамма квантами. Изучено влияния ионизационного облучения 
на электропроводность, ВАХ этих кристаллов и было показано, что облучение γ -квантами 
приводит к образованию радиационных дефектов приводящих к усилению компенсации и ча-
стичному залечиванию структурных дефектов при малых дозах облучения. 
Ключевые слова:
Облучения, гамма кванты, радиационные дефекты, слоистые полу-
проводники 
Введение 
Полупроводниковые кристаллы TlGaTe

принадлежат к классу соединений группы 
А
3
В
3
С
6
, кристаллизующихся в тетрагональной пространственной группе D
4h
18 
(структурный 
тип ТlSe). Этот класс соединений по своим физическим и технологическим свойствам явля-
ются перспективным материалом для использования в оптоэлектронной технике. 
Характерной особенностью кристаллов указанного выше типа является то, что они 
представляют собой цепочки Ga – Te вытянутые вдоль тетрагональной оси 
с 
кристалла. 
Тетрагональная ось является оптической осью. Одновалентные атомы Tl

имеют окто-
эдрическое окружение атомами Te. 
 
Эксперименты и выводы 
Из исследования электропроводности и вольт-амперных характеристик (ВАХ) кристаллов 
TlGaTe
2

1

для ширины запрещенной зоны, было получено значение 1,2 эВ. При исследовании 
нелинейной области ВАХ наблюдали вольтовые осцилляции, которые продолжались неопреде-
ленно долго. Частота осцилляций была в пределах нескольких Герц, имела хаотический характер 
и менялась со временем. ВАХ при двух геометриях электрического поля (Е

с и Е

с) было измере-
но при различных температурах в пределе напряжении 0

20В. 
На Рис. 1. и Рис. 2. представлены вольтамперные характеристики (ВАХ) кристаллов 
TlGaTe
2
при различных температурах и двух геометриях эксперимента, относительно тетра-
гональной оси «с», параллельно и перпендикулярно ей. 

Yüklə 9,76 Kb.

Dostları ilə paylaş:
1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   175




Verilənlər bazası müəlliflik hüququ ilə müdafiə olunur ©azkurs.org 2024
rəhbərliyinə müraciət

gir | qeydiyyatdan keç
    Ana səhifə


yükləyin